Bobojonov Komiljon Abdusharipovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Nikel germanosilidsidlarini Si1-xGex kristallari yuzasida hosil qilish va ularning xususiyatlarini o’rganish” mavzusidagi 01.04.10-Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2023.4.PhD/FM893
Ilmiy rahbar: Matchanov Nuraddin Azadovich, texnika fanlari doktori, katta ilmiy xodim.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Abu Rayhon Beruniy nomidagi Urganch davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Urganch davlat universiteti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi PhD.03/30.09.2020.FM.55.04 Raqamli ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Razzoqov Alijon Shonazarovich, f.-m.f.d., professor. Abdijaliev Sultanbek Kallibekovich, PhD, Dotsent.
Yetakchi tashkilot: Berdak nomidagi Qoraqalpoq Davlat Universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Dissertatsiya ishining maqsadi: Yuqori termoelektr yurituvchi kuchga ega bo‘lgan termoelementlar yaratish uchun Si₁–ₓGeₓ (0 < x < 0.1) hajmiy qattiq qotishmalari yuzasida olingan nikel germanosilidsidlarining morfologik, tarkibiy, elektrofizik, fotoelektrik va termoelektrik xossalarini tadqiq etish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor Si₁₋ₓGeₓ (0 < x < 10%) hajmiy qattiq qotishmalari yuzasida past elektr qarshiligiga (2,4×10⁻⁵ Om·sm) ega nikel germanosilidsidning nanotarkibli yupqa qatlamlarini olish uslubiyati taklif etilgan. Ushbu uslubiyat orqali, samarali qalinligi ≥2 mkm bo‘lgan, to‘g‘rilovchi xususiyatlarga ega nikel germanosilidsid geterotuzilmalarini olish imkoniyati yaratilgan.
kuydirish harorati 300°C dan yuqori bo‘lganda, nikel monosilidsidining (213,519 sm⁻¹ da) kombinatsion sochilish cho‘qqisi kengayishi aniqlangan, hamda silidsidlarning tarkibiy o‘zgarishlari natijasida monogermanosilidsid fazalarining degradatsiyalanishi asoslangan.
eksperimental tadqiqotlar natijasida 200°C÷650°C gacha kuydirishdan so‘ng, Ni/p-Si₁₋ₓGeₓ (0<x<0.1) namunalarida panjara kuchlanishi yuzaning Ge atomlari bilan boyishiga va elektronlarning tunnellash mexanizmini kuchaytirib, termoelectron emissiya mexanizmini ishga tushiruvchi nanotarkibli Ni birikmalarining hosil bo‘lishiga olib kelgan. Haroratning 27°C÷107°C oralig‘ida erkin zaryad tashuvchilarining konsentratsiyasi (ZTK) birlamchi p-Si₁₋ₓGeₓda ~10¹⁴ sm⁻³ (=150–180 Om/sm²)dan Niy(Si₁₋ₓGeₓ)₁₋y yupqa qatlamlarida 1,17×10²² sm⁻³ gacha keskin oshishi, hamda nikel germanosilidsidi qatlamlaridagi elektronlarning kuchli o‘zaro ta’siri natijasida elektr qarshiligi 4,5 Om·sm² dan 4,9×10⁻3 Om·sm² gacha keskin kamayishi kuzatilgan.
eksperimental tadqiqotlar natijasida p-Si₁₋ₓGeₓ<111> monokristallari yuzasida hosil qilingan nikel germanosilidsidi yupqa qatlamlarining Zeebek koeffisienti - α bir necha barobar (2 - 3,5) oshishi va qiymati 2772 μV/Kga etishi aniqlangan. Zeebek koeffisientining (α) bunday o‘sishi, sirt holatlar zichligining kamayishi, kontakt sohasi tarkibining o‘zgarishi hamda harorat ta’sirida (316÷337 K oralig‘ida) termiyonizatsiya tufayli ZTK ortishi natijasida yuzaga kelgan kuchli elektron-fonon o‘zaro ta’sirida kelib chiqishi asoslangan.
IV. Tadqiqot natijalarini amalga oshirish. Vakuumda qattiq fazali reaksiya usuli yordamida nikel germanosilidsidlarini Si₁–xGeₓ hajmiy qattiq qotishmalari yuzasida olish, hamda ularning morfologik, tarkibiy, elektrofizik, fotoelektrik va termoelektrik xossalarini tadqiq etish bo‘yicha ilmiy natijalar:
O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining Fizika-texnika instituti hamda Toshkent axborot texnologiyalari universitetining Urganch filiali tomonidan bajarilgan №BF-4-016 (ANT - BA-A5-027) “Kremniy va kremniy-germaniy qotishmasida ikkilamchi radiatsion nuqsonlarning shakllanishini tadqiq etish” (UDK 510.532:664.71) fundamental loyihasida foydalanilgan (Toshkent axborot texnologiyalari universiteti Urganch filialining 2024 yil 13-iyuldagi №800-sonli ma’lumotnomasi). Natijada, ishlab chiqilgan uslubiyat asosida, neytron, elektron hamda rentgen nurlari bilan nurlantirilgan Si₁₋ₓGeₓ qotishma namunalariga yuqori sifatli omik kontaktlar olingan va ular fotoelektrik, volt-amper va spektral xarakteristikalarni tadqiq etishda foydalanilgan
O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining Fizika-texnika instituti (FTI) tomonidan FPFI №11-08 “Si₁₋ₓGeₓ HQQ asosida nikel germanosilidsidi hosil bo‘lishini tadqiq etish” (UDK 621.315.592) fundamental loyihasida foydalanilgan. (O‘zR FA FTIning 2024-yil 22-iyuldagi №281-sonli ma’lumotnomasi). Natijada, taklif etilgan uslubiyat asosida, Si₁₋ₓGeₓ qotishmalari sirtini mexanikaviy-kimyoviy ishlov berish bo‘yicha ilmiy natijalardan foydalanish orqali yuqori sifatli (past teskari toklar, yuqori to‘g‘irlash koeffisienti, optimal noidealilik koeffisienti) past qarshilikli kontaktlar olingan. Bu esa Metall (Au, Al, Ni, Ti)/(Si₁₋ₓGeₓ) tuzilmalarida hamda Shottki to‘siqlarida sirt holatlari zichligining ta’sirini nazariy va eksperimental tadqiq etish imkoniyatini yaratilgan;
Farg‘ona politexnika institutining “Ekologik toza elektr energiyasi manbai – past va o‘rta quvvatli to‘g‘ridan-to‘g‘ri tok iste’molchilari uchun termoelektr generatorlarini ishlab chiqish” mavzusidagi 221 X/Sh 12/13/22-sonli xo‘jalik-pudrat shartnomasida foydalanilgan. (Farg‘ona politexnika institutining 2025-yil 21-yanvardagi №01-168 – sonli ma’lumotnomasi). Natijada, qattiq qotishmalarda elektronlarning tunnel effekti mexanizmini kuchaytirish hamda termoelektron emissiya mexanizmini ishga tushiruvchi nanotarkibli metall birikmalarini hosil qilish bo‘yicha ilmiy natijalari, kichik va o‘rta quvvatli ekologik toza termoelektrik generatorlarni ishlab chiqishda foydalanilgan.
