Turaev Akmal Ataevichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Maydoniy tranzistor asosidagi ko‘p funksiyali datchikning kanali kambag‘allashgan rejimdagi sezgirlik xususiyatlari», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.2.PhD/FM87.

Ilmiy rahbar: Djuraev Davron Raxmonovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Buxoro davlat universiteti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Andijon davlat universiteti, PhD.28.02.2018.FM.60.01.

Rasmiy opponentlar: Onarqulov Karimberdi Egamberdieich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Shariboev Nosirjon Yusupjonovich, fizika-matematika fanlari doktori.

Yetakchi tashkilot: Qoraqalpoq davlat universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: kanali yopilish rejimida maydoniy tranzistorning tashqi ta’sirlarga (bosim, yorug‘lik va harorat) sezgirlik xususiyatlarini aniqlashdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

harorat ortishi bilan kanal yopilish kuchlanishining ortish mexanizmi aniqlangan bo‘lib, unga ko‘ra harorat ortishi bilan xususiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasining ortishi hisobiga  p-n-o‘tish kontakt potensiallarining farqi kamayib, kanalning tok o‘tkazuvchi qismining qalinligi va yopilish kuchlanishining ortishiga olib kelishi aniqlangan;

kanal yopilishi rejimida maydoniy tranzistorning harorat sezgirlik koeffisientining kamayishi harorat bilan baza qalinligining ortishi barcha maydoniy tranzistorlar uchun  -150°S dan +150°S gacha keng harorat diapazonida bir qonuniyatga bo‘ysunishi tajribada ko‘rsatilgan;

kanal yopilish rejimida maydoniy tranzistorning fotosezgirlik mexanizmi aniqlangan bo‘lib, stok-zatvorni yopuvchi kuchlanishdan istok-zatvor o‘tishda kuchlanish tushishi paydo bo‘lib, yorug‘likning intensivligi oshishi bilan istokda tushayotgan kuchlanish (istok-zatvor qarshiligi) kamayishi va stokda hosil bo‘luvchi fototok oshib borishi aniqlangan;

maydoniy tranzistorning tenzosezgirlik mexanizmi, bosim ta’sirida kanal o‘tkazuvchan qismining zatvor r-n-o‘tishi hajmiy zaryadi qalinligiga nisbatan kamayishi hisobiga kanal yopilish kuchlanishining kamayishi tajribada aniqlangan;

taklif qilingan xarakteristik parametrli maydoniy tranzistor asosidagi datchikning kam avtomatik siljish rejimida optik signallarni qabul qilish modulida ishlatilishi mumkinligi tajribada ko‘rsatilgan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.

p-n-o‘tishli maydoniy tranzistorning yopilish rejimida tashqi ta’sirlarga sezgirlik xususiyatlarini aniqlash asosida:

maydoniy tranzistor asosida ko‘p funksiyali datchikka «Maydoniy tranzistor asosidagi ko‘p funksiyali qayd qilgich» uchun O‘zbekiston Respublikasi Intelektual mulk agentligining ixtiro patenti olingan (№IAP 05120, 12.10.2015). Ishlab chiqilgan maydoniy tranzistor asosidagi ko‘p funksiyali datchik elektron o‘lchash tizimlarida harorat, yorug‘lik va deformatsiyalarni qayd etish imkonini bergan;

maydoniy tranzistor asosidagi elektron sxemalar yordamida haroratni boshqarish usullari F2-FA-0-83921/F2-FA-F0383 raqamli «O‘ta o‘tkazgichlar va magnit materiallaridagi kuchli korreksiyali o‘zaro ta’sirlar va ularning kritik parametrlari» loyihasida maydoniy tranzistor kanali yopilgan rejimda yopilish kuchlanishi o‘lchov parametri sifatida qabul qilinib haroratni o‘lchashda qo‘llanilgan (Fan va texnologiyalar agentligining 2017 yil 24 oktyabrdagi FTA-02-11/941-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijadan foydalanish o‘ta o‘tkazgich materiallarining haroratini stabil saqlash imkonini bergan.