Туропов Илхом Химматалиевичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

 I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Физика-математика фанлари”, 01.04.04 - Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.2.PhD/FM468
Илмий рахбар: Умирзаков Болтаходжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор. 
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК раками: Қарши давлат университети, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06.
 Расмий оппонентлар: физика-математика фанлари доктори, профессор Исаханов Зинаобидин Абилпейзович; физика-математика фанлари номзоди, доцент Алиқулов Муйсин Нортошевич.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади кремний юзасидага эпитакция ва ион имплантацияси усулларида ўстирилган кобальт ва марганецнинг юпқа силицид плёнкаларининг ҳосил бўлиш қонуниятларини, уларнинг электрон тузилиши, эмиссия, оптик ва электрофизик хусусиятларини ўрганиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кичик энергияли (Е0 = 0.5 - 1 кэВ) ва дозаси (D ≈ 81014 см-2) бўлган Ar+ ионлари билан юзани бомбардимон қилиш усули билан тартибланган Co ва CoSi2 нинг биржинсли наноплёнкалари ҳосил қилингани ва Co нанофазаларининг тақиқланган зонаси Eg = 0.3 эВ га тенг ва яримўтказгич хоссасига эга эканлиги аниқланган;
 монокристалл кремний таглик 600 К да қиздирилган ҳолда Co+ ионлари билан имплантация қилинганда бир хил легирланган қатламнинг чуқурлиги 50 - 60 Å ни ташкил этиши, сиртга яқин қатлам қисман тартибсиз ва Si билан Co атомлари ~ 90 ат.% кимёвий боғ ҳосил қилиши аниқланган;
 ВУП-5 қурилмасида SiO2/Si (111) сиртида CoSi2 мишенини қаттиқ жисм лазери билан чанглатиш усули орқали CoSi2/SiO2/Si (111) наноплёнкаси ҳосил қилиниши билан 900 К да қиздириш орқали поликристалл CoSi2/SiO2/Si (111) наноплёнкасининг   турли тўлқин узунлигида ёруғликни қайтариш ва ютилиш коэффициентлари турлича эканлиши аниқланган;
 CoSi2/Si (111) юзасида юпқа Ɵ  1 қалинликдаги Сs атомларини  ўстириш орқали Еg қиймати ва валент электронлари зичлиги ҳолати максималларининг ўрни амалда ўзгармаслиги ва фотоэлектронларнинг чиқиш иши 3 эВ гача камайиши, фотоэлектронларнинг квант чиқиши 3 ёки ундан кўп марта ортиши аниқланган.
IV.Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Монокристалл кремний сиртида ҳосил қилинган Co ва Mn плёнкалари ва силицид структуралари, уларнинг электрон ва оптик хусусиятлари, электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш натижалари ва олинган гетероструктуралар асосида:
кичик энергияли (Е0 = 0.5 - 1 кэВ) ва дозаси (D ≈ 8⸱1014 см-2) бўлган Ar+ ионлари билан юзани бомбардимон қилиш усули билан тартибланган Co ва CoSi2 нинг биржинсли наноплёнкалари ҳосил қилингани ва Co нанофазаларининг тақиқланган зонаси Eg = 0.3 эВ га тенг ва яримўтказгич хоссасига эга эканлиги аниқланганига оид хулосаларидан Наманган муҳандислик қурилиши институтида бажарилган ОТ-Ф2-70 рақамли “Кучли электромагнит майдондаги наноўлчамли яримўтказгич параметрларига ҳарорат, деформация ва ёруғликнинг таъсири” номли фундаментал лойиҳани бажаришда фойдаланилган (Наманган муҳандислик қурилиши институти ректорининг 2022 йил 7 сентябрдаги № 06/10-09/753-сон маълумотномаси). Натижада лазер чанглатиш усулида олинган CoSi2/SiO2/Si (111) плёнкаларининг турли тўлқин узунликдаги ёруғликни қайтариши ва ютилиш коэффициентлари турлича эканлиги, Si сиртида Mn атомларини ҳар хил қалинликда ўтказиш ва турли температурада қиздириш орқали 4s - Mn ва 3s - Si электронларнинг 3s - Si + 3d - Mn, 3s - Si + 4s - Mn  ўзаро боғланишилар ҳосил қилиши, Si сиртида Co ва Mn юпқа силицид плёнкаларининг валент электронлар зичлигини аниқлаш имконини берган;
ВУП-5 қурилмасида SiO2/Si (111) сиртида CoSi2 мишенини қаттиқ жисм лазери билан чанглатиш усули орқали CoSi2/SiO2/Si (111) наноплёнкаси ҳосил қилиниши билан 900 К да қиздириш орқали поликристалл CoSi2/SiO2/Si (111) наноплёнкасининг   турли тўлқин узунлигида ёруғликни қайтариш ва ютилиш коэффициентлари турлича эканлиги аниқланганига доир хулосаларидан Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясида бажарилган ГНПТ АФ-Атех-2018 (15-274) рақамли “Разработка технологии напыления многокомпонентных тонкопленочных покрытий с помощью лазерного излучения” номли лойиҳани бажаришда фойдаланиоган (Ўзбекистон республикаси Фанлар Академияси Вице-президентининг № 2/1255-2203-сон маълумотномаси). Натижада мураккаб таркибли мишенларни вакуумли функционал қурилмада чанглатиш орқали иссиқликка сезгир қопламаларни шакллантириш технологиясини яратиш имконини берган.