Мирзарайимов Жаҳонгир Зокиржоновичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Cu ва Ir атомлари билан микро нобиржинсли легирланган кремнийнинг  электрофизик ва рекомбинация хоссалари», 01.04.07 - Конденсирланган ҳолат физикаси (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси  рўйхатга олинган рақам: -   В2022.2.PhD/FM377. 
Илмий раҳбар: Маҳмудов Шерзод Ахмадович, физика-математика фанлари бўйича фалсафа доктори (PhD), доцент. 
Диссертация бажарилган муассаса номи: Наманган муҳандислик-технология институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса (муассасалар) номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, РhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Расмий оппонентлар: Иззатилла Нуритдинов, физика-математика фанлари доктори, профессор (ЎзР ФА Ядро Физикаси институти); Асқаров Боходир, физика-математика фанлари доктори, доцент. (Андижон МИ).
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик. 
II. Тадқиқотнинг мақсади:
олдиндан нейтрон билан нурлантирилган хамда мис ва иридий атомлари билан легирланган ядровий-трансмутацияланган  кремнийнинг электрофизик ва рекомбинацион хоссаларига микро нобиржинслиликнинг таъсирини ўрганишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
n−Si<P,Р,Cu>, n−Si<P,Р,Ir> намуналар 1016-1018 нейтр./см2 оралиғида нейтрон билан нурлантирилган кремнийдаги мис ҳамда иридий киритмаларнинг электр фаол атомларининг концентрацияси, нурлантирилмаган кремнийдагига нисбатан 1,5 баробар кўплиги аниқланган;
олдиндан 1016-1018 нейтр./см2 оралиғида  нейтрон билан нурлантирилган ва мис киритма атомлари билан легирланган кремний намуналарида aсосий бўлмаган заряд ташувчилар яшаш вақти 10-5 с гача ошганлиги, нурлантирилмаган Si<P,Cu> намуналарда эса 10-7 с эканлиги,  иридий киритма атомлари билан легирланган кремний намуналарида aсосий бўлмаган заряд ташувчилар яшаш вақти 10-4 с гача ортиши, нурлантирилмаган Si<P,Ir> намуналарда эса 10-5 с эканлиги аниқланган; 
мис атомлари билан легирланган кремнийдаги асосий бўлмаган заряд ташувчиларининг яшаш вақтининг қиймати кислородли (>1017 см-3) намуналарда 10-5 с гача ортиши ва кислородсиз намуналарда 10-8 с гача камайиши ҳамда иридий билан легирланган намуналарда 10-5 с гача ортиши ва уларнинг кислородга боғлиқ эмаслиги аниқланган; 
юқори 1150 оС ҳароратларда киритмалар киритилган Si<B,P,Cu>, Si<B,P,Ir> кремнийдан ташқи таъсирларга чидамли қайд қилгичлар олиш технологияси ишлаб чиқилган. 
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Яримўтказгич хоссасига эга (Si<B,P,Cu>), (Si<B,P,Ir>) структуралардан ташкил топган элементларини электрофизик хусусиятларини ва уларни тайёрлаш усулини ўрганишда олинган натижалар асосида:
Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти томонидан 2017-2020 йилларда бажарилган ОТ-Ф2-11 “d-элементлар атомлари билан легирланган кремнийнинг сирт қатламлари ва ҳажмида наноўлчамли нуқсонларнинг шаклланиш қонуниятларини тадқиқ этиш” мавзусидаги фундаментал лойиҳани бажаришда фойдаланилган. Мазкур тадқиқот натижалардан фойдаланиш d-элементлар қириндилари билан легирланган кремний олиш технологиясини оптималлаштиришга олиб келган,  ҳарорат ва радиацияга барқарорлиги 2 баробар ортиши аниқланган. Бундан ташқари кремнийнинг сирт қатламлари ва ҳажмида наноўлчамли нуқсонларнинг концентрацияси 2-3 баробар камайишига олиб келган (ЎзМУ ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти томонидан 2021 йилнинг 17-декабрдаги №01ИК/1-113 рақамли маълуматномаси);
олдиндан нурлантирилган ва мис киритма атомлари билан легирланган кремний намуналарида aсосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг яшаш вақти 10-6 с га ошиши, нурлантирилмаган Si<P,B,Cu> намуналарда эса 10-7 с эканлиги аниқланди, олдиндан нурлантирилган ва иридий киритма атомлари билан легирланган кремний намуналарида aсосий бўлмаган заряд ташувчилар яшаш вақти 10-4 с гача ортиши, нурлантирилмаган Si<P,B,Ir> намуналарда эса 10-5 с эканлиги кўрсатилди. Олинган натижалар Андижон машинасозлик институти Ф-2-001 рақамли «Радиация таъсирида GaAs/Ge/ZnSe яримўтказгичли қаттиқ қоришмасида фотосезгирлик ва заряд ташувчиларнинг ўтиши» мавзусидаги лойиҳасида қўлланилган. Натижада кислородли (> 1017см-3) ва кислородсиз мис атомлари билан легирланган кремний асосий бўлмаган заряд ташувчиларининг яшаш вақти қиймати мос равишда ортиши ҳамда камайиши аниқланди. (Андижон машинасозлик институти томонидан 2021 йилнинг 17-декабрдаги №38-05/1788 сонли маълумотномаси.)