Абдувохидов Муроджон Комиловичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремний асосли p-n структураларнинг фотоелектрик самарадорлигини оширишнинг конструкцион ва технологик ечимлари» 01.04.10   «Яримўтказгичлар физикаси» ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2023.4.PhD/Т4072
Илмий раҳбар: Алиев Райимжон, техника фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган муҳандислик-технология институти, PhD.03/30.11.2022.ФМ/Т.66.04.
Расмий оппонентлар: Набиев Махмуд Базарович, техника фанлари номзоди, доцент, Насриддинов Сайфилло Саидович, техника фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Тошкент ахборот технологиялари университети.    
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади кремний асосли p-n-структураларнинг фотоелектрик характеристикаларини яхшилашнинг ва уларнинг самарадорлигини оширишнинг конструкцион ва технологик ечимларини ишлаб чиқишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор замонавий “Sentaurus TCAD” рақамли ускунавий-технологик платформа асосида яримўтказгичда заряд кўчиш жараёнларининг “Drift”, “Thermodynamic”, “Hydrodynamic” ва “Monte Carlo” моделларини қўллаб турли конструкцион тузилишдаги, яъни бир ва икки томонлама ёритилувчи, текстурали, сирти оптик қатламли, эмиттери орқа юзада шакллантирилган ва п-н-ўтиш фронти текис ва нотекис бўлган кремний қуёш элементларини моделлаштиришнинг юқори тезкорликка ва аниқликка эга, кўп функсияли, умумлашган алгоритмлари ҳамда уларни фотоволтаик илмий тадқиқотларда ва қуёш элементларини ишлаб чиқариш технологик амалиётига жорий этиш услубиёти ишлаб чиқилган;
 “Sentaurus Structure Editor” “Tool Command Language”, “Sentaurus Device”, “Sentaurus Visual” ва “Sentaurus Workbench” инструментларидан фойдаланган ҳолда, кўп қадамли мешлаш усулини қўллаш орқали, турли бошланғич физик-технологик ва геометрик-конструкциявий параметрларга эга кремний п-н-структураларнинг сирт ва ҳажмида кузатиладиган заряд кўчиш ва рекомбинация жараёнларини ҳамда электростатик майдон потенсиаллари висуал тақсимотини ҳисоблаш аниқлигини деярли икки баробар оширишга эришилган;
 кремний асосли p-n-структураларнинг асосий фотоелектрик параметрларининг база қалинлигига ва сирт электродлари зичлигига боғлиқлигининг мақбул қийматлари, яъни база қалинлиги ва фронтал контактлар йўлакларининг сирт бўйлаб тақсимоти мос равишда 257 мкм ва 1470 мкм эканлиги аниқланган ҳамда номувозанатли заряд ташувчилар эркин югуриш йўлининг чекланганлиги, ёҳуд рекомбинация жараёни таъсирининг ўзгариши билан асосланган;
илк бор p-n-ўтиш ва металл контактлари базанинг орқа томонида шакллантирилган кремний асосли икки томонлама ёритилувчи қуёш элементларининг тажрибага мос тушувчи асосий фотоелектрик характеристикалари рақамли моделлаштириш орқали аниқланган;
илк бор кремний асосли p-n-структуранинг эмиттер соҳасига яқин база қатламига диаметри 5 нм бўлган сфера шаклидаги металл нанозаррачаларни киритиш орқали наноплазмоника эффектига эришилган, яъни локал электромагнит тўлқинлар резонансининг ҳосил бўлиш механизми асосида оптик спектрнинг ултрабинафша соҳасида 2-5 баробар юқори фотосезгирликка эришилган ҳамда унинг асосида ултрабинафша нур детекторлари яратиш таклиф этилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Кремний асосли p-n ўтишли турли структураларга эга қуёш элементларининг моделлаштириш орқали тадқиқ қилиш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
 ултрабинафша нурланиш спектрида юқори сезгирликка эга янги “Ултрабинафша нурланиш детектори” конструкцияси ишлаб чиқилган ва патент олинган (ФАП №01802, 2020 йил 27 январ). Ишлаб чиқилган кремний асосли янги ултрабинафша нурланиш детектори аналогларига нисбатан оптик спектрнинг 150-350 нм соҳасида 2-5 баробар юқори фотосезгирликка эришиш имконини берган.
рақамли ҳисоблаш усуллари ва бажарилган тажрибалар бўйича олинган маълумотлар, хусусан, кремний асосли p-n ўтишли анъанавий қуёш элементларида контактлар орасидаги масофанинг асосий фотоелектрик параметрларга таъсири “ФОТОН” АЖда мақбуллаштирилган параметрларга эга бўлган фотоелектрик қурилмаларни ишлаб чиқаришда қўлланилган («Ўзелтехсаноат»нинг 2022-йил 24-январдаги 04-3/104-сон маълумотномаси). Натижада бир ва кўп томонлама сезгир кремнийли горизонтал ва вертикал p-n ўтишли фотоелектрик структуралар ҳамда микроенергетик қурилмаларни рақамли моделини ишлаб чиқиш имконини берган.