Бекпулатов Илхом Рустамовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Наноўлчамли металл силицид плёнкалар олиш ва уларнинг физик хоссалари», 01.04.04–Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.2.PhD/FM98.
Илмий раҳбар: Рисбаев Абдурашит Сарбаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.
Расмий оппонентлар: Ашуров Хотам Бахронович, техника фанлари доктори, катта илмий ходим; Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Кремний монокристаллига кичик энергия ва катта дозаларда ионлар имплантацияси ва кейинги термик ишлов бериш орқали юпқа наноўлчамли силицид металл плёнкаларни ҳосил қилиш ҳамда уларнинг таркиби ва электрофизик хусусиятларини комплекс аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кремний монокристалларнинг юза қатламларига актив металларнинг ионларини имплантация қилиш ва кейинги қиздириш усулига асосланган кремний юзасини юқори даражада тозалаш имконини берадиган усул ишлаб чиқилган;
кремний юза қатламларининг таркибига ва кристалл тузилишига кичик энергияли (0,5÷5 кэВ) Li+, K+, Na+, Rb+, Cs+, Ba+ ионлари имплантациясининг таъсири аниқланган;
Li, K, Na, Rb, Cs, Ba юпқа монокристаллик силицид плёнкаларни ионли имплантация ва кейинчалик термик қиздириш усули билан ҳосил қилишнинг оптимал технологик режимлари аниқланган;
силицид плёнкалар хусусиятларининг айниган яримўтказгичларга ўхшашлиги, электр ўтказувчанлигининг ҳароратга чизиқли боғлиқлиги кўрсатилган;
р-типли Si(111) монокристаллига 1,5 кэВ энергияда 1016 см-2 доза билан В+ ионларининг киритилиши Na атомларининг максимал кириш чуқурлигини 30% га камайтириши ва чегаравий ўтиш қатлами кенглигининг легирлаш ва қиздиришда камайиши аниқланган;
юқори сезгирликка эга растрли электрон микроскопия усули билан кремнийда 1015 см-2 доза билан Rb+ ионларини имплантация қилиш ва кейинги 600 К да қиздиришдан сўнг 10–30 нм ўлчамли RbSi оролчаларга айланиши кўрсатилган, доза ошиши билан бу оролчалар йирик монокристалл оролчаларга айланиши ҳамда дозани 6·1016 см-2 га ошириш ва 900 К гача қиздириш натижасида оролчалар чегараларининг бир-бирига қўшилиб, яхлит рубидий силициди плёнкасининг ҳосил бўлиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Наноўлчамли металл силицид плёнкалар олиш ва уларнинг физик хоссаларини аниқлаш асосида:
кремний монокристалли юзасини тозалаш усули Россия Фанлар академияси А.В.Шубникова номидаги кристаллография институтининг «Кристаллография ва фотоника» илмий лабораториясида Si(111) ва Si(100) монокристалларнинг атомли тоза ва юқори сифатли кристаллографик структурага эга юзасини олишда фойдаланилган (Россия Фанлар академиясининг 2018 йил 15 январдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш термоэлектрик материалларнинг параметрларини яхшилаш имконини берган;
кремний монокристаллининг юзасига ион имплантация қилиш ва кейинчалик термик қиздиришдан иборат янги тозалаш усули ва наноўлчамли металл силицид плёнкалар ҳосил қилиш технологияси бўйича олинган натижалар Ф2-41 рақамли «Турли табиатли материаллар (металлар, яримўтказгичлар ва диэлектриклар)да ионлар имплантациясидаги кучланган қатламлар ва наноўлчамли тузилишлар ҳосил бўлиши, атомларни киритиш, сочилиш жараёларини назарий ва экспериментал тадқиқ қилиш» лойиҳасида электрон оже спектроскопия усули билан юзани қатлам ва қатлам Ar+ ионлар билан чанглатиш ёрдамида атомларнинг чуқурлик бўйича концентрацион тақсимотини олишда қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 4 декабрдаги ФТA–02–11/1246-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш атомларнинг чуқурлик бўйича тақсимотларини олиш имконини берган.
