Uteniyazov Abatbay Kurbaniyazovichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

 

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kadmiy telluridi asosidagi injeksion fotoqabulkilgichlardagi elektron jarayonlar», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.2.PhD/FM101.

Ilmiy rahbar: Mirsagatov Shavkat Akramovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Fizika-texnika instituti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.

Rasmiy opponentlar: Mamadalimov Abdugafur Teshabaevich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik; Ayuxanov Rashid Axmetovich, fizika-matematika fanlari doktori.

Yetakchi tashkilot: Toshkent axborot texnologiyalari universiteti.  

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi:donadorligi ustunsimon tuzilishga ega bo‘lgan p-CdTe yupqa qatlamlari asosida ichki kuchaytirish xususiyatiga ega bo‘lgan injeksiyali fotoqabulqilgichni yaratish va unda kechadigan elektron jarayonlarni aniqlashdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

Al–Al2O3p-CdTe–MoO3–Mo-tuzilmadagi tok o‘tkazish mexanizm-lari MOYaO‘-tuzilmalarga xos bo‘lgan, to‘rtta sohadan iborat bo‘lgan xajmiy zaryadlar bilan cheklangan toklar mexanizmi bilan aniqlanishi topilgan. Birinchi soha chiziqli, ikkinchi soha chuqur joylashgan qamrab oluvchilarning to‘lishi bilan bog‘liq kvadrat, uchinchi soha rekombinatsiya jarayonida elektronlarning ikki sathli komplekslar tomonidan sekinlashtirilishi bilan bog‘liq tokning keskin oshishi va sayoz qamrab oluvchilarning to‘ldirilishi hisobiga kvadrat bog‘liqlikka o‘tadigan ko‘rinishga o‘tishi aniqlangan;

baza sohasi qalinligining kamayishi spektrning kiritmalar sohasida fototashuvchilar generatsiyasida qatnashuvchi kiritmalar miqdorining kamayishi hisobiga xususiy yutish sohasida fotoezgirlikning oshishiga olib kelishi tajribada ko‘rsatilgan; 

ul`tratovushli ta’sir sirt potensialining ψS ≈ 0.17 eV dan ψS ≈ 0.25 eV gacha oshishiga sabab bo‘ladigan nuqsonlarning tartiblanishiga olib kelishi natijasida to‘g‘ri tok ortib, teskari tok kamayishi tasdiqlangan;

Al–Al2O3p-CdTe–MoO3–Mo-tuzilmada birlamchi fototokning kuchayish koeffisienti yoritilganlikning kichik intensivligida va kuchlanishning to‘g‘ri yo‘nalishlarida yuqori qiymatlar qabul qilishi asoslangan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.

kadmiy telluridi asosida yarim o‘tkazgichli tuzilmalarni olishning optimal texnologik rejimlari F-2-37 raqamli «Yarimo‘tkazgichlarda lazerli induksiyalangan nuqsonlar hosil bo‘lishining nochiziqli jarayonlari» (2012-2016 yy.) fundamental loyihada metall-yarim o‘tkazgich chegarasidagi sirt zaryadlarning fotosezgir tuzilmalarning tok xarakteristikalariga ta’sirini bartaraf qilishda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fan va texnologiyalar agentligining 2017 yil 7 noyabrdagi FTA-02.11/1043-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish injeksiyali fotoqabullagichlar va fotodiodlarning ekspluatatsiya jarayonidagi ishonchliligini nazorat va bashorat qilishning ekspress uslubini ishlab chiqish imkonini bergan;

sirt potensialini boshqarishning fizikaviy usullari T15MN-001 raqamli «Qoplangan tibbiyot asboblariga metallotsenlar va fullerid metallarning fizik va antibakterial hususiyatlarini tadqiq qilish va medisina asboblarida qo‘llash imkoniyatlarini aniqlash» (2015-2017 yy.)  xalqaro loyihada geteroo‘tishli tuzilmalarda sirqish toklarini kamaytirish uchun qo‘llanilgan (Belarus` Milliy FA Issiqlik va massa almashinuvi institutining 2017 yil 21 dekabrdagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish geterotuzilmalardagi sirqish toklarini o‘n baravar kamaytirish imkonini bergan. 

Yangiliklarga obuna bo‘lish