Saparov Xushnudbek Sharipbaevichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Ikki o‘lchamli MoS2 asosidagi MDYa tranzistori strukturaviy parametrlarining degradatsion effektlarga ta’sirini modellashtirish” 01.04.10–yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.2.PhD/FM898
Ilmiy rahbar: Atamuratov Atabek, fizika-matematika fanlari doktori, prof.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Urganch Davlat universiteti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi S.A. Azimov nomidagi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01 raqamli Ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Karimov Ibroxim Nabievich, fizika-matematika fanlari doktori, prof; Yodgorova Dilbara Mustofaevna, texnika fanlari doktori, prof.
Yetakchi tashkilot: Muxammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalar universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi ikki o‘lchamli MoS2 asosidagi MOYa tranzistorida qisqa kanal, o‘z–o‘zini qizdirish va tasodifiy telegraf shovqin degradatsiya effektlari va ularga tranzistor geometriyasi, qo‘llaniladigan oksid materiallari va turli ishlash rejimlarining ta’sirini, modellashtirish orqali o‘rganish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
kanal markazining harorati kanal yuzasining zatvor osti oksidi qatlami bilan qoplanish darajasiga sezgir ekanligi isbotlanib, orqa oksidi qatlami qalinligi ortishi bilan kanal markazi temperaturasi chiziqli ortish qonuniyati asoslangan;
kanal bo‘ylab temperatura taqsimoti zatvorga beriladigan kuchlanishning ishorasi va qiymatiga bog‘lanish qonuniyati aniqlanib, zatvorga  manfiy (Vg< 0) kuchlanish berilganda temperatura stok tomonida kattaroq bo‘lishi, zatvorga musbat (Vg> 0) kuchlanish berilganda esa temperatura kanalning istokga yaqin sohasida yuqori bo‘lishi asoslangan;
ilk bor zatvor uzunligi 40 nm dan kichik bo‘lgan tranzistorlar uchun zatvor osti va orqa oksid qatlamlar materiallarining turli kombinatsiyasida, kanal markazidagi temperatura, asosan orqa oksid qatlami materiali issiqlik o‘tkazuvchanligiga bog‘liq ekanligi aniqlandi va kanal markazidagi temperatura orqa oksid qatlam sifatida issiqlik o‘tkazuvchanligi 1.4 W/(K∙m) bo‘lgan SiO2 ishlatilganda issiqlik o‘tkazuvchanligi 2.3 W/(K∙m) bo‘lgan HfO2 ishlatilgan holga qaraganda yuqoriroq bo‘lishi ko‘rsatilgan; 
zatvor uzunligi 40 nm dan kichik bo‘lgan tranzistorlar uchun zatvor osti va orqa oksid qatlamlar materiallarining turli kombinatsiyasida, qisqa kanal DIBL effekti va SS, asosan orqa oksid qatlami materiali dielektrik singdiruvchanligiga bog‘liq ekanligi hamda orqa oksid qatlam materiali sifatida, nisbiy dielektrik singdiruvchanligi 3.9 bo‘lgan SiO2 ishlatilganda DIBL effekti va SS, nisbiy dielektrik singdiruvchanligi 25 bo‘lgan HfO2 ishlatilgan holdagiga nisbatan kichikroq bo‘lishi aniqlangan; 
zatvor kuchlanishi bo‘sag‘adan past bo‘lganda tasodifiy telegraf shovqin amplitudasi sezilarli bo‘lib, stok kuchlanishiga va yakka zaryadning kanal bo‘ylab vaziyatiga bog‘liq ekanligi ko‘rsatilgan hamda, zatvor kuchlanishi bo‘sag‘a kuchlanishidan 1.7 V kichik bo‘lganda, yakka zaryad kanal bo‘ylab markazda joylashgan holda, istokga yoki stokga yaqinroq bo‘lgan hollarga nisbatan tasodifiy telegraf shovqin amplitudasi 3 martagacha kattaroq ekanligi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Ikki o‘lchamli MoS2 asosidagi MOYa tranzistorning strukturaviy va elektrofizik xossalarini tadqiq qilish asosida: 
ikki o‘lchamli materialdan tashkil topgan tranzistor xarakteristikalarini modellashtirish natijalari OT-F2-68 raqamli “Kristallarda kirishma-nuqson mikro va nano birikmalar shakillanishining mexanizmlari hamda ularning asosida keng funksional imkoniyatli ko‘pqatlamli strukturalarni yaratish” mavzusidagi fundamental tadqiqot loyihaning ilmiy-texnikaviy vazifalarini bajarishda, xususan, ikki o‘lchamli nuqsonlar va nanobirikmalarga ega materiallar va ular asosidagi strukturalar xossalarini modellashtirishda qo‘llanildi (Andijon davlat universitetining, 19 sentyabr 2024 yildagi 38-01-859-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish yarimo‘tkazgichli strukturalar xossalarini modellashtirish imkonini bergan;
ikki o‘lchamli MoS2 asosidagi MDYa tranzistori strukturaviy parametrlari va oksid qatlamlar materiallari parametrlarining degradatsion effektlarga ta’sirini modellashtirish natijalari Hindiston hukumatining Fan va texnologiyalar depertamenti tomonidan qo‘llab-quvvatlangan, Vellore Texnologiyalar Institutitida amalga oshirilgan “Radiochastotali zanjirlarda qo‘llash uchun moljallangan MoS2 asosidagi maydoniy tranzistorini loyihalash” mavzusidagi loyihasini bajarishda MoS2 asosidagi maydoniy tranzistorlarni modellashtirishda qo‘llanilgan (Vellore texnologiyalar instituti, Elektronika muhandislik maktabi, Mikro va nanoelektronika kafedrasi mudirining 10 dekabr 2023 yildagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish ikki o‘lchamli maydoniy tranzistorlarni, xususan o‘tish metal dixalkoginidlari asosidagi maydoniy tranzistorlar geometrik o‘lchamlar va turli oksid materiallarning tranzistordagi o‘z–o‘zini qizdirish va qisqa kanal effektlariga ta’sirini optimal modellashtirish imkonini bergan.