Шаҳобиддинов Баҳодир Бахтиёр ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Яримўтказгичли п-н ўтишли структураларда Ферми квазисатҳларига электромагнит тўлқин ва ҳароратнинг  таъсири» 01.04.10 – «Яримўтказгичлар физикаси» ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2022.4.PhD/FM822
Илмий раҳбар: Гулямов Гафур, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Наманган муҳандислик-қурилиш институти
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган муҳандислик-технология институти, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар: Икрамов Рустамжон Ғуломжонович;, физика-математика фанлари доктори, профессор; Усманов Шукрулло Негматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ давлат университети.    
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади. п-н ўтишли диодлар асосидаги яримўтказгичли структуралар характеристикасига ўта юқори частотали электромагнит майдон, ёруғлик, ҳарорат ва деформация таъсирини тадқиқ этишдан иборат.
III. Тадқиқотни илмий янгилиги
Илк бор яримўтказгичларга ёруғлик ва деформация таъсирида Ферми сатҳини, квази Ферми сатҳларига ажралиши, натижасида ҳосил бўлган потенциал тўсиқ баландликлари фарқидан генерацион ток ЭЮКлари ҳисоблаб топилган;
п-н ўтишли диодларда ўта юқори частотали электромагнит майдон таъсиридаги волт –ампер характеристикаси ва Ферми сатҳи, квази Ферми сатҳларига ажралиши натижасида ҳосил бўлган потенциал тўсиқ баландликлари фарқидан рекомбинацион ток ЭЮКларининг мослиги ҳисоблаб топилган;
Илк бор п-н ўтишли диоднинг волт-ампер характеристикасини билган ҳолда ташқи ўта юқори частотали электромагнит майдон таъсирида п-н ўтишли диоднинг базалардаги электрон ва ковакларнинг квази химпотенциали Болцман тақсимот ёрдамида аниқланган;
Ёруғлик ва деформация таъсирида п-н ўтишли диоднинг волт-ампер характеристикасини билган ҳолда квазихимпотенциалларини аниқлаш ҳамда потенциал тўсиқ баландлигини квази Ферми сатҳларига ажралиши натижасида ҳосил бўлган потенциал тўсиқ баландликлари фарқидан генерацион ток фотоЕЮКларининг мослиги ҳисоблаб топилган;
Ўта юқори частотали электромагнит майдон таъсиридаги п-н ўтишли диодларнинг волт-ампер характеристикаси база ва сирқиш токларига кучли боғлиқлиги илк маротаба трансендент функсиянинг процедура усули билан Мапле математик дастури ёрдамида рақамли ечимини олиш орқали аниқланди.  рақамли ечимини олиш орқали аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. п-н ўтишли диодлар асосидаги яримўтказгичли структуралар характеристикасига ўта юқори частотали электромагнит майдон, ёруғлик, ҳарорат ва деформация таъсири бўйича олинган натижалар асосида: “Фотон” Акциядорлик жамияти (“Фотон” АЖ) яримўтказгичли диодлар ва транзисторларни тажриба қурилмаларида оптиелектроник ҳусусиятларини оширишга хизмат қилган. (“Ўзелтехсаноат” уюшмасининг 2022 йил 30 июндаги 04-3Ғ1547-сонли маълумотномаси). Бу соҳада п-н ўтишли диоднинг волт-ампер характеристикасини ўта юқори частотали электромагнит майдон таъсирида п-н ўтишли диоднинг базалардаги электрон ва ковакларнинг харакатчанлигини ўчаш имкониятини яратилди. “Фотон” Акциядорлик жамиятида ташқи таъсирларга чидамли диодлар ва транзисторлар ишлаб чиқаришда яхшиланишга эришилди.
Урганч давлат унверситетидаги 2017-2020 йилларда бажарилган №ОТ-Ф2-67 “Диелектрик-яримўтказгич чегарасидаги нуқсонларни табиатини ва ён тақсимотини ўрганиш усулига янгича ёндашиш” мавзусидаги фундаментал лойиҳада нГаАс-п(ГаАс)1-х(ЗнСе)х тузулмали гетероструктура учун тажрибада олинган волт-ампер характеристикаларининг ҳароратга боғлиқлигини таҳлил қилишда сизиш токи ва база кучланишини ўзгаришини ҳисобга олиб топилган назарий натижалардан изоляцияланган затворли майдоний транзистордаги исток (сток)-таглик п-н ўтишида кузатиладиган фотоелектирик ҳодисаларни тушунтиришда фойдаланилган. (Урганч давлат унверситати 7-июн 2023 йил 01-04Ғ01-11Ғ1308-сон малумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш мазкур лойиҳа доирасида Ёруғлик ва деформация таъсирида п-н ўтишли диоднинг волт-ампер характеристикасини билган ҳолда квазихимпотенциалларини аниқлаш ҳамда потенциал тўсиқ баландлигини квази Ферми сатҳларига ажралиши натижасида ҳосил бўлган потенциал тўсиқ баландликлари фарқидан генерацион ток фотоЕЮКларининг мослиги усулида ишлаб чиқиш имконини яратган. Тадқиқ этилган материаллар асосида п-н ўтишга ўта юқори частотали тўлқин ва магнит майдон таъсирида қувват, тўлдириш фактори ва самарадорликнинг 10-13% гача камайишини олдини олиш имконини берган.