Abduvoxidov Murodjon Komilovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kremniy asosli p-n strukturalarning fotoelektrik samaradorligini oshirishning konstruksion va texnologik echimlari» 01.04.10   «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (texnika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.4.PhD/T4072
Ilmiy rahbar: Aliev Rayimjon, texnika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Nabiev Maxmud Bazarovich, texnika fanlari nomzodi, dotsent, Nasriddinov Sayfillo Saidovich, texnika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Toshkent axborot texnologiyalari universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi kremniy asosli p-n-strukturalarning fotoelektrik xarakteristikalarini yaxshilashning va ularning samaradorligini oshirishning konstruksion va texnologik echimlarini ishlab chiqishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor zamonaviy “Sentaurus TCAD” raqamli uskunaviy-texnologik platforma asosida yarimo‘tkazgichda zaryad ko‘chish jarayonlarining “Drift”, “Thermodynamic”, “Hydrodynamic” va “Monte Carlo” modellarini qo‘llab turli konstruksion tuzilishdagi, ya’ni bir va ikki tomonlama yoritiluvchi, teksturali, sirti optik qatlamli, emitteri orqa yuzada shakllantirilgan va p-n-o‘tish fronti tekis va notekis bo‘lgan kremniy quyosh elementlarini modellashtirishning yuqori tezkorlikka va aniqlikka ega, ko‘p funksiyali, umumlashgan algoritmlari hamda ularni fotovoltaik ilmiy tadqiqotlarda va quyosh elementlarini ishlab chiqarish texnologik amaliyotiga joriy etish uslubiyoti ishlab chiqilgan;
 “Sentaurus Structure Editor” “Tool Command Language”, “Sentaurus Device”, “Sentaurus Visual” va “Sentaurus Workbench” instrumentlaridan foydalangan holda, ko‘p qadamli meshlash usulini qo‘llash orqali, turli boshlang‘ich fizik-texnologik va geometrik-konstruksiyaviy parametrlarga ega kremniy p-n-strukturalarning sirt va hajmida kuzatiladigan zaryad ko‘chish va rekombinatsiya jarayonlarini hamda elektrostatik maydon potensiallari visual taqsimotini hisoblash aniqligini deyarli ikki barobar oshirishga erishilgan;
 kremniy asosli p-n-strukturalarning asosiy fotoelektrik parametrlarining baza qalinligiga va sirt elektrodlari zichligiga bog‘liqligining maqbul qiymatlari, ya’ni baza qalinligi va frontal kontaktlar yo‘laklarining sirt bo‘ylab taqsimoti mos ravishda 257 mkm va 1470 mkm ekanligi aniqlangan hamda nomuvozanatli zaryad tashuvchilar erkin yugurish yo‘lining cheklanganligi, yohud rekombinatsiya jarayoni ta’sirining o‘zgarishi bilan asoslangan;
ilk bor p-n-o‘tish va metall kontaktlari bazaning orqa tomonida shakllantirilgan kremniy asosli ikki tomonlama yoritiluvchi quyosh elementlarining tajribaga mos tushuvchi asosiy fotoelektrik xarakteristikalari raqamli modellashtirish orqali aniqlangan;
ilk bor kremniy asosli p-n-strukturaning emitter sohasiga yaqin baza qatlamiga diametri 5 nm bo‘lgan sfera shaklidagi metall nanozarrachalarni kiritish orqali nanoplazmonika effektiga erishilgan, ya’ni lokal elektromagnit to‘lqinlar rezonansining hosil bo‘lish mexanizmi asosida optik spektrning ultrabinafsha sohasida 2-5 barobar yuqori fotosezgirlikka erishilgan hamda uning asosida ultrabinafsha nur detektorlari yaratish taklif etilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniy asosli p-n o‘tishli turli strukturalarga ega quyosh elementlarining modellashtirish orqali tadqiq qilish bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
 ultrabinafsha nurlanish spektrida yuqori sezgirlikka ega yangi “Ultrabinafsha nurlanish detektori” konstruksiyasi ishlab chiqilgan va patent olingan (FAP №01802, 2020 yil 27 yanvar). Ishlab chiqilgan kremniy asosli yangi ultrabinafsha nurlanish detektori analoglariga nisbatan optik spektrning 150-350 nm sohasida 2-5 barobar yuqori fotosezgirlikka erishish imkonini bergan.
raqamli hisoblash usullari va bajarilgan tajribalar bo‘yicha olingan ma’lumotlar, xususan, kremniy asosli p-n o‘tishli an’anaviy quyosh elementlarida kontaktlar orasidagi masofaning asosiy fotoelektrik parametrlarga ta’siri “FOTON” AJda maqbullashtirilgan parametrlarga ega bo‘lgan fotoelektrik qurilmalarni ishlab chiqarishda qo‘llanilgan («O‘zeltexsanoat»ning 2022-yil 24-yanvardagi 04-3/104-son ma’lumotnomasi). Natijada bir va ko‘p tomonlama sezgir kremniyli gorizontal va vertikal p-n o‘tishli fotoelektrik strukturalar hamda mikroenergetik qurilmalarni raqamli modelini ishlab chiqish imkonini bergan.