Tursınbaev Sabırbay Awesbay ulı
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Marganes kirishmalariga ega kremniyning elektrofizik xususiyatlariga bir o‘qli bosim ta’siri”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.2.PhD/FM287
Ilmiy rahbar: Kamalov Amangeldi Bazarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Nukus davlat pedagogika instituti va O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Dadamirzaev Muxammadjon Gulomqodirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Pulatova Dilaram Sobitovna, fizika-matematika fanlari nomzodi.
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi marganes kirishmasi kiritilgan kremniyning
(p–Si<B,Mn>) elektrofizik xususiyatlarini bir o‘qli nuqtaviy radial bosim ta’sirida o‘rganish va p–Si<B,Mn> asosida sezgir tenzodatchiklar yaratishning texnologik jarayonini ishlab chiqishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
tok tashuvchilarining konsentratsiyasi n=1.14·1011÷2.39·1013 cm-3 va solishtirma qarshiligi ρ=7.92·102÷1.53·105 Om·cm bo‘lgan tenzosezgir p–Si<B,Mn> namunalarni yaratishning texnologik rejimi ishlab chiqilgan;
ilk bor T=1060 °C haroratda legirlangan p–Si<B,Mn> namunalarning solishtirma qarshiligi, 5·105÷3·106 Pa oraliqdagi bosim (P) ta’sirida 3 barobar ortishi va dastlabki kremniy namunalarida esa sezilarli o‘zgarmasligi aniqlangan;
doimiy bir o‘qli nuqtali radial bosim P=5.16·105÷7.74·107 Pa va T=30÷75 °C ta’sirida p–Si<B,Mn> namunalarida deformatsiya sezuvchanligi (α) dastlabki namunalarga nisbatan 15 marta ortishi aniqlangan;
ilk bor bir o‘qli nuqtali radial bosim P=4,14·106÷2,76·108 Pa va
I=1800÷4600 lyuks yorug‘lik ta’sirida bo‘lgan p–Si<B,Mn> namunalarning tenzosezgirlik qiymati 2÷3 barobar ortishi aniqlangan;
p–Si<B,Mn> namunalarga 1÷15 V/cm diapazondagi tashqi elektr maydoni (E) ta’sir qilganda ularning deformatsiya sezuvchanligi dastlabki namunalarga nisbatan taxminan 3 marta oshishi aniqlangan;
bir o‘qli nuqtaviy radial bosim (106÷109 Pa), yorug‘lik (1÷50000 lyuks), harorat (1÷150 °C) va elektr maydoni (1÷15 V/cm) ta’sirida bo‘lgan o‘ta kompensatsiyalangan kremniyning tenzosezuvchanligini o‘rganish uchun qurilma yaratilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. p–Si<B,Mn> ning elektrofizik xususiyatlariga bir o‘qli nuqtaviy radial bosim ta’sirini tadqiq qilish asosida quyidagi ilmiy natijalarga erishildi:
tenzosezgir, yangi turdagi p–Si<B,Mn> namunalarni olishning texnologik jarayonining asosiy bosqichlarini aniqlanganligi; dastlabki namunalarida tenzosezgirlik 10÷12% ni tashkil qilishi, p–Si<B,Mn> namunalarida esa tenzo sezgirligi qiymati 3 martaga ortishi; p–Si<B,Mn> namunalarining 5.16·105÷7.74·107 Pa oraliqdagi doimiy bosim (P) ta’sirida va 30÷75 °S  oraliqdagi harorat (T) oralig‘ida deformatsiya sezuvchanligi (α) ning qiymati 15 martaga ortishidan «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida tenzosezgir kremniy strukturalar olishda qo‘llanilgan («O‘zeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2023 yil 19 apreldagi 04-3/484-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish jahon analoglari darajasiga mos keladigan elektrofizik parametrlarga ega namunalarni ishlab chiqarish imkonini bergan;
bir vaqtning o‘zida bir o‘qli nuqtaviy radial bosim va yorug‘lik ta’sirida
p–Si<B,Mn> yuqori kompensatsiyalangan kremniyning elektrofizik parametrlarini o‘rganilishi natijasida, ya’ni 1800÷4600 lyuks yorug‘lik (I) diapazonida va bir o‘qli nuqtaviy radial bosim (P) 4.14·106÷2.76·108 Pa hamda elektr maydoni qiymati (E) 5÷15 V/cm oraliqda oshirilganda p–Si<B,Mn> namunalarining tenzosezgirligi deyarli 3 barobarga ortgan. Ushbu natijalardan Qoraqalpoq davlat universitetida 2016–2020 yillarda bajarilgan OT-F-2-77 raqamli «Modellashtirish asosida ichki nuqsonlarni hisobga olgan holda yarim o‘tkazgichli asboblarning ishonchligini bashorat qilishning takomillashtirish usuli» mavzusidagi fundamental tadqiqod loyihasida foydalanilgan (O‘zbekiston respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligining 2023 yil 1 maydagi 2/14-17/04-829-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish p–Si<B,Mn> namunalarining tenzoelektrik xususiyatlarini batafsil tavsiflash imkonini bergan.