Мавлонов Абдурашид Абдуваҳобовичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Тақдимнома иши мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Cу(Ин,Га)Се2 ва Сб2Се3 асосидаги юпқа қатламли қуёш элементларини тайёрлаш ва физик хоссаларини ўрганиш”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Тақдимнома мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2023.4.DSc/FM249
Илмий маслаҳатчи: Разиков Тахирджон Муталович, физика-математика  фанлари  доктори,  профессор.
Тадқиқот бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар академияси Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Физика-техника институти, DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01
Тадқиқот йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади  Cу(Ин,Га)Се2 ва Сб2Се3 асосидаги юпқа қатламли қуёш элементларини олиш ва физик ҳоссаларини тадқиқ қилишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк марта вакуум ва вакуумсиз муҳитда олинган Сб2Се3 юпқа қатламларининг физик хоссалари орасидаги боғлиқлик, яни тагликнинг паст Т≥300°C ҳароратларида олинган Сб2Се3 қатламлари поликристал структурали (ҳкл, л ≠ 0)  кристал йўналишда таглик юзасига перпендикуляр ўсиши, стехиометрик таркибда ёки Се га бой бўлиши, элементларнинг юза бўйича тенг тақсимланиши, тақиқланган зона кенглиги (Эг = 1.12 эВ) ва солиштирма қаршилиги 104 ÷ 106 Ом⸳﮳﮳см бўлиши аниқланган;
вакуум муҳитда тагликнинг Т=250°C ҳароратида, Аргон газини 2-3 Па босимида ва  2:3 ат.%, 1:4 ат.% Сб:Се нисбатли манбалардан олинган Сб2Се3 қатламларида нафақат (ҳкл, л ≠ 0), балким (ҳкл, л = 0) чўққиларнинг интенсивлиги нисбатан юқори бўлиши, шунингдек, 1:3 ат.% Сб:Се нисбатли манбадан олинган Сб2Се3 қатламлари (ҳкл, л ≠ 0)  кристал йўналишда таглик юзасига перпендикуляр ўсиши рентген структуравий таҳлил усулида аниқланган;
вакуум муҳитда Сб2Се3 юпқа қатламларини 300°C дан юқори бўлган ҳароратда олиш намунадаги “Се” элементини камайишига сабаб бўлиши энергия дисперсли рентген спектроскопияси усулида аниқланган;
вакуумсиз муҳитда олинган Сб2Се3 юпқа қатламларини рентген нурлари дифракцияси, сканерловчи электрон микроскопияси, Холл ва эллипсометрия усуллари ёрдамида тадқиқ қилиш натижалари асосида самарадорлиги юқори бўлган қуёш элементлари талабларига мос ҳолда тайёрлашнинг оптимал технологик режимлари ишлаб чиқилган;
илк марта Cу(Ин,Га)Се2 асосидаги юпқа қатламли қуёш элементларини икки юзали  ҳолатда ўтказиш усулини қўллаш орқали уларнинг самарадорлигини ортиши кўрсатиб берилган;
илк марта икки юзали қуёш элементини кўп қатламли структурада қўллаш энергия йўқолишини сезиларли даражада пасайишини ва тандем қуёш элементининг самарадорлиги 62% гача ортиши кўрсатилиб берилган.
IV. Тадқиқот натижаларини жорий қилиниши.
Cу(Ин,Га)Се2 ва Сб2Се3 юпқа қатламлари ва улар асосидаги қуёш элементларини ривожлантириш бўйича бажарилган илмий натижалар хорижий тадқиқотчиларнинг ишларида, яни юпқа қатламли қуёш элементларини физик хоссаларини тушунтириш ва самарадорлигини оширишда ишлатилган. Тадқиқотнинг Илмий ишларига “Wеб оф Сcиенcе” ва “Сcопус” базаларида берилган иқтибосликлар рўйхати 1000 дан ортиқ бўлиб (2023-йил октябр ҳолати), шулардан бир қисми қуйида келтирилган:
Турли таркибли Сб2Се3 юпқа қатламларнинг морфологик, структуравий, оптик ва электр хусусиятларини ўрганиш асосида олинган натижалар Сб2Се3 қатламларининг параметрларини оптималлаштиришга хизмат қилган. Бу натижалар хорижий журналларда сурма селенид қатламлари ва улар асосидаги қуёш элементларининг электр ва оптик хусусиятларини ўрганишга бағишланган қуйидаги тадқиқотларда қўлланилган: (Солар Энергй Материалс анд Солар Cеллс. Импаcт Фаcтор: 7,267. Вол. 200, 15 Септембер 2019, 109945; Солар Энергй, Импаcт Фаcтор: 5,95. Вол. 187, 15 Жулй 2019, ПаГЭС 404-410; Солар Энергй, Импаcт Фаcтор: 5,95. Вол. 188, Аугуст 2019, ПаГЭС 586-592). Олинган илмий натижалар қатлам тайёрлашдаги илмий-техник ва технологик жараёнларда қўлланилиши натижасида Сб2Се3 қатламининг морфологияси ва тузилмасини яхшилаш имконини берган. Бунинг натижасида Сб2Се3 асосида 5,6 % самарадорликли юпқа қатламли қуёш элементи яратилган.
Cу(Ин,Га)Се2/ИТО юзасида вужудга келиши кузатилган контакт қаршилиги ва электр потенсиалини мавжудлиги бошқа турдаги яримўтказгич материаллари асосидаги қуёш элементларида ҳам тушунтириб бериш имконини берган. Хусусан, Сб2Се3/Фе2О4(ФеС) юзасини ривожлантиришда қўлланилган (Солар Энергй, Импаcт Фаcтор: 6,7. Вол. 249, 1 Жануарй 2023, ПаГЭС 414-423). Бундан ташқари, ярим-шаффоф оптик ҳусусиятга эга Cу(Ин,Га)Се2/ИТО асосидаги қуёш элементларини ривожлантириш ва уларни чидамлилигини оширишда фойдаланилган (Солар РРЛ, Импаcт Фаcтор: 8,31. Вол. 6, 17 Фебруарй 2022, 2101071). Шунингдек, п-типдаги CЗТССе асосидаги қуёш элементларини самарадорлигини оширишда фойдаланилган (Жоурнал оф Материалс Сcиенcе: Материалс ин Элеcтрониcс, Импаcт Фаcтор: 2,48. Вол. 32, 7 Аугуст 2021, ПаГЭС 22535-22547). Кенг тақиқланган энергияга эга қуёш элементларида ИТО дан фойдаланиш мумкинлигини аниқлашда фойдаланилган (Солар РРЛ, Импаcт Фаcтор: 8,31. Вол. 6, 18 Май 2022, 2200401). Энг муҳими, кимёвий усулда тайёрланган усулда ҳам Cу(Ин,Га)Се2/ИТО юзасидан фойдаланган ҳолда ҳам самарали қуёш элементи олиш мумкинлигини аниқланишига асос бўлган (Адванcед Материалс Интерфаcес, Импаcт Фаcтор: 6,39. Вол. 10, 1 Септембер 2023, 2300566).
Cу(Ин,Га)Се2/Мо юзасида вужудга келувчи МоСе2 қатламига бағишланган илмий тадқиқот натижалари қуёш элементидаги Воc ни 100 мВ га оширишга, орқа юзада вужудга келган сиғим қаршилигини пасайтиришда, ва паст ҳароратларда самарали қуёш элементларини тайёрлашда фойдаланилган (Натуре Энергй, Импаcт Фаcтор: 27,05. Вол. 8, 21 Новембер 2022, ПаГЭС 40-51; Адванcед Фунcтионал Материалс, Импаcт Фаcтор: 19,41. Вол. 33, 20 Жулй 2023, 2303188; Прогресс ин Пҳотоволтаиcс: Ресеарч анд Апплиcатионс, Импаcт Фаcтор: 8,05. Вол. 30, 21 Оcтобер 2021, ПаГЭС 191-202). Бундан ташқари Сб2С3 қуёш элементларида ҳам Мо таглигидан фойдаланиш учун қўлланилган (Адванcед Сcиенcе, Импаcт Фаcтор: 17,52. Вол. 10, 5 Септембер 2023, 2303414).