Бобожонов Комилжон Абдушариповичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Никел германосилидсидларини Си1-хГех кристаллари юзасида ҳосил қилиш ва уларнинг хусусиятларини оърганиш” мавзусидаги 01.04.10-Яримўтказгичлар физикаси  (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: В2023.4.PhD/FM893
Илмий раҳбар: Матчанов Нураддин Азадович, техника фанлари доктори, катта илмий ходим.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Абу Райҳон Беруний номидаги Урганч давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Урганч давлат университети ҳузуридаги илмий даражалар берувчи PhD.03/30.09.2020.FM.55.04 Рақамли илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Раззоқов Алижон Шоназарович, ф.-м.ф.д., профессор. Абдижалиев Султанбек Каллибекович, PhD, Доцент.
Йетакчи ташкилот: Бердак номидаги Қорақалпоқ Давлат Университети
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Диссертация ишининг мақсади: Юқори термоелектр юритувчи кучга эга бўлган термоелементлар яратиш учун Си₁–ₓГеₓ (0 < х < 0.1) ҳажмий қаттиқ қотишмалари юзасида олинган никел германосилидсидларининг морфологик, таркибий, электрофизик, фотоелектрик ва термоелектрик хоссаларини тадқиқ этиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор Си₁₋ₓГеₓ (0 < х < 10%) ҳажмий қаттиқ қотишмалари юзасида паст электр қаршилигига (2,4×10⁻⁵ Ом·см) эга никел германосилидсиднинг нанотаркибли юпқа қатламларини олиш услубияти таклиф этилган. Ушбу услубият орқали, самарали қалинлиги ≥2 мкм бўлган, тўғриловчи хусусиятларга эга никел германосилидсид гетеротузилмаларини олиш имконияти яратилган.
куйдириш ҳарорати 300°C дан юқори бўлганда, никел моносилидсидининг (213,519 см⁻¹ да) комбинацион сочилиш чўққиси кенгайиши аниқланган, ҳамда силидсидларнинг таркибий ўзгаришлари натижасида моногерманосилидсид фазаларининг деградацияланиши асосланган.
экспериментал тадқиқотлар натижасида 200°C÷650°C гача куйдиришдан сўнг, Ни/п-Си₁₋ₓГеₓ (0<х<0.1) намуналарида панжара кучланиши юзанинг Ге атомлари билан бойишига ва электронларнинг туннеллаш механизмини кучайтириб, термоелеcтрон эмиссия механизмини ишга туширувчи нанотаркибли Ни бирикмаларининг ҳосил бўлишига олиб келган. Ҳароратнинг 27°C÷107°C оралиғида эркин заряд ташувчиларининг концентрацияси (ЗТК) бирламчи п-Си₁₋ₓГеₓда ~10¹⁴ см⁻³ (=150–180 Ом/см²)дан Ний(Си₁₋ₓГеₓ)₁₋й юпқа қатламларида 1,17×10²² см⁻³ гача кескин ошиши, ҳамда никел германосилидсиди қатламларидаги электронларнинг кучли ўзаро таъсири натижасида электр қаршилиги 4,5 Ом·см² дан 4,9×10⁻3 Ом·см² гача кескин камайиши кузатилган.
экспериментал тадқиқотлар натижасида п-Си₁₋ₓГеₓ<111> монокристаллари юзасида ҳосил қилинган никел германосилидсиди юпқа қатламларининг Зеебек коеффициенти - α бир неча баробар (2 - 3,5) ошиши ва қиймати 2772 μВ/Кга етиши аниқланган. Зеебек коеффициентининг (α) бундай ўсиши, сирт ҳолатлар зичлигининг камайиши, контакт соҳаси таркибининг ўзгариши ҳамда ҳарорат таъсирида (316÷337 К оралиғида) термиёнизация туфайли ЗТК ортиши натижасида юзага келган кучли электрон-фонон ўзаро таъсирида келиб чиқиши асосланган.
IV. Тадқиқот натижаларини амалга ошириш. Вакуумда қаттиқ фазали реакция усули ёрдамида никел германосилидсидларини Си₁–хГеₓ ҳажмий қаттиқ қотишмалари юзасида олиш, ҳамда уларнинг морфологик, таркибий, электрофизик, фотоелектрик ва термоелектрик хоссаларини тадқиқ этиш бўйича илмий натижалар:
Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг Физика-техника институти  ҳамда Тошкент ахборот технологиялари университетининг Урганч филиали томонидан бажарилган №БФ-4-016 (АНТ - БА-А5-027) “Кремний ва кремний-германий қотишмасида иккиламчи радиацион нуқсонларнинг шаклланишини тадқиқ этиш” (УДК 510.532:664.71) фундаментал лойиҳасида фойдаланилган (Тошкент ахборот технологиялари университети Урганч филиалининг 2024 йил 13-июлдаги №800-сонли маълумотномаси). Натижада, ишлаб чиқилган услубият асосида, нейтрон, электрон ҳамда рентген нурлари билан нурлантирилган Си₁₋ₓГеₓ қотишма намуналарига юқори сифатли омик контактлар олинган ва улар фотоелектрик, волт-ампер ва спектрал характеристикаларни тадқиқ этишда фойдаланилган 
Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг Физика-техника институти (ФТИ) томонидан ФПФИ №11-08 “Си₁₋ₓГеₓ ҲҚҚ асосида никел германосилидсиди ҳосил бўлишини тадқиқ этиш” (УДК 621.315.592) фундаментал лойиҳасида фойдаланилган. (ЎзР ФА ФТИнинг 2024-йил 22-июлдаги №281-сонли маълумотномаси). Натижада, таклиф этилган услубият асосида, Си₁₋ₓГеₓ қотишмалари сиртини механикавий-кимёвий ишлов бериш бўйича илмий натижалардан фойдаланиш орқали юқори сифатли (паст тескари токлар, юқори тўғирлаш коеффициенти, оптимал ноидеалилик коеффициенти) паст қаршиликли контактлар олинган. Бу эса Металл (Ау, Ал, Ни, Ти)/(Си₁₋ₓГеₓ) тузилмаларида ҳамда Шоттки тўсиқларида сирт ҳолатлари зичлигининг таъсирини назарий ва экспериментал тадқиқ этиш имкониятини яратилган;
Фарғона политехника институтининг “Экологик тоза электр энергияси манбаи – паст ва ўрта қувватли тўғридан-тўғри ток истеъмолчилари учун термоелектр генераторларини ишлаб чиқиш” мавзусидаги 221 Х/Ш 12/13/22-сонли хўжалик-пудрат шартномасида фойдаланилган. (Фарғона политехника институтининг 2025-йил 21-январдаги №01-168 – сонли маълумотномаси). Натижада, қаттиқ қотишмаларда электронларнинг туннел эффекти механизмини кучайтириш ҳамда термоелектрон эмиссия механизмини ишга туширувчи нанотаркибли металл бирикмаларини ҳосил қилиш бўйича илмий натижалари, кичик ва ўрта қувватли экологик тоза термоелектрик генераторларни ишлаб чиқишда фойдаланилган.