Raxmonov Utkurjon Xikmatalievichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “ Suyuq fazali epitaksiya usulida olingan rux selenidi – kremniy – galliy fosfidi qattiq qorishmalarining strukturaviy, elektrofizik va lyuminessent xossalari” 01.04.10–yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.1.PhD/FM854
Ilmiy rahbar: Saidov Amin Safarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, prof.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01 raqamli Ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Nuritdinov Izzatillo, fizika-matematika fanlari doktori, prof; Quchqorov Qudratillo Mamarasulovich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim.
Yetakchi tashkilot: Namangan davlat texnika universiteti.     
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi suyuq fazadan Si va GaP tagliklarida o‘rin almashuvchi monokristall (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq qorishmalarining epitaksial qatlamlarini olish, ularning kristall tuzilishi va lyuminessent xususiyatlarini, shuningdek, ular asosidagi strukturalarning elektrofizik va fotoelektrik xususiyatlarini oʻrganishdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor Si ning ZnSe va GaP binar birikmalari bilan ko‘p tarkibli o‘rin almashuvchi qattiq qorishmalar hosil qilishi mumkinligi, ularning molekulalari atomlarining kovalent radiuslari yig‘indilari orasidagi farqlar 4,7% dan kam ekanligi bilan isbotlangan; 
cheklangan hajmli suyuq fazali qalay eritmasidan o‘rin almashuvchi monokristall (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq qorishmalarining yupqa epitaksial qatlamlarini o‘stirish texnologik S = 850 C,  = 1 C/min va h = 1 mm rejimi ishlab chiqildi va ilk bor Si hamda GaP tagliklarida (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y epitaksial qatlam o‘stirilgan; 
tarkibi Sn+Si+GaP+ZnSe dan iborat qalayli eritmadan Si (111) tagliklarida 850–750 C harorat oralig‘ida o‘stirilgan (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq qorishmasi subkristallitlar o‘lchami 62 nm bo‘lgan (111) kristallografik yo‘nalishli mukammal monokristall strukturaga ega bo‘lishi, shuningdek kristall panjarada kogerent joylashgan, zaif intensivlikdagi difraksiya reflekslariga ega bo‘lgan, bloklar o‘lchami 22, 26 va 62 nm ni tashkil etuvchi GaP ning mos holda (200), (331) va (111) yo‘nalishli kristallitlari, hamda o‘lchamlari 32 nm dan bo‘lgan ZnSe ning (111), (331) va (422) yo‘nalishli kristallitlarining mavjudligi ko‘rsatilgan;
ilk bor (ZnSe)0.88(Si2)0.03(GaP)0.09 qattiq qorishmasida 5 K haroratda Si2 molekulalarining atomlari o‘tkazuvchanlik zonasi tubidan E_(i,〖Si〗_2 )=1.67 eV pastda, GaP molekulalarining atomlari esa - E_(i,GaP)=2.21 eV pastda joylashgan energetik sathlar tasmasini hosil qilishi, hamda tasmalar kengligi mos holda 〖∆E〗_(i,〖Si〗_2 )≈0.14 eV va 〖∆E〗_(i,GaP)≈0.34 eV ni tashkil etishi aniqlangan;
nGaPn+(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturaga teskari yo‘nalishda elektr kuchlanishi berilganda u qizil va sariq ranglarda nurlanishi aniqlandi va qizil nurlar (ZnSe)0.88(Si2)0.03(GaP)0.09 qattiq qorishmasidagi Si2 molekulalari atomlarining energetik sathlari, sariq nurlar esa GaP molekulalari atomlarining energetik sathlari ishtirokidagi elektron o‘tish jarayonlariga bog‘liqligi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Ko‘p komponentli o‘rin almashinuvchi (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y QQ hosil bo‘lishi va ularning yupqa qatlamlarini kremniy va galliy fosfidi tagliklarida suyuq fazali epitaksiya usuli bilan o‘stirish mumkinligi, qattiq qorishma komponentlari molekulalari atomlarining o‘zaro ta’siri, hamda, ularning (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq qorishma asosidagi strukturalarning fotoelektrik xossalariga ta’sirini o‘rganishdan olingan natijalar asosida:
O‘zgaruvchan tarkibli (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq qorishmasining epitaksial qatlamlarini Si tagligida qalayli eritmadan o‘stirish texnologiyasi ishlab chiqilgan (O‘zbekiston Respublikasi patenti “Kremniyli taglikga rux selenidi epitaksial qatlamini olish usuliˮ № IAP 06899, 20.04.2022 y.). Qalayli eritmadan o‘stirilgan (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq qorishmasi Si va ZnSe kristallarining panjara doimiylari va issiqlikdan kengayish koeffisientlarini o‘zaro muvofiqlashtiruvchi bufer qatlam vazifasini bajarib, Si tagligida mukammal monokristall strukturaga ega bo‘lgan ZnSe epitaksial qatlamini olish imkonini bergan;
Temperatura 600 °C dan 850 °C gacha ko‘tarilganda GaP ning Sn dagi eruvchanligi ~1 mol.% dan ~9,4 mol.% gacha, ZnSe ning eruvchanligi esa ~0,17 mol.% dan ~0,7 mol.% ga oshishi; GaP va ZnSe binar birikmalari 850 °C temperaturada Sn da eriganda atomlarga parchalanmasdan asosan molekulyar holatda bo‘lishi; Sn li eritmadan kristallanishning boshlanish temperaturasi 850 C, eritmaning sovish tezligi 11,5 K/min, eritma qalinligi 1 mm bo‘lganda monokristall Si (111) va GaP (111) tagliklarida (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq qorishmasining (111) yo‘nalishga ega bo‘lgan monokristall epitaksial qatlamlarining o‘sishi natijalari “FOTON” Aksiyadorlik jamiyatida ishlab chiqarish quvvatlarida texnologik jarayonlarga tatbiq etilgan («Uzeltexsanoat» Uyushmasining 13.04.2024 yilgi № 94-3/497 raqamli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish bir qancha prototiplar partiyasini ishlab chiqirish imkonini bergan.