Исаков Бобир Олимжоновичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I.Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Кремний сиртида ва сирт олди қатламида (Си)1-х(ГаСб)х тузилмаларни ҳосил қилиш ва уларни кремнийнинг оптик хоссаларига такжъсири”, 01.04.07–“Конденсирланган ҳолат физикаси”(физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2023.4.PhD/FM732
Илмий раҳбар: Илиев Халмурат Миджитович, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: “Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника институти”.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, PhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Расмий оппонентлар: Нуриддинов Иззатилло, физика-математика фанлари доктори, профессор; Раджапов Сали Аширович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Самарқанд давлат университети
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Кремний сиртида ва сирт олди қатламида (Си)1-х(ГаСб)х қаттиқ қоришмали тузилмаларни ҳосил қилиш ва уларни кремнийнинг оптик хоссаларига таъсирини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кремний сиртида ва сирт олди қатламида (Си)1-х(ГаСб)х қаттиқ қоришмали тузилмаларни ҳосил бўлишининг мақбул термодинамик шароитлари аниқланган;
илк бор диффузия усули ёрдамида, Га ва Сб киришма атомлари иштирокида кремний сиртида ва сирт олди қатламида (Си)1-х(ГаСб)х қаттиқ қоришмали тузилмаларни ҳосил бўлиши тажрибада аниқланган;
кремний сиртида ва сирт олди қатламида ҳосил бўлган (Си)1-х(ГаСб)х қаттиқ қоришмали янги тузилма Си–0.44 ва (ГаСб)–0.56 улушга (яъни Си0.44(ГаСб)0.56) эга эканлиги аниқланган;
Си0.44(ГаСб)0.56 қаттиқ қоришмали тузилманинг кристалл панжара параметрлари, миллер индекси (111) йўналишда, кристалл панжара доимийси  Å кремнийнинг кристалл панжара доимийси (5,43 Å)дан ~4,4% катта эканлиги аниқланган;
Си0.44(ГаСб)0.56 қаттиқ қоришмали тузилмани тақиқланган соҳа энергияси  , кремнийнинг тақиқланган соҳа энергиясидан 20% кичик эканлиги оптик усулда аниқланган;
диффузия усулида Га ва Сб киришма атомлари билан легирланган кремнийнинг фотоелектрик сезгирлиги ёруғлик нурининг инфрақизил соҳаси томонга силжиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Мазкур диссертация ишининг илмий тадқиқот натижларидан фойдаланиш қуйидагиларга имкон берган:
“Кремний сиртида ва сирт олди қатламида (Си)1-х(ГаСб)х қаттиқ қоришмали тузилмаларни ҳосил қилиш ва уларни кремнийнинг оптик хоссасига таъсири” мавзусидаги диссертация ишини «ФОТОН» акстиядорлик жамияти кўриб чиқди (“Ўзелтехсаноат” уюшмасининг 2023 йил 07 декабрдаги 04-3/1703 сонли маълумотномаси асосида). Диссертация ишини бажаришда яратилган технология ва олинган илмий янгиликлар “ФОТОН” АЖ (2023 йил 04 декабрдаги 234-сонли маълумотномаси асосида) ишлаб чиқаришга жорий этилган.
Таркибида (Си)1-х(ГаСб)х қаттиқ қоришмали тузилмалар мавжуд кремнийдан ясалган транзисторларнинг, ишлаш тезлиги таркибида (Си)1-х(ГаСб)х қаттиқ қотишмали тузилмалар мавжуд бўлмаган кремнийга нисбатан тезкорлиги 1,5 маротабага ошишига олиб келди.
Таркибида (Си)1-х(ГаСб)х қаттиқ қоришмали тузилмалар мавжуд кремний асосида ясалган қуёш элементининг самадорлигини бошланғичига нисбатан 3,7 % гача оширишга олиб келди.
Киришма атомларини кремнийдаги тақсимотини МатҳCад дастури ёрдамида яратилган математик моделидан Қарши давлат университетида 2019-2021 йилларда бажарилган “Қарши давлат университети ва Қашқадарё вилоятидаги ишлаб чиқариш корхоналари ўртасида талабаларни ўқитиш сифатини яхшилашга қаратилган муносабатларни мустаҳкамлаш” мавзусидаги лойиҳани бажариш доирасида, фойдаланилган.