Boboev Akramjon Yo‘ldashboevichning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.  
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “GaAs/Ge/ZnSe va GaAs/Si/ZnSe ko‘ptarkibli tuzilmalarida  nanoo‘lchamli ob’ektlarning shakllanish jarayonlari”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2024.2. DSc/FM190
Ilmiy maslahatchi: Zaynabidinov Sirajidin Zaynabidinovich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti va Andijon davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Razikov Taxirdjan Mutalovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Arzikulov Eshkuvat Ulashevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Sharibaev Nosir Yusupjanovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi U.A. Arifov nomidagi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi GaAs/Ge/ZnSe va GaAs/Si/ZnSe ko‘ptarkibli tuzilmalar o‘stirishning maqbul texnologik sharoitlarini aniqlash, bunday tuzilmalarda nanoo‘lchamli ob’ektlarning shakllanish jarayonlarini tavsiflash, shuningdek, ularning olingan tuzilmalar elektrofizik va optik xususiyatlariga ta’sirini tadqiq qilishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk marotaba tarkibida qalay yoki vismut bo‘lgan aralashma eritmadan turli nanokirishmali (ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y va (Ge)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y qattiq qorishmalari o‘stirilgan;
ilk marotaba suyuq fazali epitaksiya usuli yordamida o‘stirilgan nanoo‘lchamli tuzilmalar shakllanish jarayonlari va ularning o‘ziga xos jihatlari eksperimental tadqiqotlar asosida aniqlangan;
olingan (ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y qattiq qorishmalar sfalerit tuzilishga ega bo‘lib, kristallografik orientatsiyasi (100) va panjara doimiysi ~ 0,5663 nm bo‘lgan monokristall ekanligi rentgenotuzilmaviy tadqiqot natijalari asosida aniqlangan;
 (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y qattiq qorishmalar subkristallitlarining bo‘linish chegaralari hamda sirtiy sohalarida Ge atomlari va ZnSe molekulalari o‘z-o‘zidan mos ravishda 44 nm va 59 nm o‘lchamdagi nanoob’ektlar (kvant o‘ralar hamda kvant nuqtalar)ni shakllantirishi tuzilmaviy hamda morfologik tadqiqot natijalari asosida aniqlangan;
tarkibida vismut bo‘lgan aralashma-eritmadan o‘stirilgan qattiq qorishmalarning tuzilmaviy barqarorligi 17% ga ortishi va ularning sirtiy sohalarida 30÷40 nm o‘lchamdagi GaAs1–δBiδ konussimon nanoob’ektlari (kvant o‘rlari) ning shakllanishi rentgenotuzilmaviy tadqiqot natijalarining qiyosiy tahlillari asosida aniqlangan;
n-GaAs–p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y tuzilmalarida Ge atomlari va GaAs1–δBiδ birikmalariga tegishli nanoob’ektlarning mavjudligi tufayli ulardan tok o‘tishining to‘g‘ri yo‘nalishida zaryad tashuvchilarning dreyf mexanizmi namoyon bo‘lishi aniqlangan;
GaAs/Ge/ZnSe va GaAs/Si/ZnSe ko‘ptarkibli tuzilmalarida Ge, Si, GaAs va ZnSe atomlari asosida shakllangan turli xil nanoob’ektlar sellektiv fotosezgirlikni namoyon etishi tadqiqot namunalaridan o‘tayotgan fototokning nisbiy qiymatlari asosida aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. GaAs/Ge/ZnSe va GaAs/Si/ZnSe ko‘ptarkibli tuzilmalar o‘stirishning maqbul texnologik sharoitlarini aniqlash, bunday tuzilmalarda nanoo‘lchamli ob’ektlarning shakllanish jarayonlarini, shuningdek, ularni olingan tuzilmalarning elektrofizik va optik xususiyatlariga ta’sirini tadqiq qilish asosida:
juftlashgan Ge2 atomlari yupqa pardaning asosiy panjarasining nuqsonga moyil sohalarida ZnSe molekulalari bilan qisman almashinishi va qolgan atomlar esa subkristallitlarning bo‘linish chegaralarida panjara doimiysi aGe = 0.5659 nm hamda o‘lchamlari 47 nm bo‘lgan germaniy nanokristallarini shakllantrishi, shuningdek, GaAs1–δBiδ birikmasi esa plenkaning sirtiy sohalarida nanokirishmalarni, ya’ni 43 nm o‘lchamli kvant o‘ralarni shakllantirishi kabi tadqiqot mobaynida olingan ilmiy natijalardan O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Yadro fizikasi institutining F2-FA-F120 raqamli “Kichik o‘lchamli yuqori haroratli o‘tao‘tkazgichlar, yarimo‘tkazgichli geterostrukturalar, metall va ularning oksidlarining elektron xossalari va radiatsiyaviy takomillashtirilish” (2012-2016) mavzusidagi loyihada foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasining 2024-yil 29-maydagi 2/1255-1177 raqamli ma’lumotnomasi). Ilmiy tadqiqot natijalaridan foydalanish tayyorlanayotgan geterotuzilmalarning yorug‘lik va haroratga sezgir bo‘lgan noyob xususiyatlarini yaxshilashga imkon bergan;
n-GaAs–p-(GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilma fotosezgirlik spektrida 1.61, 1.97 va  2.63 eV foton energiyalarida yuqori fotocho‘qqilarni aniqlash usulidan, shuningdek, (Ge)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y qattiq qorishmalarning mos molekulalarini ionlanish energiyasi turli qiymatlarga ega bo‘lgan GaAs, Ge, ZnSe tashkillovchilari tufayli tanlanma fotosezgirlikka ega ekanligidan «FOTON» AJda yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalar ishlab chiqarishda foydalanilgan (“Uzeltexsanoat” aksiyadorlik kompaniyasining 2024-yil 16-iyuldagi 04-3/1168 raqamli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish “Foton” AJda ishlab chiqarilayotgan elektron asboblarning funksional imkoniyatlarini kengaytirish imkonini bergan;
turli nanokirishmali ko‘ptarkibli (ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y va (Ge)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y qattiq qorishmalari vismut hosil qiluvchi aralashma eritmadan o‘stirishning maqbul texnologik sharoitlari bo‘yicha ilmiy-texnik tavsiyalaridan va nanoob’ektlarning geometrik shakllari va o‘lchamlari hamda ularning shakllanish mexanizmlarini aniqlash usullaridan Germaniya Milliy Fanlar Akademiyasi Fizika institutida “A&A Ausbildung und Arbeit Plus GmbH” ilmiy-texnika loyihasida foydalanilgan (Germaniya Milliy Fanlar Akademiyasi Fizika institutining 2022-yil 9-sentyabrdagi 229-28207 raqamli ma’lumotnomasi). Tadqiqot natijalarining qo‘llanilishi p-n tuzilmalarida kirishmaviy fotoelektrik effektining samaradorligini oshirishga imkon bergan.