Rasulova Marxaboxon Botirjon qizining 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “ZnO yupqa qatlamlarining fizikaviy xususiyatlariga Al, Mg va Ni kirishma atomlarining ta’sirlari”   01.04.10–“Yarimo‘tkazgichlar fizikasi” ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2025.1.PhD/FM1264
Ilmiy rahbar: Boboev Akramjon Yo‘ldashboevich, fizika-matematika fanlari doktori.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti va Andijon mashinasozlik instituti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan davlat texnika universiteti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Ikramov Rustam G‘ulomjonovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Otajonov Salim Madrahimovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Qarshi davlat universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: ilmiy amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: ZnO yupqa qatlamlariga Al, Mg va Ni atomlari bilan legirlashning optimal shart-sharoitlarini aniqlash hamda olingan plyonkalarning tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalarini tadqiq qilishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi: 
ilk bor Al, Mg va Ni kirishma atomlari qo‘shilgan ZnO yupqa qatlamlari hamda ular asosidagi n-ZnO/p-NiO geterotuzilma yupqa plyonkalari sprey-piroliz usuli bilan o‘stirildi va sintez qilish texnologiyasining eng maqbul shart-sharoitlari (purkash tezligi 8 ml/min, bosim 2 atm, taglik va purkovchi soplo orasidagi masofa 80÷85 sm, zolni purkash va tanaffus davomiyligi mos ravishda 1 daqiqa va 30 soniya) aniqlangan; 
Mg, Al va Ni kirishma atomlari bilan legirlangan ZnO asosidagi yupqa qatlamlar vyursit tuzilishli geksagonal kristall panjaraga ega bo‘lib, ularning C6/mmc fazoviy guruhga mansubligi rengentuzilmaviy tadqiqotlar natijalari asosida aniqlangan; 
o‘stirilgan plyokalarning elektrofizik tadqiqot natijalariga asosida Al, Mg va Ni atomlari  bilan legirlangan ZnO plyonkalarda solishtirma qarshiligi ρ=0.43÷2.58 Ω cm, tok tashuvchilar konsentratsiyasi n=1.9×1018÷5.4×1017cm-3 hamda zaryad tashuvchilar harakatchanligi μ=7.02÷1.85 cm2/ V×s qiymatlarga ega ekanligi aniqlangan;
kirishma atomlari kiritilgan ZnO optik o‘tkazuvchanligi va taqiqlangan soha kengligi quyidagicha: AZO uchun T=81-90%, Eg=3.2-3.31eV; MZO uchun T= 70-85%, Eg=3.2-3.47eV; ZnO: Ni uchun T= 80-74%, Eg=3.2-3.1eV o‘zgarishi mumkinligi aniqlangan;
ZnO, NiO plyonkalari va ZnO/NiO geterotuzilmlarining man etilgan soha energiyalarini mos ravishda 3,27 eV, 3,81 eV va 3,26 eV bo‘lgan qiymatlari aniqlandi hamda ularni xossalari o‘rganilib, quyosh energetikasi va optoelektronikada foydalanish mumkinligi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Sprey piroliz usuli yordamida o‘stirilgan Al, Mg va Ni kirishma atomlari bilan legirlangan ZnO yupqa qatlamlarining hamda n-ZnO/p-NiO geterotuzilmalarini tuzilmaviy asoslari, elektrofizik va fotoelektrik xossalarini tadqiq qilish bo‘yicha olingan ilmiy-amaliy natijalar asosida:
ZnO va NiO plyonkalari hamda ZnO/NiO geterotuzilmalari uchun optimal issiqlik bilan ishlov berish sharoitlari, ZnO, NiO plyonkalari va ZnO/NiO geterotuzilmalari uchun man etilgan soha energiyalarini yuqori aniqlikda tekshirish usullari hamda n-ZnO/p-NiO geterotuzilmalari orqali tok o‘tish jarayonining tunnel-rekombinatsiya mexanizmiga bo‘ysunishi kabi ilmiy-amaliy natijalardan "FOTON" aksiyadorlik jamiyatida ishlab chiqariladigan yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalar yaratishda foydalanilgan («FOTON» AJ ning 2024 yil 16 sentyabrdagi 157-son ma’lumotnomasi). Natijada tajribaviy  namunalarda  elektrotexnik asboblar tayyorlash hamda ularning elektrofizik va optik xossalarini yaxshilash imkonini bergan.
n-ZnO/p-NiO geterotuzilmalarining volt-amper xarakteristikalariga yorug‘lik nurlanishining ta’sirini aniqlash usullari OT-F2-71 raqamli “O‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydondagi deformatsiyalangan p-n o‘tish volt-amper xarakteristikasiga yorug‘likning ta’sirini tadqiq etish” mavzusidagi fundamental loyiha grantini bajarishda qo‘llanilgan (Namangan muhandislik-qurilish instituti, 2025-yil 11-yanvar, № 06/10-09/48-sonli ma’lumotnoma). Ilmiy natijalardan foydalanish p-n o‘tishning yorug‘likka sezgirligi va fotodetektor xususiyatlarini optimallashtirish hamda yuqori samarali optoelektronik qurilmalarni yaratish imkoni aniqlangan.