Турcунов Икромжон Гуламжоновичнинг

фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Компенсирланган кремний ва улар асосидаги сирт-барьер структураларда тензостимуллаш ҳодисалар», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2018.2DSc/FM43.

Илмий маслаҳатчи: Маматкаримов Одилжон Охундедаевич, физика-математика фанлари доктори.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети.

ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Андижон давлат университети, DSc.28.02.2018. FM/60.01.

Расмий оппонентлар: Каримов Абдулазиз Вахитович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Нуритдинов Изотилла, физика-математика фанлари доктори, профессор; Отажонов Салимжон Мадрахимович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ давлат университети. 

Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: чуқур сатҳлар ҳосил қилувчи Au, Mn и Zn киришма атомлари билан легирланган кремний ва улар асосидаги структураларда тензостимуллашган ҳодисаларни ва уларнинг намоён бўлиш физик механизмларини   аниқлашдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

изотроп босимнинг статик режимида Si˂Au˃, Si˂Mn˃ ва Si˂Zn˃   намуналар электр ўтказувчанлигининг ортиши, Au, Mn ва Zn чуқур сатҳлар ионлашув энергиясининг барик ўзгариши ҳисобига, асосий ток ташувчилар концентрациясининг ўзгариши натижасида юз бериши аниқланган;

кремнийда чуқур сатҳли марганец, цинк, олтин киришмаларнинг ионлашиш энергиялари ва уларнинг ўзгариш босим коэффициентлари аниқланган;

статик режимда Sb-p-Si˂Mn˃-Au структураларда гидростатик босим таъсирида база ва потенциал барьердаги ўзгаришлар ҳисобига, тўғри ва тескари токларнинг сезгирлиги қўйилаётган кучланишга боғлиқлиги аниқланган;

импульсли ҳар томонлама гидростатик босим таъсирида Si˂Au˃, Si˂Mn˃ ва Si˂Zn˃     намуналарда токнинг тензорелаксацион ўзгариши тензо-термо эффект натижасида температуранинг босим билан синхрон ўзгариши ҳисобига содир бўлиши аниқланган;

Si˂Au˃, Si˂Mn˃ ва Si˂Zn˃ намуналарда электр ўтказувчанликнинг ўзгариши кремнийнинг тақиқланган соҳасида цинк, олтин, марганец киришмалар энергетик сатҳларининг барик силжиши ва термик генерацияси туфайли ток ташувчилар концентрациясининг ўзгариши билан боғлиқ динамик тензоўтказувчанлик эффектининг намоён бўлиш механизмлари аниқланган;

Si˂Mn˃ намуналарида босим амплитудасининг катта қийматлари ҳисобига, тензостимуллашган эффектнинг ток ўзгаришидаги улуши температура улушидан катта бўлиши аниқланган;

Si˂P, Au˃, Si˂B, Mn˃   ва n- Si˂P, Zn˃   компенсирланган намуналарда бир ўқли босим шароитларида тензоэффект ҳодисаси I║X║[111] ва I║X║[100] кристаллографик йўналишларда ток ташувчилар концентрацияси ва ҳаракатчанликларнинг қарама-қарши ўзгариши туфайли содир бўлиши кўрсатилган;

термик ишлов берилган намуналарда тензоқаршилик эффекти асосан ток ташувчилар ҳаракатчанлигининг ўзгариши натижасида содир бўлиши ҳамда [111]   кристаллографик йўналишдаги бир ўқли деформация Si ҳажмидаги ҳосил бўладиган, шунингдек бошқариб бўлмайдиган аралашмалар тўплами, микробирикмаларнинг босим остида емирилишига олиб келиши аниқланган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.

Яримўтказгичлар ваяримўтказгичли структураларнинг электрофизик хоссаларига изотроп ва анизотроп деформациянинг таъсирини аниқлаш бўйича олинган натижалар асосида:

компенсирланган кремний ва улар асосидаги Au-Si˂В,Mn˃-Sb турдаги структураларда кузатиладиган тензоэффект ҳодисаси физик механизмлари, изотроп деформация таъсирида сирт-барьер диод структураларда потенциал барьернинг ўзгариши ва унинг барик коэффициентини аниқлаш бўйича олинган натижалар «Transporte Mono-y Bipolar en Estructuras Semiconductoras»   хорижий  грант лойиҳасида яримўтказгичли структураларнинг вольт-ампер характеристикасига деформация таъсирини аниқлаш ва ток ўзгариши механизмини тушунтиришда фойдаланилган (Мексика Миллий тадқиқот институтининг 2018 йил 2 майдаги 6171-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш изотроп деформация таъсири натижасида сирт-барьерли структураларда юз берадиган физик жараёнларни тушунтириш имконини берган;

статик ва импульсли босимнинг сирт-барьер диод структуралар вольт-ампер характеристикасига таъсири, структура тўғри ва тескари токларининг босим туфайли  ўзгариши ва унинг кучланишга боғлиқлиги бўйича олинган натижалар ОТ-Ф2-077 рақамли «Яримўтказгичли пардаларда деформацион эффектлар динамикаси ва уларда юзага келувчи токларга электромагнит тўлқинларнинг таъсири» (2007-2011) грант лойиҳасида дефор-мациянинг яримўтказгичли структуралар фототок ва фотоэлектр юритувчи кучларига таъсирини аниқлашда қўлланилган (Ўзбекистон Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2018 йил 31 майдаги 89-03-2128-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш яримўтказгичли структураларда деформацион эффектлар фаза кўринишларини тузиш имконини берган;

Au-Si˂ Mn˃-Sb турдаги Шоттки барьерли структуралар асосида «FOTON» акционерлик жамиятида босимни кенг интервалида ўлчаш имконини яратувчи универсал тензоўзгартиргич ишлаб чиқилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2018 йил 14 июндаги 02-1330-сон маълумотномаси). Илмий натижалар саноатда ишлаб чиқарилаётган яримўтказгичли структуралар физик параметрларининг турли хил деформацияларга барқарорлигини ошириш имконини берган;

ҳар томонлама гидростатик босим шароитида яримўтказгичлар ва улар асосидаги структураларда тензоэффект ҳодисасини тадқиқ қиладиган универсал қурилма «FOTON» акционерлик жамиятида параметрлари яхшиланган тензоўзгартиргич ишлаб чиқаришда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2018 йил 14 июндаги 02-1330-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш яримўтказгич ва улар асосидаги структураларда ҳар томонлама босимда  тензоэффект ҳодисасини  тадқиқ қилиш имконини берган.