Mirzarayimov Jahongir Zokirjonovichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Cu va Ir atomlari bilan mikro nobirjinsli legirlangan kremniyning  elektrofizik va rekombinatsiya xossalari», 01.04.07 - Kondensirlangan holat fizikasi (fizika-matematika fanlari). 
Dissertatsiya mavzusi  ro‘yxatga olingan raqam: -   B2022.2.PhD/FM377. 
Ilmiy rahbar: Mahmudov Sherzod Axmadovich, fizika-matematika fanlari bo‘yicha falsafa doktori (PhD), dotsent. 
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Namangan muhandislik-texnologiya instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa (muassasalar) nomi, IK raqami: Farg‘ona politexnika instituti, RhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Rasmiy opponentlar: Izzatilla Nuritdinov, fizika-matematika fanlari doktori, professor (O‘zR FA Yadro Fizikasi instituti); Asqarov Boxodir, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent. (Andijon MI).
Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik. 
II. Tadqiqotning maqsadi:
oldindan neytron bilan nurlantirilgan xamda mis va iridiy atomlari bilan legirlangan yadroviy-transmutatsiyalangan  kremniyning elektrofizik va rekombinatsion xossalariga mikro nobirjinslilikning ta’sirini o‘rganishdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
n−Si<P,R,Cu>, n−Si<P,R,Ir> namunalar 1016-1018 neytr./sm2 oralig‘ida neytron bilan nurlantirilgan kremniydagi mis hamda iridiy kiritmalarning elektr faol atomlarining konsentratsiyasi, nurlantirilmagan kremniydagiga nisbatan 1,5 barobar ko‘pligi aniqlangan;
oldindan 1016-1018 neytr./sm2 oralig‘ida  neytron bilan nurlantirilgan va mis kiritma atomlari bilan legirlangan kremniy namunalarida asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar yashash vaqti 10-5 s gacha oshganligi, nurlantirilmagan Si<P,Cu> namunalarda esa 10-7 s ekanligi,  iridiy kiritma atomlari bilan legirlangan kremniy namunalarida asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar yashash vaqti 10-4 s gacha ortishi, nurlantirilmagan Si<P,Ir> namunalarda esa 10-5 s ekanligi aniqlangan; 
mis atomlari bilan legirlangan kremniydagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarining yashash vaqtining qiymati kislorodli (>1017 sm-3) namunalarda 10-5 s gacha ortishi va kislorodsiz namunalarda 10-8 s gacha kamayishi hamda iridiy bilan legirlangan namunalarda 10-5 s gacha ortishi va ularning kislorodga bog‘liq emasligi aniqlangan; 
yuqori 1150 oS haroratlarda kiritmalar kiritilgan Si<B,P,Cu>, Si<B,P,Ir> kremniydan tashqi ta’sirlarga chidamli qayd qilgichlar olish texnologiyasi ishlab chiqilgan. 
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Yarimo‘tkazgich xossasiga ega (Si<B,P,Cu>), (Si<B,P,Ir>) strukturalardan tashkil topgan elementlarini elektrofizik xususiyatlarini va ularni tayyorlash usulini o‘rganishda olingan natijalar asosida:
O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti tomonidan 2017-2020 yillarda bajarilgan OT-F2-11 “d-elementlar atomlari bilan legirlangan kremniyning sirt qatlamlari va hajmida nanoo‘lchamli nuqsonlarning shakllanish qonuniyatlarini tadqiq etish” mavzusidagi fundamental loyihani bajarishda foydalanilgan. Mazkur tadqiqot natijalardan foydalanish d-elementlar qirindilari bilan legirlangan kremniy olish texnologiyasini optimallashtirishga olib kelgan,  harorat va radiatsiyaga barqarorligi 2 barobar ortishi aniqlangan. Bundan tashqari kremniyning sirt qatlamlari va hajmida nanoo‘lchamli nuqsonlarning konsentratsiyasi 2-3 barobar kamayishiga olib kelgan (O‘zMU huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti tomonidan 2021 yilning 17-dekabrdagi №01IK/1-113 raqamli ma’lumatnomasi);
oldindan nurlantirilgan va mis kiritma atomlari bilan legirlangan kremniy namunalarida asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning yashash vaqti 10-6 s ga oshishi, nurlantirilmagan Si<P,B,Cu> namunalarda esa 10-7 s ekanligi aniqlandi, oldindan nurlantirilgan va iridiy kiritma atomlari bilan legirlangan kremniy namunalarida asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar yashash vaqti 10-4 s gacha ortishi, nurlantirilmagan Si<P,B,Ir> namunalarda esa 10-5 s ekanligi ko‘rsatildi. Olingan natijalar Andijon mashinasozlik instituti F-2-001 raqamli «Radiatsiya ta’sirida GaAs/Ge/ZnSe yarimo‘tkazgichli qattiq qorishmasida fotosezgirlik va zaryad tashuvchilarning o‘tishi» mavzusidagi loyihasida qo‘llanilgan. Natijada kislorodli (> 1017sm-3) va kislorodsiz mis atomlari bilan legirlangan kremniy asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarining yashash vaqti qiymati mos ravishda ortishi hamda kamayishi aniqlandi. (Andijon mashinasozlik instituti tomonidan 2021 yilning 17-dekabrdagi №38-05/1788 sonli ma’lumotnomasi.)