Ergashev Ravshanbek Nazirovichnung
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Chuqur aralashma satxli pCdTe-nCdS va pCdTe-nCdSe geterotizimli quyosh elementlarining optik, elektrofizik va fotoelektrik xususiyatlarini tadqiq qilish» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2023.1.PhD/T3489
Ilmiy rahbar: Otajonov Salim Madrahimovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi Farg‘ona davlat universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Ikramov Rustam G‘ulomjonovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Karimov Ibroxim Nabievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Qoraqolpoq davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: pCdTe-nCdS va nCdTe-pCdSe geterostrukturalari asosidagi quyosh batareyalarini yaratishda elektrofizik, optik va fotoelektrik xususiyatlarini o‘rganib ularning tok va signal quvvatini oshirishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi: ilk bor, chuqur aralashma sathga ega pCdTe-nCdS va pCdTe-nCdSe asosidagi geterostrukturali quyosh elementlarini o‘stirish yuqori tenperaturali vakuumda bug‘latish yo‘li bilan optimal texnologiyasi topilgan;
pCdTe-nCdS strukturasining fotosezgirligi qisqa to‘lqinli chegarasi hν≤2,3 eV sohasida foton energiyasining keskin o‘sa boshlaganligi aniqlangan va pCdTe-nCdSe strukturasi uchun foton energiyasining fotosezgirlik qiymati ~(100 mkA)⁄mWt darajada ekanligi ko‘rsatilgan.
harorat oshishi bilan geterostrukturaning maksimal fotosezgirligi kadmiy telluridning taqiqlangan zona kengligi o‘zgarishiga bog‘liq holda yorug‘likning uzun to‘lqinlar soxasiga siljiganligi aniqlangan.
ilk bor, Ag va Cu ning yuqori haroratli diffuzion kiritilishi natijasida CdTe ning aralashmali fotoo‘tkazuvchanlik mavjudligi aniqlangan, bu esa yorug‘lik to‘lqin uzunligining 0,4-3,0 eV oralig‘ida fotosezgirlikni 2-3 marta oshishiga olib kelgan;
keng bo‘shliqli optik oyna sirt rekombinatsiyasi tezligini sezilarli darajada pasaytrish orqali plyonka geterostrukturasining yig‘ish koeffisientini oshishiga olib kelganligi eksperimental ravishda ko‘rsatilgan;
ilk bor, haroratning oshishi bilan spektrning qisqa va uzun to‘lqin sohalarida geterostrukturaning fotosezgirligi kuchayib borishi, faollashuv energiyasi E_c-1,15 eV teng bo‘lgan chuqur aralashmalar sathining mavjudligi bilan ko‘rsatilgan;
havo ifloslanishini aniqlash uchun pCdTe-nCdS va nCdTe-pCdSe geterostrukturalariga asoslangan yorug‘likning keng diapozonida (0,4-3,0 eV) ishlaydigan optik datchiklar hamda fotoelektrik modul ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Olingan ilmiy natijalar asosida pCdTe-nCdS va pCdTe-nCdSe plyonka geterostrukturalarining elektrofizik, optik, fotoelektrik xossalari va tok o‘tish mexanizmlari bo‘yicha: quyosh energiyasi uchun o‘zgartirgich sifatida pCdTe-nCdS va pCdTe-nCdSe asosida quyosh batareyalarini ishlab chiqarishning optimal texnologiyasi OT-F2-71 " Juda yuqori chastotali elektromagnit maydonda deformatsiyalangan p-n o‘tish joyining volt-amper xususiyatlariga yorug‘lik ta'sirini o‘rganish” mavzusida 2017-2020 yillarda Namangan muhandislik-qurilish instituti fizika kafedrasida (Namangan muhandislik-qurilish institutining 26 iyun 2024-yildagi 06/15-son guvohnomasi) davlat ilmiy-texnik dasturlari doirasida amalga oshirilgan. Ilmiy natijalardan foydalanish legirlangan kadmiy tellurid namunalarining elektrofizik parametrlarini barqarorlashtirishga olib keldi va ularning analoglari ko‘rsatkichlariga mos keladigan quyosh batareyalarini ishlab chiqarishga imkon berdi; Ag va Cu ning kadmiy telluriga termal legirlash yo‘li bilan kiritilishi pCdTe-nCdS va pCdTe-nCdSe geterostrukturalarining chuqur aralashmali fotoo‘tkazuvchanligiga olib keladi, bu fotosezgirlikni 2-3 marta oshirgan va uning parametrlarini barqarorlashtirgan;
CdTe plyonkalaridagi to‘siqlar yuzasida birinchi guruh elementlarning chuqur aralashma markazlarining mavjudligi chuqur markazlarda joylashgan maydon 0,4-3,0 eV oralig‘ida ajralib chiqadigan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilari konsentratsiyasining keskin oshishiga olib keladi va bu natijalar “FOTON” aksiyadorlik jamiyati va “O‘zeltexsanoat” aksiyadorlik jamiyatida (O‘zeltexsanoat sertifikati 27 iyun 2024 yil №123) quyosh energiyasining yarimo‘tkazgichli fotoo‘zgartirgichlarni ishlab chiqarishda qo‘llanildi. Olingan natijalardan foydalanish quyosh energiyasi va boshqa elektron qurilmalarning fotoo‘zgartirgichlarni ishlab chiqarish va ularning elektrofizik va optik parametrlarini yaxshilash imkonini bergan.
