Qurbonaliev Qobiljon Qosimjon o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): « Kremniy sirtidagi marganes oliy silisidining elektrofizik va fototermik xususiyatlari » 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2023.4.PhD/FM986
Ilmiy rahbar: Xusanov Axmadjon Jo‘raevich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Qo‘qon davlat pedagogika instituti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Dadamirzaev Muxammadjon Gulomqodirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Arzikulov Eshkuvat Ulashevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Qoraqalpoq davlat universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Marganes oliy silisid – kremniy strukturasini olish texnologiyasini yaratish hamda ular asosidagi termobatareyalarning elektrofizik va fototermik xususiyatlarini yorug‘lik va haroratga bog‘liqligini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor, monokristall kremniy sirtida o‘stirilgan marganes oliy silisidi tarkibidagi marganes kirishma atomlarining diffuziya vaqti (t=0,5-2 soat) va haroratini (T=950÷1200℃) o‘zgartirish orqali konsentratsiyasining boshqarish imkoniyati natijalar orqali aniqlangan;
monokristall kremniy sirtida marganes oliy silisidi qatlamidagi marganes atomlarining miqdorini, silisid qatlamining qalinligini hamda kristall tuzilish holatini boshqarish asosida ilk bora 〖 Mn〗_4 〖Si〗_7-Si<Mn>-〖 Mn〗_4 〖Si〗_7   tuzilishidagi strukturalarni marganes atomlarini vakuumda diffuziya qilish orqali olishning takrorlanuvchi texnologiyasi tadqiqotlar yordamida yaratilgan;
ilk bor, kremniy sirtida olingan marganes oliy silisidining termo EYuK ni qiymati IQ nurlarni λ=0,2÷20mkm (hν=6,2÷0,62 eV) to‘lqin uzunligi oralig‘ida yuqori va turg‘un (o‘zgarmas) bo‘lishi, haroratni elektr kuchlanishga aylantirish koeffisienti λ=10,6 mkm to‘lqin uzunligida eng katta S=500÷2000 mkV/Vt  qiymat oralig‘ida va termo EYuK koeffisientining o‘rtacha qiymati a=360 mkV/K ga teng bo‘lishi ishlab chiqilgan;
ilk bor marganes oliy silisidining elektrofizik parametrlari keng harorat T=77÷900K oralig‘ida o‘rganilganda termoelektr yurituvchi kuchlanish koeffisientining o‘rtacha qiymati a≈360 mkV/K ga teng ekanligi hisoblab berilgan;
 monokristall kremniy sirtida hosil qilingan marganes oliy silisidi asosida haroratni elektr tokiga aylantirish samaradorligi yuqori bo‘lgan termobatareyalarni, hamda sezgirligi yuqori bo‘lgan infraqizil nur fotopryomniklarni yaratish imkoniyatlari tadqiqot davomida ko‘rsatib berilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniy sirtidagi marganes oliy silisidining elektrofizik va fototermik xususiyatlarini o‘rganishda olingan natijalar asosida:
Monokristall kremniy sirtida hosil qilingan margenes oliy silisidining elektrofizik parametrlari T=77÷900K harorat oralig‘ida, termoelektrik koeffisientning o‘rtacha qiymati a≈360 mkV/Kga teng bo‘lishi, bunday termobatareyalarni kremniy asosida yaratishda ishlab chiqilgan texnologik bosqichlar «FOTON» AJda yarimo‘tkazgich asboblarni (diodlar, tranzistorlarni) olishdagi texnologiyasida foydalanildi va ularning elektrofizik parametrlarini turg‘un bo‘lishiga olib keldi. (O‘zbekiston Respublikasi “Uztexsanoat” Assotsiyasining 2022 yil 29 iyuldagi 04-3/1722-son va «FOTON» AJ ning 2022 yil 25 iyuldagi 211-son ma’lumotlari), yaratilingan texnologiyadan foydalanish asosida «FOTON» AJda ishlab chiqarilayotgan yarimo‘tkazgich asboblarning olish texnologiyasini tavsiflash imkonini bergan;
Monokristall kremniy sirtida olingan marganes oliy silisidida hosil bo‘lgan termoelektr yurituvchi kuchlanish tushayotgan quyosh nurining λ=0,2÷20 mkm to‘lqin uzunligi oralig‘ida bo‘lishi asosida, “All Solar” MChJ da ishlab chiqarilayotgan quyosh elementlarining orqa tomoniga marganes oliy silisid – kremniy tuzilishidagi termobatareyalar o‘rganilib, quyosh elementlarining qizishida ajralgan issiqlik hisobiga termobatareya sifatida ishlatish mumkinligi ko‘rsatib berildi (Uztexsanoat Asossiatsiyasining 2022 yil 10 oktyabrdagi № 04-3/2154-son hamda “All Solar” MChJning 2022 yil 7 oktyabrdagi №S22-son ma’lumotlari). Dissertatsiya ishida aniqlangan ilmiy natijalarni amaliyotda foydalanish asosida “All Solar” MChJda kremniy asosida ishlab chiqarilayotgan quyosh panellarining elektr kuchlanish hosil qilish samaradorligi 11 foiz ijobiy o‘zgarishga erishilgan.