Атамуратова Зухра Атабековнанинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Диэлектрикдаги ва диэлектрик-яримўтказгич чегарасидаги заряд нотекис тақсимотининг МДЯ транзистор характеристикаларига таъсирини моделлаштириш” 01.04.10–яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2021.2. PhD/FM 614
Илмий раҳбар: Юсупов Ахмед, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Урганч Давлат университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти хузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.02/27.02.2020.FM/Т.110.01 рақамли Илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Каримов Иброхим Набиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Ёдгорова Дилбара Мустафаевна, техника фанлари доктори, профессор.
Йетакчи ташкилот: Тошкент Давлат Техника университети.     
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади МДЯ транзисторнинг диэлектрикга ва диэлектрик-яримўтказгич чегарасига киритилган локал заряднинг канал бўйлаб нотекис тақсимотининг транзисторнинг ён ўтишлар вольт–ампер ва вольт–фарад  характеристикаларга таъсирини аниқлашдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
металл-оксид-яримўтказгич транзисторнинг диэлектрик қатламига киритилган локал зарядланган соҳа маркази истокдан канал бўйлаб узоқлашганда, канал марказида яримўтказгич сиртига яқин соҳада асосий заряд ташувчилар концентрациясининг ортиши сабабли, бўсаға кучланишининг ортиши кўрсатилган;
металл-нитрид-оксид-яримўтказгич транзисторнинг нитрид қатламига локал заряд киритилганда, силжитиш кучланишининг маълум қийматларидан бошлаб, исток-таглик ён ўтиши сиғимининг таглик легирланиш даражаси Nsub ≤ 1∙1016 см-3 бўлганда кескин сакраб ортиши ва Nsub > 1∙1016 см-3 бўлганда кескин сакраб камайиши аниқланган;
металл-нитрид-оксид-яримўтказгич транзистори ён исток-таглик ўтишининг вольт-фарад характеристикасида, нитрид қатламига киритилган локал заряд таъсирида юзага келадиган сиғим сакрашига мос келадиган кучланишнинг локал зарядланган соҳа чизиқли ўлчами ортиши билан  монотон ортиши кўрсатилган; 
нанометр ўлчамлардаги металл-оксид-яримўтказгич планар транзистори оксид қатламининг стокга яқин соҳасида локал заряднинг қамралиши ва қамралган локал зарядли соҳанинг чизиқли ўлчами d ортиши билан сток-таглик ён ўтиш сиғими максимал ўзгаришининг чизиқли ортиши ва зарядли соҳа ўлчами ярим канал узунлигидан орта бошлаганда унинг тўйинишга эришиши ва унданг сўнг камайиб бошлаши аниқланган; 
металл-нитрид-оксид-яримўтказгич планар транзисторининг нитрид қатламига локал зарядларнинг киритилиши ва унинг истокдан канал бўйлаб узоқлашиши исток-таглик ўтишидаги сизиш токининг ортишига олиб келиши кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Планар изоляцияланган затворли металл-диэлектрик-яримўтказгич транзисторнинг диэлектрик қатламида истокдан турли масофаларда, турли ўлчамларда қамралган локал заряднинг ва турли тақсимот билан канал бўйлаб киритилган заряднинг транзистор турли характеристика ва параметрларига таъсирини моделлаштириш асосида: 
турли электр стресслар натижасида оксид қатламида тўпланадиган заряднинг МДЯ транзистор ён ўтишлар характеристикаларига таъсирини моделлаштириш бўйича олинган натижалар Испаниянинг Сантиаго де Компостелла университетининг Компьютер Архитектураси бўлимида бажарилган “юқори даражада мукаммал ҳисоблашлар учун Техник ва дастурий ускуналар” ва “юқори даражада мукаммал ҳисоблашлардаги янги муаммолар ечимлари”  лойиҳаларида илгарилаган майдоний транзистор-ларни моделлаштиришда қўлланилган (Компьютер Архитектураси бўлими директорининг 28 июль 2022 йилдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш наноўлчамдаги майдоний транзисторларни, хусусан планар майдоний транзисторларнинг ҳарактеристикаларининг электр стресслар натижасидаги деградациясини моделлаштириш имконини берган;
МОЯ транзистор бўсаға кучланишига, металл-нитрид-оксид-яримўтказгич транзистор ён исток-таглик ўтишининг вольт-фарад характеристикасига диэлектрик қатламига киритилган локал заряднинг таъсири бўйича олинган натижалар ва хулосалар асосида “FOTON” АЖ да  намуналар ишлаб чиқилган (FOTON АЖ бош мухандисининг 14 ноябрь 2022 йилдаги №311 маълумотномаси). Илмий тадқиқот ишлари натижаларини технологик жараёнга қўллаш яримўтказгичли диод ва майдоний транзисторларнинг вольт-ампер характеристикаларига технологик жараёнларининг таъсирини ва ташқи таъсирларни башоратлаш ҳамда асбобларнинг бардошлиги ва ишончлилигини ошириш имконини яратган.