Бобоев Акрамжон Йўлдашбоевичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “ГаАс/Ге/ЗнСе ва ГаАс/Си/ЗнСе кўптаркибли тузилмаларида наноўлчамли объектларнинг шаклланиш жараёнлари”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2024.2. DSc/FM190
Илмий маслаҳатчи: Зайнабидинов Сиражидин Зайнабидинович, физика-математика фанлари доктори, академик
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти ва Андижон давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12
Расмий оппонентлар: Разиков Тахирджан Муталович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Арзикулов Эшкуват Улашевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Шарибаев Носир Юсупжанович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси У.А. Арифов номидаги Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади ГаАс/Ге/ЗнСе ва ГаАс/Си/ЗнСе кўптаркибли тузилмалар ўстиришнинг мақбул технологик шароитларини аниқлаш, бундай тузилмаларда наноўлчамли объектларнинг шаклланиш жараёнларини тавсифлаш, шунингдек, уларнинг олинган тузилмалар электрофизик ва оптик хусусиятларига таъсирини тадқиқ қилишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк маротаба таркибида қалай ёки висмут бўлган аралашма эритмадан турли нанокиришмали (ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й ва (Ге)1-х-й(ГаАс)х(ЗнСе)й қаттиқ қоришмалари ўстирилган;
илк маротаба суюқ фазали эпитакция усули ёрдамида ўстирилган наноўлчамли тузилмалар шаклланиш жараёнлари ва уларнинг ўзига хос жиҳатлари экспериментал тадқиқотлар асосида аниқланган;
олинган (ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й қаттиқ қоришмалар сфалерит тузилишга эга бўлиб, кристаллографик ориентацияси (100) ва панжара доимийси ~ 0,5663 нм бўлган монокристалл эканлиги рентгенотузилмавий тадқиқот натижалари асосида аниқланган;
(ГаАс)1-х-й(Ге2)х(ЗнСе)й қаттиқ қоришмалар субкристаллитларининг бўлиниш чегаралари ҳамда сиртий соҳаларида Ге атомлари ва ЗнСе молекулалари ўз-ўзидан мос равишда 44 нм ва 59 нм ўлчамдаги нанообъектлар (квант ўралар ҳамда квант нуқталар)ни шакллантириши тузилмавий ҳамда морфологик тадқиқот натижалари асосида аниқланган;
таркибида висмут бўлган аралашма-эритмадан ўстирилган қаттиқ қоришмаларнинг тузилмавий барқарорлиги 17% га ортиши ва уларнинг сиртий соҳаларида 30÷40 нм ўлчамдаги ГаАс1–δБиδ конуссимон нанообъектлари (квант ўрлари) нинг шаклланиши рентгенотузилмавий тадқиқот натижаларининг қиёсий таҳлиллари асосида аниқланган;
н-ГаАс–п-(ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й тузилмаларида Ге атомлари ва ГаАс1–δБиδ бирикмаларига тегишли нанообъектларнинг мавжудлиги туфайли улардан ток ўтишининг тўғри йўналишида заряд ташувчиларнинг дрейф механизми намоён бўлиши аниқланган;
ГаАс/Ге/ЗнСе ва ГаАс/Си/ЗнСе кўптаркибли тузилмаларида Ге, Си, ГаАс ва ЗнСе атомлари асосида шаклланган турли хил нанообъектлар селлектив фотосезгирликни намоён этиши тадқиқот намуналаридан ўтаётган фототокнинг нисбий қийматлари асосида аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. ГаАс/Ге/ЗнСе ва ГаАс/Си/ЗнСе кўптаркибли тузилмалар ўстиришнинг мақбул технологик шароитларини аниқлаш, бундай тузилмаларда наноўлчамли объектларнинг шаклланиш жараёнларини, шунингдек, уларни олинган тузилмаларнинг электрофизик ва оптик хусусиятларига таъсирини тадқиқ қилиш асосида:
жуфтлашган Ге2 атомлари юпқа парданинг асосий панжарасининг нуқсонга мойил соҳаларида ЗнСе молекулалари билан қисман алмашиниши ва қолган атомлар эса субкристаллитларнинг бўлиниш чегараларида панжара доимийси аГе = 0.5659 нм ҳамда ўлчамлари 47 нм бўлган германий нанокристалларини шакллантриши, шунингдек, ГаАс1–δБиδ бирикмаси эса пленканинг сиртий соҳаларида нанокиришмаларни, яъни 43 нм ўлчамли квант ўраларни шакллантириши каби тадқиқот мобайнида олинган илмий натижалардан Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Ядро физикаси институтининг Ф2-ФА-Ф120 рақамли “Кичик ўлчамли юқори ҳароратли ўтаўтказгичлар, яримўтказгичли гетероструктуралар, металл ва уларнинг оксидларининг электрон хоссалари ва радиациявий такомиллаштирилиш” (2012-2016) мавзусидаги лойиҳада фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясининг 2024-йил 29-майдаги 2/1255-1177 рақамли маълумотномаси). Илмий тадқиқот натижаларидан фойдаланиш тайёрланаётган гетеротузилмаларнинг ёруғлик ва ҳароратга сезгир бўлган ноёб хусусиятларини яхшилашга имкон берган;
н-ГаАс–п-(ГаАс1-δБиδ)1-х-й(Ге2)х(ЗнСе)й гетеротузилма фотосезгирлик спектрида 1.61, 1.97 ва 2.63 эВ фотон энергияларида юқори фоточўққиларни аниқлаш усулидан, шунингдек, (Ге)1-х-й(ГаАс)х(ЗнСе)й қаттиқ қоришмаларнинг мос молекулаларини ионланиш энергияси турли қийматларга эга бўлган ГаАс, Ге, ЗнСе ташкилловчилари туфайли танланма фотосезгирликка эга эканлигидан «ФОТОН» АЖда яримўтказгичли электрон қурилмалар ишлаб чиқаришда фойдаланилган (“Узелтехсаноат” акциядорлик компаниясининг 2024-йил 16-июлдаги 04-3/1168 рақамли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш “Фотон” АЖда ишлаб чиқарилаётган электрон асбобларнинг функсионал имкониятларини кенгайтириш имконини берган;
турли нанокиришмали кўптаркибли (ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й ва (Ге)1-х-й(ГаАс)х(ЗнСе)й қаттиқ қоришмалари висмут ҳосил қилувчи аралашма эритмадан ўстиришнинг мақбул технологик шароитлари бўйича илмий-техник тавсияларидан ва нанообъектларнинг геометрик шакллари ва ўлчамлари ҳамда уларнинг шаклланиш механизмларини аниқлаш усулларидан Германия Миллий Фанлар Академияси Физика институтида “А&А Аусбилдунг унд Арбеит Плус ГмбҲ” илмий-техника лойиҳасида фойдаланилган (Германия Миллий Фанлар Академияси Физика институтининг 2022-йил 9-сентябрдаги 229-28207 рақамли маълумотномаси). Тадқиқот натижаларининг қўлланилиши п-н тузилмаларида киришмавий фотоелектрик эффектининг самарадорлигини оширишга имкон берган.
