Shahobiddinov Bahodir Baxtiyor o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Yarimo‘tkazgichli p-n o‘tishli strukturalarda Fermi kvazisathlariga elektromagnit to‘lqin va haroratning  ta’siri» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.4.PhD/FM822
Ilmiy rahbar: Gulyamov Gafur, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Namangan muhandislik-qurilish instituti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Ikramov Rustamjon G‘ulomjonovich;, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Usmanov Shukrullo Negmatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Qoraqalpoq davlat universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi. p-n o‘tishli diodlar asosidagi yarimo‘tkazgichli strukturalar xarakteristikasiga o‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydon, yorug‘lik, harorat va deformatsiya ta’sirini tadqiq etishdan iborat.
III. Tadqiqotni ilmiy yangiligi
Ilk bor yarimo‘tkazgichlarga yorug‘lik va deformatsiya ta’sirida Fermi sathini, kvazi Fermi sathlariga ajralishi, natijasida hosil bo‘lgan potensial to‘siq balandliklari farqidan generatsion tok EYuKlari hisoblab topilgan;
p-n o‘tishli diodlarda o‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydon ta’siridagi volt –amper xarakteristikasi va Fermi sathi, kvazi Fermi sathlariga ajralishi natijasida hosil bo‘lgan potensial to‘siq balandliklari farqidan rekombinatsion tok EYuKlarining mosligi hisoblab topilgan;
Ilk bor p-n o‘tishli diodning volt-amper xarakteristikasini bilgan holda tashqi o‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydon ta’sirida p-n o‘tishli diodning bazalardagi elektron va kovaklarning kvazi ximpotensiali Bolsman taqsimot yordamida aniqlangan;
Yorug‘lik va deformatsiya ta’sirida p-n o‘tishli diodning volt-amper xarakteristikasini bilgan holda kvaziximpotensiallarini aniqlash hamda potensial to‘siq balandligini kvazi Fermi sathlariga ajralishi natijasida hosil bo‘lgan potensial to‘siq balandliklari farqidan generatsion tok fotoEYuKlarining mosligi hisoblab topilgan;
O‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydon ta’siridagi p-n o‘tishli diodlarning volt-amper xarakteristikasi baza va sirqish toklariga kuchli bog‘liqligi ilk marotaba transendent funksiyaning protsedura usuli bilan Maple matematik dasturi yordamida raqamli echimini olish orqali aniqlandi.  raqamli echimini olish orqali aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. p-n o‘tishli diodlar asosidagi yarimo‘tkazgichli strukturalar xarakteristikasiga o‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydon, yorug‘lik, harorat va deformatsiya ta’siri bo‘yicha olingan natijalar asosida: “Foton” Aksiyadorlik jamiyati (“Foton” AJ) yarimo‘tkazgichli diodlar va tranzistorlarni tajriba qurilmalarida optielektronik hususiyatlarini oshirishga xizmat qilgan. (“O‘zeltexsanoat” uyushmasining 2022 yil 30 iyundagi 04-3G‘1547-sonli ma’lumotnomasi). Bu sohada p-n o‘tishli diodning volt-amper xarakteristikasini o‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydon ta’sirida p-n o‘tishli diodning bazalardagi elektron va kovaklarning xarakatchanligini o‘chash imkoniyatini yaratildi. “Foton” Aksiyadorlik jamiyatida tashqi ta’sirlarga chidamli diodlar va tranzistorlar ishlab chiqarishda yaxshilanishga erishildi.
Urganch davlat unversitetidagi 2017-2020 yillarda bajarilgan №OT-F2-67 “Dielektrik-yarimo‘tkazgich chegarasidagi nuqsonlarni tabiatini va yon taqsimotini o‘rganish usuliga yangicha yondashish” mavzusidagi fundamental loyihada nGaAs-p(GaAs)1-x(ZnSe)x tuzulmali geterostruktura uchun tajribada olingan volt-amper xarakteristikalarining haroratga bog‘liqligini tahlil qilishda sizish toki va baza kuchlanishini o‘zgarishini hisobga olib topilgan nazariy natijalardan izolyasiyalangan zatvorli maydoniy tranzistordagi istok (stok)-taglik p-n o‘tishida kuzatiladigan fotoelektirik hodisalarni tushuntirishda foydalanilgan. (Urganch davlat unversitati 7-iyun 2023 yil 01-04G‘01-11G‘1308-son malumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish mazkur loyiha doirasida Yorug‘lik va deformatsiya ta’sirida p-n o‘tishli diodning volt-amper xarakteristikasini bilgan holda kvaziximpotensiallarini aniqlash hamda potensial to‘siq balandligini kvazi Fermi sathlariga ajralishi natijasida hosil bo‘lgan potensial to‘siq balandliklari farqidan generatsion tok fotoEYuKlarining mosligi usulida ishlab chiqish imkonini yaratgan. Tadqiq etilgan materiallar asosida p-n o‘tishga o‘ta yuqori chastotali to‘lqin va magnit maydon ta’sirida quvvat, to‘ldirish faktori va samaradorlikning 10-13% gacha kamayishini oldini olish imkonini bergan.