Бекпулатов Илхом Рустам ўғлининг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Вакуумли чанглатиш ва ион-имплантация усулларида олинган Mn4Si7, ВаSi2, CoSi2 ва CoSi плёнкаларининг электрон-оптик ва электрофизик хоссалари”, 01.04.04 – физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.4.DSc/FM210 
Илмий маслаҳатчи: Нормурадов Мурадулла Тогаевич физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSс.02/30.12.2019.FМ.65.01 
Расмий оппонентлар: Максимов Сергей Евлантиевич, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим; Зайнобиддинов Сирожиддин Зайнобиддинович, академик; Михаил Витальевич Кремков, физика-математика фанлари доктори. 
Йетакчи ташкилот: Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Mn4Si7, BaSi2, CoSi2 ва CoSi юпқа силицид плёнкаларининг Si ва диэлектрик тагликлар юзасига магнетрон, лазерли чанглатиш ва ион имплантацияси усуллари орқали ҳосил бўлиш қонуниятларини ўрганиш. Ҳосил қилинган плёнкаларнинг эмиссион, оптик, электрофизик ва термоэлектрик хусусиятларни ўрганиш. Ҳосил қилинган плёнкалардан, p - тип Mn4Si7 ва n - типли CoSi асосида термал нурланишни қабул қилувчи структура ҳосил қилиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат: 
юқори термоэлектрик сифатга эга бўлган Mn4Si7, ВaSi2, CoSi2, CoSi с плёнкалари ҳосил қилинди;
кобальт ионларини кремнийга имплантация қилиш ва кейинги термик қиздириш орқали турли наноўлчамли фазалар ҳосил қилинди. Ўлчами ≤ 20 - 25 нм бўлган CoSi2 фазаларида квант ўлчамли эффектлар намоён бўлиши аниқланди;
ион – имплантация усулида ВaSi2/Si(111) плёнкаси ҳосил қилинди ва n – BaSi2 / n – Si (111) гетероструктураси асосида фото – ва термоэлектрик қурилма структураси яратиш усули ишлаб чиқилди;
биринчи марта SiO2/Si(111) юзасида наноўлчамдаги CoSi2 плёнкалари лазерли чанглатиш усули ёрдамида ҳосил қилинди. Aниқландики, поликристалли CoSi2/SiO2/Si(111) плёнканинг тақиқланган зона кенглиги плёнка қалинлигига қараб 0.65 эВ дан 0.8 эВ гача ўзгаради;
поликристал CoSi2 плёнкасининг ёруғликни ютиш ва қайтариш коэффициентларининг тўлқин узунлигига боғлиқлиги таҳлил қилинди, унинг кўзга кўринадиган ва ИҚ соҳаларида юқори сезувчанликка эга эканлигини кўрсатди, бу опто ва наноэлектрон қурилмаларда қўллаш мумкин эканлиги аниқланди;
қалинлиги d ≤ 10 – 12 моноқатламли Mn – Si система учун валент электронлар ҳолат зичлигининг асосий ўзгариши Mn + Si атомлари ўртасида 3p- Si ҳолат ва 3d- Mn ҳолатлари орасидаги гибрид боғланишлар мавжуд бўлиши аниқланди;
p - типидаги Mn4Si7 ва n - типидаги CoSi плёнкалари асосида термал нурланиш қабул қилгич гетероструктуралари ҳосил қилиш мумкинлиги аниқланди.
IV. Тадқиқот натижаларини жорий қилиниши:
магнетрон чанглатиш қурилмаси учун силицид мишенларини Mn4Si7, CoSi ва CoSi2 ҳосил қилишнинг қулай режимларини аниқлаш, силицид плёнкаларини ҳосил қилиш ва кремний таглигини термик тозалаш илмий тадқиқотлари натижасида:
турли қалинликдаги поликристал Mn4Si7/SiO2/Si(111) плёнкаларини ҳосил қилиш, ҳосил қилишнинг оптимал режимлари ва кейинги термик қиздириш бўйича натижалар Россия Фанлар академияси “Кристаллография ва Фотоника” Федерал илмий тадқиқот марказининг Электронография лабораториясида фойдаланилди. Илмий натижалардан фойдаланиш турли қалинликдаги поликристал Mn4Si7/SiO2/Si(111) плёнкаларини ҳосил қилиш имконини берди ва Mn4Si7/SiO2/Si(111) плёнкалари юқори таъсир ва сезгирликка эга бўлиб, иссиқлик ва ИҚ нурланишини қабул қилгичларда фойдаланиш мумкинлиги аниқланди;
Mn4Si7 валентлик зонасининг электрон спектри Mn нинг 3d-ҳолати ва Si нинг 3p- ҳолатлари ва гибридланган электрон ҳолатлари 3p-Si+3d-Mn, 3p-Si+4s-Mn электронларнинг ғалаёнланиши ҳисобига тўртта максимумга эга бўлади ва бу натижалар Тошкент давлат техника университети ОТ-Ф2-53 рақамли “Квантово-размерные эффекты и электронные свойства двухслойных наноразмерных структур, созданных на поверхности и в приповерхностной области пленок А3В5 и А2В6” илмий лойиҳасида юза ва юза ости қатламларида кичик энергияли ионларнинг тарқалишини аниқлаш учун фойдаланилди. Илмий натижалардан фойдаланиш кичик энергияли ионларнинг тарқалиши чуқурлик бўйича ва энергия тақсимотини аниқлаш имконини берди;
магнетрон ва лазерли чанглатиш қурилмалари учун CoSi ва CoSi2 мишенларини ҳосил қилиш ва мишенларни ҳосил қилишнинг оптимал режимларини аниқлаш натижалари Россия федерацияси “УралАлмазИнвест” ишлаб чиқариш технологик маркази “ПТЦ “УралАлмаз Инвест” МЧЖ” компаниясида амалий фойдаланилди. Тадқиқот натижаларидан фойдаланиш магнетрон ва лазерли чанглатиш учун юқори сифатли силицид мишенларини яратиш имконини беради.