Atamuratova Zuxra Atabekovnaning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Dielektrikdagi va dielektrik-yarimo‘tkazgich chegarasidagi zaryad notekis taqsimotining MDYa tranzistor xarakteristikalariga ta’sirini modellashtirish” 01.04.10–yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.2. PhD/FM 614
Ilmiy rahbar: Yusupov Axmed, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Urganch Davlat universiteti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti xuzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01 raqamli Ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Karimov Ibroxim Nabievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Yodgorova Dilbara Mustafaevna, texnika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Toshkent Davlat Texnika universiteti.     
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi MDYa tranzistorning dielektrikga va dielektrik-yarimo‘tkazgich chegarasiga kiritilgan lokal zaryadning kanal bo‘ylab notekis taqsimotining tranzistorning yon o‘tishlar vol`t–amper va vol`t–farad  xarakteristikalarga ta’sirini aniqlashdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
metall-oksid-yarimo‘tkazgich tranzistorning dielektrik qatlamiga kiritilgan lokal zaryadlangan soha markazi istokdan kanal bo‘ylab uzoqlashganda, kanal markazida yarimo‘tkazgich sirtiga yaqin sohada asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasining ortishi sababli, bo‘sag‘a kuchlanishining ortishi ko‘rsatilgan;
metall-nitrid-oksid-yarimo‘tkazgich tranzistorning nitrid qatlamiga lokal zaryad kiritilganda, siljitish kuchlanishining ma’lum qiymatlaridan boshlab, istok-taglik yon o‘tishi sig‘imining taglik legirlanish darajasi Nsub ≤ 1∙1016 sm-3 bo‘lganda keskin sakrab ortishi va Nsub > 1∙1016 sm-3 bo‘lganda keskin sakrab kamayishi aniqlangan;
metall-nitrid-oksid-yarimo‘tkazgich tranzistori yon istok-taglik o‘tishining vol`t-farad xarakteristikasida, nitrid qatlamiga kiritilgan lokal zaryad ta’sirida yuzaga keladigan sig‘im sakrashiga mos keladigan kuchlanishning lokal zaryadlangan soha chiziqli o‘lchami ortishi bilan  monoton ortishi ko‘rsatilgan; 
nanometr o‘lchamlardagi metall-oksid-yarimo‘tkazgich planar tranzistori oksid qatlamining stokga yaqin sohasida lokal zaryadning qamralishi va qamralgan lokal zaryadli sohaning chiziqli o‘lchami d ortishi bilan stok-taglik yon o‘tish sig‘imi maksimal o‘zgarishining chiziqli ortishi va zaryadli soha o‘lchami yarim kanal uzunligidan orta boshlaganda uning to‘yinishga erishishi va undang so‘ng kamayib boshlashi aniqlangan; 
metall-nitrid-oksid-yarimo‘tkazgich planar tranzistorining nitrid qatlamiga lokal zaryadlarning kiritilishi va uning istokdan kanal bo‘ylab uzoqlashishi istok-taglik o‘tishidagi sizish tokining ortishiga olib kelishi ko‘rsatilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Planar izolyasiyalangan zatvorli metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich tranzistorning dielektrik qatlamida istokdan turli masofalarda, turli o‘lchamlarda qamralgan lokal zaryadning va turli taqsimot bilan kanal bo‘ylab kiritilgan zaryadning tranzistor turli xarakteristika va parametrlariga ta’sirini modellashtirish asosida: 
turli elektr stresslar natijasida oksid qatlamida to‘planadigan zaryadning MDYa tranzistor yon o‘tishlar xarakteristikalariga ta’sirini modellashtirish bo‘yicha olingan natijalar Ispaniyaning Santiago de Kompostella universitetining Kompyuter Arxitekturasi bo‘limida bajarilgan “yuqori darajada mukammal hisoblashlar uchun Texnik va dasturiy uskunalar” va “yuqori darajada mukammal hisoblashlardagi yangi muammolar echimlari”  loyihalarida ilgarilagan maydoniy tranzistor-larni modellashtirishda qo‘llanilgan (Kompyuter Arxitekturasi bo‘limi direktorining 28 iyul` 2022 yildagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish nanoo‘lchamdagi maydoniy tranzistorlarni, xususan planar maydoniy tranzistorlarning harakteristikalarining elektr stresslar natijasidagi degradatsiyasini modellashtirish imkonini bergan;
MOYa tranzistor bo‘sag‘a kuchlanishiga, metall-nitrid-oksid-yarimo‘tkazgich tranzistor yon istok-taglik o‘tishining vol`t-farad xarakteristikasiga dielektrik qatlamiga kiritilgan lokal zaryadning ta’siri bo‘yicha olingan natijalar va xulosalar asosida “FOTON” AJ da  namunalar ishlab chiqilgan (FOTON AJ bosh muxandisining 14 noyabr` 2022 yildagi №311 ma’lumotnomasi). Ilmiy tadqiqot ishlari natijalarini texnologik jarayonga qo‘llash yarimo‘tkazgichli diod va maydoniy tranzistorlarning vol`t-amper xarakteristikalariga texnologik jarayonlarining ta’sirini va tashqi ta’sirlarni bashoratlash hamda asboblarning bardoshligi va ishonchliligini oshirish imkonini yaratgan.