Турсıнбаев Сабıрбай Аwесбай улı
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Марганес киришмаларига эга кремнийнинг электрофизик хусусиятларига бир ўқли босим таъсири”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2023.2.PhD/FM287
Илмий раҳбар: Камалов Амангелди Базарбаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Нукус давлат педагогика институти ва Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12
Расмий оппонентлар: Дадамирзаев Мухаммаджон Гуломқодирович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Пулатова Диларам Собитовна, физика-математика фанлари номзоди.
Етакчи ташкилот: Фарғона давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади марганес киришмаси киритилган кремнийнинг
(п–Си<Б,Мн>) электрофизик хусусиятларини бир ўқли нуқтавий радиал босим таъсирида ўрганиш ва п–Си<Б,Мн> асосида сезгир тензодатчиклар яратишнинг технологик жараёнини ишлаб чиқишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
ток ташувчиларининг консентрацияси н=1.14·1011÷2.39·1013 cм-3 ва солиштирма қаршилиги ρ=7.92·102÷1.53·105 Ом·cм бўлган тензосезгир п–Си<Б,Мн> намуналарни яратишнинг технологик режими ишлаб чиқилган;
илк бор Т=1060 °C ҳароратда легирланган п–Си<Б,Мн> намуналарнинг солиштирма қаршилиги, 5·105÷3·106 Па оралиқдаги босим (П) таъсирида 3 баробар ортиши ва дастлабки кремний намуналарида эса сезиларли ўзгармаслиги аниқланган;
доимий бир ўқли нуқтали радиал босим П=5.16·105÷7.74·107 Па ва Т=30÷75 °C таъсирида п–Си<Б,Мн> намуналарида деформация сезувчанлиги (α) дастлабки намуналарга нисбатан 15 марта ортиши аниқланган;
илк бор бир ўқли нуқтали радиал босим П=4,14·106÷2,76·108 Па ва
И=1800÷4600 люкс ёруғлик таъсирида бўлган п–Си<Б,Мн> намуналарнинг тензосезгирлик қиймати 2÷3 баробар ортиши аниқланган;
п–Си<Б,Мн> намуналарга 1÷15 В/cм диапазондаги ташқи электр майдони (Э) таъсир қилганда уларнинг деформация сезувчанлиги дастлабки намуналарга нисбатан тахминан 3 марта ошиши аниқланган;
бир ўқли нуқтавий радиал босим (106÷109 Па), ёруғлик (1÷50000 люкс), ҳарорат (1÷150 °C) ва электр майдони (1÷15 В/cм) таъсирида бўлган ўта компенсацияланган кремнийнинг тензосезувчанлигини ўрганиш учун қурилма яратилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. п–Си<Б,Мн> нинг электрофизик хусусиятларига бир ўқли нуқтавий радиал босим таъсирини тадқиқ қилиш асосида қуйидаги илмий натижаларга эришилди:
тензосезгир, янги турдаги п–Си<Б,Мн> намуналарни олишнинг технологик жараёнининг асосий босқичларини аниқланганлиги; дастлабки намуналарида тензосезгирлик 10÷12% ни ташкил қилиши, п–Си<Б,Мн> намуналарида эса тензо сезгирлиги қиймати 3 мартага ортиши; п–Си<Б,Мн> намуналарининг 5.16·105÷7.74·107 Па оралиқдаги доимий босим (П) таъсирида ва 30÷75 °С  оралиқдаги ҳарорат (Т) оралиғида деформация сезувчанлиги (α) нинг қиймати 15 мартага ортишидан «ФОТОН» акциядорлик жамиятида тензосезгир кремний структуралар олишда қўлланилган («Ўзелтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2023 йил 19 апрелдаги 04-3/484-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш жаҳон аналоглари даражасига мос келадиган электрофизик параметрларга эга намуналарни ишлаб чиқариш имконини берган;
бир вақтнинг ўзида бир ўқли нуқтавий радиал босим ва ёруғлик таъсирида
п–Си<Б,Мн> юқори компенсацияланган кремнийнинг электрофизик параметрларини ўрганилиши натижасида, яъни 1800÷4600 люкс ёруғлик (И) диапазонида ва бир ўқли нуқтавий радиал босим (П) 4.14·106÷2.76·108 Па ҳамда электр майдони қиймати (Э) 5÷15 В/cм оралиқда оширилганда п–Си<Б,Мн> намуналарининг тензосезгирлиги деярли 3 баробарга ортган. Ушбу натижалардан Қорақалпоқ давлат университетида 2016–2020 йилларда бажарилган ОТ-Ф-2-77 рақамли «Моделлаштириш асосида ички нуқсонларни ҳисобга олган ҳолда ярим ўтказгичли асбобларнинг ишончлигини башорат қилишнинг такомиллаштириш усули» мавзусидаги фундаментал тадқиқод лойиҳасида фойдаланилган (Ўзбекистон республикаси олий таълим, фан ва инновациялар вазирлигининг 2023 йил 1 майдаги 2/14-17/04-829-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш п–Си<Б,Мн> намуналарининг тензоелектрик хусусиятларини батафсил тавсифлаш имконини берган.