Xodjaev Utkirjon Oktamovichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i): “TlIn1-x Fex(S,Se)2 qattiq aralashmali monokristallarining optikaviy, elektrofizikaviy va fotoelektrikaviy xususiyatlari”, 01.04.07 – Kondensirlangan holat fizikasi (fizika-matematika fanlari). 
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: № B2024.2.PhD/FM1118 
Ilmiy rahbar: Nuritdinov Izzatullo, fizika-matematika fanlari doktori, professor
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Yadro fizikasi instituti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Yadro fizikasi instituti, DSc.02/30.12.2019.FM/T.33.01.
Rasmiy opponentlar: Rajabov Soli Ashirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Parpiev Adxamjon Sobirjanovich, fizika-matematika fanlari bo‘yicha PhD, katta ilmiy xodim.
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: Nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqot ishining maqsadi TlIn(1-x)FexS2 va TlIn(1-x)FexSe2 qattiq eritmalarining kristall strukturasi, elektrofizik, fotoelektrik va optik xossalariga temir kirishmasi konsentratsiyasi va ionlashtiruvchi nurlanishlarning ta’sirini aniqlashdan iborat. 
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
TlIn1-xFexSe2 (x = 0–0.02) qattiq eritmalari I4/mcm fazoviy guruhli tetragonal singoniya asosida a = 8.068 Å, b = 8.068 Å, c = 6.816 Å parametrlari bilan bir fazali, TlIn1-xFexS2 qattiq eritmalari (x = 0–0.01) esa P2/m fazoviy guruhli, panjara parametrlari a = 10.896 Å, b = 10.896 Å,  c= 15.173 Å bilan monoklin singoniya asosida kristallanishi aniqlangan: kristallarni Fe aralashmasi bilan legirlashda ularning bir fazaliligi, singoniyasi va fazoviy guruhlari saqlanib qoladi, bunda aralashma konsentratsiyasining ortishi bilan kristall panjaraning parametrlari asta-sekin kamayadi;
TlIn1-xFexSe2 qattiq eritmalarida kichik dozalar (radiatsion silkinish) hodisasi aniqlangan: namunalarni 60So manbaining gamma nurlari bilan 107 Rad dozagacha nurlantirish, shuningdek, elektronlar bilan 5×1015 elektron/sm2 flyuensgacha nurlantirilganda, qattiq eritmalarning elementar yacheykasi parametrlari kamayadi, ularning taqiqlangan zonalarining kengligi Eg ortadi. Nurlanish dozasi yanada ortganda esa kristall panjaralar parametrlarining qiymatlari ortadi, taqiqlangan zonalarining kengligi Eg esa kamayadi;
temir ionlari bilan legirlash, shuningdek, gamma nurlari va elektronlar bilan nurlantirish TlInSe2 monokristallari hamda TlIn0,98Fe0,02Se2 qattiq qorishmalarining sirt morfologiyasini kuchli o‘zgartirishi aniqlangan: TlInSe2 kristallariga temir kirishmalarining kiritilishi sirtning holatini yaxshilashga, profilning o‘rtacha arifmetik og‘ishining maksimal qiymatini kamaytirishga, shuningdek, o‘rtacha g‘adir-budirlik balandligining pasayishiga olib keladi, 5×1016 elektron/sm2 flyuensli elektronlar bilan nurlantirish esa ham legirlanmagan, ham legirlangan kristallarda sirt holatini sezilarli darajada yomonlashtiradi;
temir ionlari konsentratsiyasining ortishi bilan o‘rganilayotgan tarkiblar qattiq eritmalari monokristallarining solishtirma qarshiligi ρ, taqiqlangan soha kengligi Eg, spektral fotosezgirlik maksimumi (hv)max ortishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi: TlInSe2, TlInS2 va TlIn1-xFex(S,Se)2 monokristallarining strukturaviy, optik, elektrofizik va fotoelektrik xossalarini tadqiq qilish bo‘yicha olingan natijalar asosida:
tetragonal tuzilishga ega TlIn1-xFexSe2 monokristallida (faz.gr. I4/mcm) va monoklin singoniyali TlIn1-xFexS2 (x=0–0.01) qattiq eritmasida (faz.gr. P2/m, β=100o) bir fazali holatlarni o‘rnatish;
TlInSe2 va TlInS2 kristallarini temir ionlari bilan legirlashda sirt holatini yaxshilash;
TlIn1-xFexS2 qattiq qorishma monokristallarining temir ionlari konsentratsiyasi ortishi bilan solishtirma qarshilik ρ, taqiqlangan zona kengligi Eg, spektral fototok (hv)max maksimumlari holatlari ortishi aniqlangani Ozarbayjon Respublikasi Fan va ta’lim vazirligi Fizika institutining “TlGaS(Se)2–Nd2S(Se)3,(TlGaSe2)x(TlBiSe2)1-x, TlGaS2-TlGaSe2, TlGaSe2-TlGaS2, TlInS2 - TlInSe2 sistemalar kristallofizikasi va ularga nodir er elementlarining ta’siri” mavzusidagi tadqiqotlari doirasida foydalanilgan (Ozarbayjon Respublikasi Fan va ta’lim vazirligi Fizika institutining 25.11.2024-yildagi №029-08/476-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish murakkab yarimo‘tkazgichlarning fizik xossalarini, ularning tarkibi va kirishmalar miqdoriga bog‘liqligini tahlil qilish imkonini bergan; nodir er kirishmalari bilan legirlashda TlInS2 va TlInSe2 qattiq qorishmalarining kristall panjaralari parametrlarining o‘zgarish xarakterini aniqlashtirish, shuningdek, boshqa kirishmalar bilan legirlashda ushbu kristallarning sirt holatini yaxshilash imkonini bergan;
TlInSe2 kristallarining Fe (2 mol.% gacha) aralashmasi bilan legirlanganda ularning bir fazaliligi, singoniyasi va fazoviy guruhi saqlanib qolishi, sirt holati yaxshilanishi, kristall panjara parametrlari kamayishi aniqlangan. Elektronlar bilan nurlantirilganda (5·10¹⁵ el/sm² gacha) elementar yacheyka parametrlari kamayishi va taqiqlangan zona kengligi oshishi kuzatilgan. Olingan natijalardan xorijiy olimlar tomonidan foydalanilgan (xorijiy ilmiy jurnallarda iqtibos: Journal of Modern Physics B., 2024. – P. 2550103; Materials Research Innovations, 2024. – P. 1-5; Eurasian Physical Technical Journal, 2024. V. 21. No 2 (48). – P. 5-13).  Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi TlInSSe, ZnSe i Md2Zn2O7 turdagi kristallarni kirishmalar bilan legirlash va ionlashtiruvchi nurlanish ta’sirida ularning kristall panjara parametrlari, taqiqlangan zona kengligi va sirt holatlarining o‘zgarish mexanizmlarini asoslash imkonini bergan.