Bekpulatov Ilxom Rustam o‘g‘lining
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Vakuumli changlatish va ion-implantatsiya usullarida olingan Mn4Si7, VaSi2, CoSi2 va CoSi plyonkalarining elektron-optik va elektrofizik xossalari”, 01.04.04 – fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.4.DSc/FM210
Ilmiy maslahatchi: Normuradov Muradulla Togaevich fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSs.02/30.12.2019.FM.65.01
Rasmiy opponentlar: Maksimov Sergey Evlantievich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim; Zaynobiddinov Sirojiddin Zaynobiddinovich, akademik; Mixail Vital`evich Kremkov, fizika-matematika fanlari doktori.
Yetakchi tashkilot: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Mn4Si7, BaSi2, CoSi2 va CoSi yupqa silisid plyonkalarining Si va dielektrik tagliklar yuzasiga magnetron, lazerli changlatish va ion implantatsiyasi usullari orqali hosil bo‘lish qonuniyatlarini o‘rganish. Hosil qilingan plyonkalarning emission, optik, elektrofizik va termoelektrik xususiyatlarni o‘rganish. Hosil qilingan plyonkalardan, p - tip Mn4Si7 va n - tipli CoSi asosida termal nurlanishni qabul qiluvchi struktura hosil qilish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
yuqori termoelektrik sifatga ega bo‘lgan Mn4Si7, VaSi2, CoSi2, CoSi s plyonkalari hosil qilindi;
kobal`t ionlarini kremniyga implantatsiya qilish va keyingi termik qizdirish orqali turli nanoo‘lchamli fazalar hosil qilindi. O‘lchami ≤ 20 - 25 nm bo‘lgan CoSi2 fazalarida kvant o‘lchamli effektlar namoyon bo‘lishi aniqlandi;
ion – implantatsiya usulida VaSi2/Si(111) plyonkasi hosil qilindi va n – BaSi2 / n – Si (111) geterostrukturasi asosida foto – va termoelektrik qurilma strukturasi yaratish usuli ishlab chiqildi;
birinchi marta SiO2/Si(111) yuzasida nanoo‘lchamdagi CoSi2 plyonkalari lazerli changlatish usuli yordamida hosil qilindi. Aniqlandiki, polikristalli CoSi2/SiO2/Si(111) plyonkaning taqiqlangan zona kengligi plyonka qalinligiga qarab 0.65 eV dan 0.8 eV gacha o‘zgaradi;
polikristal CoSi2 plyonkasining yorug‘likni yutish va qaytarish koeffisientlarining to‘lqin uzunligiga bog‘liqligi tahlil qilindi, uning ko‘zga ko‘rinadigan va IQ sohalarida yuqori sezuvchanlikka ega ekanligini ko‘rsatdi, bu opto va nanoelektron qurilmalarda qo‘llash mumkin ekanligi aniqlandi;
qalinligi d ≤ 10 – 12 monoqatlamli Mn – Si sistema uchun valent elektronlar holat zichligining asosiy o‘zgarishi Mn + Si atomlari o‘rtasida 3p- Si holat va 3d- Mn holatlari orasidagi gibrid bog‘lanishlar mavjud bo‘lishi aniqlandi;
p - tipidagi Mn4Si7 va n - tipidagi CoSi plyonkalari asosida termal nurlanish qabul qilgich geterostrukturalari hosil qilish mumkinligi aniqlandi.
IV. Tadqiqot natijalarini joriy qilinishi:
magnetron changlatish qurilmasi uchun silisid mishenlarini Mn4Si7, CoSi va CoSi2 hosil qilishning qulay rejimlarini aniqlash, silisid plyonkalarini hosil qilish va kremniy tagligini termik tozalash ilmiy tadqiqotlari natijasida:
turli qalinlikdagi polikristal Mn4Si7/SiO2/Si(111) plyonkalarini hosil qilish, hosil qilishning optimal rejimlari va keyingi termik qizdirish bo‘yicha natijalar Rossiya Fanlar akademiyasi “Kristallografiya va Fotonika” Federal ilmiy tadqiqot markazining Elektronografiya laboratoriyasida foydalanildi. Ilmiy natijalardan foydalanish turli qalinlikdagi polikristal Mn4Si7/SiO2/Si(111) plyonkalarini hosil qilish imkonini berdi va Mn4Si7/SiO2/Si(111) plyonkalari yuqori ta’sir va sezgirlikka ega bo‘lib, issiqlik va IQ nurlanishini qabul qilgichlarda foydalanish mumkinligi aniqlandi;
Mn4Si7 valentlik zonasining elektron spektri Mn ning 3d-holati va Si ning 3p- holatlari va gibridlangan elektron holatlari 3p-Si+3d-Mn, 3p-Si+4s-Mn elektronlarning g‘alayonlanishi hisobiga to‘rtta maksimumga ega bo‘ladi va bu natijalar Toshkent davlat texnika universiteti OT-F2-53 raqamli “Kvantovo-razmernie effekti i elektronnie svoystva dvuxsloynix nanorazmernix struktur, sozdannix na poverxnosti i v pripoverxnostnoy oblasti plenok A3V5 i A2V6” ilmiy loyihasida yuza va yuza osti qatlamlarida kichik energiyali ionlarning tarqalishini aniqlash uchun foydalanildi. Ilmiy natijalardan foydalanish kichik energiyali ionlarning tarqalishi chuqurlik bo‘yicha va energiya taqsimotini aniqlash imkonini berdi;
magnetron va lazerli changlatish qurilmalari uchun CoSi va CoSi2 mishenlarini hosil qilish va mishenlarni hosil qilishning optimal rejimlarini aniqlash natijalari Rossiya federatsiyasi “UralAlmazInvest” ishlab chiqarish texnologik markazi “PTS “UralAlmaz Invest” MChJ” kompaniyasida amaliy foydalanildi. Tadqiqot natijalaridan foydalanish magnetron va lazerli changlatish uchun yuqori sifatli silisid mishenlarini yaratish imkonini beradi.
