Ataubaeva Akkumis Berisbaevnaning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Yuqori quvvatli kremniyli lavinali-uchar diodlarning ko‘p qatlamli omik kontaktlarining kontakt qarshiligini shakllantirishning fizik asoslari”, 01.04.10 – «Yarim’otkazgichlar fizikasi».
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2024.2.DSc/FM271.
Ilmiy maslahatchi: Ismailov Kanatbay Abdreymovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor, kafedra mudiri.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Qoraqalpoq davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Fizika-texnika instituti, DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01.
Rasmiy opponentlar: Abduraxmanov Kaxxor Pattaxovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Tursunov Ikromjon Gulamjonovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Yodgorova Dilbara Mustafaevna, texnika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Urganch davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: kirishma atomlarining konsentratsiyasi  ~1020 sm-3 gacha bo‘lgan bor va fosforlarning diffuziyasi hisobiga yaratilgan p+ va n+ kremniy qatlamlariga ikki, uch va to‘rt qatlamli Au-Ti, Au-Ti-Pd, Au-Pt-Ti-Pd, Au-Ti-TiBx-Ti va Au-Ti-TiNx-Ti omik kontaktlarni hosil qilishning fizik asoslarini ishlab chiqishdan iborat..
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
fosforni ρ~7,5 Om·sm bo‘lgan n-Si asosga diffuziya yoki implantatsiya qilish natijasida hosil bo‘lgan n+–n-Si legirlash bosqichi bilan shakllangan Au-Ti–Pd2Si-n+-n-Si omik kontakt tizimida o‘lchov harorat ortishi bilan ortib boruvchi ρc solishtirma kontakt qarshiligi qiymatiga ega. Ikkala turdagi namunalarda ρc butun o‘lchangan harorat oralig‘ida kvadratikga yaqin qonun bo‘yicha ortib borishi ko‘rsatilgan;
Au-Ti–Pd2Si-n+-n-Si kontakt tizimida n+-qatlam va n-Si asos o‘rtasidagi ajratish chegarasida kam legirlangan sohada metall shuntlar bo‘yicha tokning anomal o‘tkazuvchanligi va to‘yintirilgan egilishni amalga oshirish o‘rtasidagi bog‘liqligi, shuningdek yuqori omik Si qatlamining yupqa kontakt oldi n-sohasining mavjudligining taxmini keltirilgan;
600 oC gacha bo‘lgan termik ishlovda omik kontaktlarning fizik-kimyoviy xususiyatlari va elektr parametrlari o‘zgarmagan holda, 1500C gacha qizdirilgan n+-Si asosda shakllangan Au-Ti-TiBx-Ti-n+-Si kontakt strukturasining kontakt qarshiligining past qiymati, metall-metall va metall-Si bo‘lim chegarasida o‘zaro ta'sirlarning yo'qligi bilan aniqlangan yuqori termal barqarorligi ko‘rsatilgan;
qizdirilgan n+-Si asosda shakllangan titan silisidi, TiBx diffuziya to‘sig'i va qo‘shimcha Ti qatlamiga ega kontakt tizimi asosga titan purkalganda silisid hosil bo‘lishi tufayli minimal kontakt qarshiligi ~2,110-6 Omsm2 qiymatiga erishadi va 400°C haroratda tezkor termal toblanish komponentlarning taqsimlash rejimlarini o‘zgartirmasdan omik kontaktlarning elektr xususiyatlariga deyarli ta’sir etmasligi ko‘rsatilgan;
titan boridi va titan nitridi asosidagi antidiffuziya qatlamiga ega kontakt tizimlarning solishtirma kontakt qarshiligi 600oC gacha bo‘lgan harorat oralig‘ida tez termik toblanish natijasida o‘zgarmasligi ko‘rsatilgan;
f=2,45 GGc chastotada ~1,5 Vt/sm2 nurlanish quvvatida termal toblanishsiz 2 sek davomida qisqa muddatli mikroto‘lqinli ishlov berish kontakt sohasidagi nuqsonlarni kamaytirishi evaziga Au-Ti-Pd2Si-n+-Si omik kontaktning kontakt qarshiligini kamayishiga olib kelishi o‘rnatilgan;
ilk bor notermal ishlov berish usuli kontakt qarshilikning o‘rtacha qiymatini kamaytirishga imkon berishi va tadqiq etilayotgan plastina yuzasi bo‘ylab qarshilikning bir jinsli taqsimlanishiga yordam berishi ko‘rsatilgan.
   IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniy diodli strukturalar uchun ko‘p qatlamli omik kontaktlarni shakllantirish bo‘yicha ilmiy tadqiqotlar natijalariga ko‘ra foydali model uchun 3 ta patent olindi: "n+-kremniyga ohmik kontaktni ishlab chiqarish uchun isitilmaydigan usul" (UA №101023 25.08.2015 Byul. №16), kremniy asosining yuzasini tozalash va qoshimcha 1-3 soniya davomida 2,45-24 GGc chastotada 1,5-7,5 Vt/sm2 quvvatga ega mikroto‘lqinli ishlov berishni amalga oshirish natijada Au-Ti-Pd2Si-n+-Si omik kontakt tizimi olindi; "Issiqlikka chidamli metall-Si kontakt tizimlarini ishlab chiqarish usuli" (UA № 106825 10.05.2016 Byul. №9), bu o‘z ichiga kremniy asosining sirtini tozalash, shuningdek, qalinligi 10-30 nm bo‘lgan titan kontakt hosil qiluvchi qatlamini magnetronli purkash usuli bilan issiqlikka bardoshli metall-Si kontakt tizimini yaratishga imkon beradi; "A3B5 tipidagi yarimo‘tkazgichli birikmalar uchun to‘siqli kontaktlarni ishlab chiqarish usuli" (UA №103551 25.12.2015 Byul. №24), natijada,  asos yuzasini tozalash, 450-550°C haroratda tezkor termal ishlov berish, shuningdek kontaktli qatlamlarni qalinligi 50÷200 nm bo‘lgan kvaziamorf TiBx plyonkasini ~0,4 A oqimda magnetronli purkash bilan shakllahtirish va qo‘shimcha mikroto‘lqinli ishlov berish A3B5 tipidagi yarimo‘tkazgichli birikmalar uchun to‘siqli kontakt olish imkonini beradi; shuningdek, “O‘ZELTEXSANOAT” aksiyadorlik jamiyatida yarimo‘tkazgichli epitaksial strukturalarlar va p-n o‘tkazgichli to‘g‘rilovchilarni ishlab chiqishda ham joriy qilingan (“O‘ZELTEXSANOAT” AJ 13.04.2024 yildagi 01-21-04/352-sonli ma’lumotnoma). Ilmiy natijalardan foydalanish qurilmalarning barqarorligi va ishonchliligini oshirish imkonini beruvchi erta degradatsiya jarayonlarining oldini olish imkonini bergan.