Тураев Акмал Атаевичнинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Майдоний транзистор асосидаги кўп функцияли датчикнинг канали камбағаллашган режимдаги сезгирлик хусусиятлари», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.2.PhD/FM87.

Илмий раҳбар: Джураев Даврон Рахмонович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Бухоро давлат университети.

ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Андижон давлат университети, PhD.28.02.2018.FM.60.01.

Расмий оппонентлар: Онарқулов Каримберди Эгамбердиеич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Шарибоев Носиржон Юсупжонович, физика-математика фанлари доктори.

Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ давлат университети.

Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: канали ёпилиш режимида майдоний транзисторнинг ташқи таъсирларга (босим, ёруғлик ва ҳарорат) сезгирлик хусусиятларини аниқлашдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

ҳарорат ортиши билан канал ёпилиш кучланишининг ортиш механизми аниқланган бўлиб, унга кўра ҳарорат ортиши билан хусусий заряд ташувчилар концентрациясининг ортиши ҳисобига  p-n-ўтиш контакт потенциалларининг фарқи камайиб, каналнинг ток ўтказувчи қисмининг қалинлиги ва ёпилиш кучланишининг ортишига олиб келиши аниқланган;

канал ёпилиши режимида майдоний транзисторнинг ҳарорат сезгирлик коэффициентининг камайиши ҳарорат билан база қалинлигининг ортиши барча майдоний транзисторлар учун  -150°С дан +150°С гача кенг ҳарорат диапазонида бир қонуниятга бўйсуниши тажрибада кўрсатилган;

канал ёпилиш режимида майдоний транзисторнинг фотосезгирлик механизми аниқланган бўлиб, сток-затворни ёпувчи кучланишдан исток-затвор ўтишда кучланиш тушиши пайдо бўлиб, ёруғликнинг интенсивлиги ошиши билан истокда тушаётган кучланиш (исток-затвор қаршилиги) камайиши ва стокда ҳосил бўлувчи фототок ошиб бориши аниқланган;

майдоний транзисторнинг тензосезгирлик механизми, босим таъсирида канал ўтказувчан қисмининг затвор р-n-ўтиши ҳажмий заряди қалинлигига нисбатан камайиши ҳисобига канал ёпилиш кучланишининг камайиши тажрибада аниқланган;

таклиф қилинган характеристик параметрли майдоний транзистор асосидаги датчикнинг кам автоматик силжиш режимида оптик сигналларни қабул қилиш модулида ишлатилиши мумкинлиги тажрибада кўрсатилган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.

p-n-ўтишли майдоний транзисторнинг ёпилиш режимида ташқи таъсирларга сезгирлик хусусиятларини аниқлаш асосида:

майдоний транзистор асосида кўп функцияли датчикка «Майдоний транзистор асосидаги кўп функцияли қайд қилгич» учун Ўзбекистон Республикаси Интелектуал мулк агентлигининг ихтиро патенти олинган (№IAP 05120, 12.10.2015). Ишлаб чиқилган майдоний транзистор асосидаги кўп функцияли датчик электрон ўлчаш тизимларида ҳарорат, ёруғлик ва деформацияларни қайд этиш имконини берган;

майдоний транзистор асосидаги электрон схемалар ёрдамида ҳароратни бошқариш усуллари Ф2-ФА-0-83921/Ф2-ФА-Ф0383 рақамли «Ўта ўтказгичлар ва магнит материалларидаги кучли коррекцияли ўзаро таъсирлар ва уларнинг критик параметрлари» лойиҳасида майдоний транзистор канали ёпилган режимда ёпилиш кучланиши ўлчов параметри сифатида қабул қилиниб ҳароратни ўлчашда қўлланилган (Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 24 октябрдаги ФТА-02-11/941-сон маълумотномаси). Илмий натижадан фойдаланиш ўта ўтказгич материалларининг ҳароратини стабил сақлаш имконини берган.