Халлоқов  Фарход Каримовичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи): «Легирланган ва электрон билан нурлантирилган TlInS2 кристалларининг тузилиши ва хоссалари», 01.04.07 – конденсирланган ҳолат физикаси. 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2019.2.PhD/FM364 
Илмий раҳбар: Ташметов Маннаб Юсупович, физика-математика фанлари доктори, профессор
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар академияси Ядро физикаси институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ядро физикаси институти, DSc.02/30.12.2019.FM/T.33.01.
Расмий оппонетлар: Ахмеджанов Фархад Рашидович, физика-математика фанлари доктори, доцент; Муссаева Малика Анваровна, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим.
Етакчи ташкилот: Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий Университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади легирланган ва электронлар билан нурлантирилган TlInS2 кристалларининг тузилиши ва хусусиятларининг ўзига хос жиҳатларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
энергияси 2 МэВ бўлган электронлар билан 2·1017 эл/см2 флюенсда нурлантириш натижасида ва “радиациявий силкитиш” асосида TlInS2 монокристалининг икки фазали (ф.г.P63/mmc гексагонал ва ф.г.C2/c моноклин структура) ҳолатдан гексагонал структура эга бўлган бир фазали (ф.г.P63/mmc) ҳолатга ўтиши аниқланган;
биринчи марта моноклин структурага эга TlInSxSe2-x(x=1) монокристалл ва поликристалининг радиацияга чидамлилиги электронлар билан 2·1017 эл/см2 флюенсда электронлар билан нурлантирилганда сақланиши аниқланган;
TlInS2 даги индий атомларини хром атомлари билан қисман алмаштириш TlIn1-xCrxS2 (x=0.01) монокристалида гексагонал структурага эга бўлган бир фазали ҳолатнинг шаклланишига ёрдам бериши ва бу структура эса 2·1017 эл/см2 флюенсда электронлар билан нурлантирилганда сақланиши аниқланган;
биринчи марта TlInS2, TlInSxSe2-x (x=1) ва TlIn1-xCrxS2 (x=0.01) монокристалларини 1.5·1017 эл/см2 флюенсда электронлар билан нурлантирилгандан сўнг кристаллитлар ўлчамининг ошиши ва дислокациялар зичлигининг камайиши ҳисобига, уларнинг микроқаттиқлигининг ошиши аниқланган;
TlInS2 монокристалидаги олтингугурт атомларининг бир қисмини селен билан алмаштирилганда тақиқланган зона кенглигининг камайиши, индий атомларининг бир қисмини хром билан алмаштирилганда тақиқланган зона кенглигининг ортиши ҳамда TlInS2, TlInSxSe2-x (x=1) ва TlIn1-xCrxS2 (x=0.01) монокристалларини 1.5·1017 эл/см2 флюенсда электронлар билан нурлантирганда эса атомлараро масофаларнинг ўзгариши туфайли тақиқланган зона кенглигининг камайиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши: Легирланган ва электронлар билан нурлантирилган TlInS2 кристалларининг тузилиши ва хоссаларини аниқлаш учун олинган натижаларга асосланиб:
TlInS2 монокристалида икки фазали ҳолатдан гексагонал структурага эга бўлган бир фазали ҳолатга ўтиш Физика институтида қўлланилган (Озарбайжон Республикаси фан ва таълим вазирлиги Физика институти 06.09.2022 йилдаги 029-08/479-сон маълумотномаси).. Илмий натижалардан фойдаланиш полиморф ўзгаришларга мойил бўлган монокристалларнинг кристалл панжараси параметрларини аниқлаштиришга имкон берган;
электронлар билан нурлантирилганда аниқланган TlInSxSe2-x(x=1) монокристал ва поликристалининг моноклиник структурасининг радиацияга чидамлилиги Физика институти "Кристаллофизика" лабораториясининг режалаштирилган мавзуси бўйича тадқиқотлар доирасида қўлланилган (Озарбайжон Республикаси фан ва таълим вазирлиги Физика институти 06.09.2022 йилдаги 029-08/479-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш мураккаб яримўтказгичларнинг физик хоссалари уларнинг таркибига боғлиқлигини таҳлил қилишга имкон берган;
TlIn1-xCrxS2 (x=0,01) монокристалида электронларнинг 2·1017 эл/см2 флюенсгача нурлантиришда бир фазали барқарор гексагонал структуранинг юзага келиши Физика институтининг "Кристаллофизика" лабораториясининг режалаштирилган мавзуси бўйича тадқиқотлар доирасида қўлланилган (Озарбайжон Республикаси фан ва таълим вазирлиги Физика институти 06.09.2022 йилдаги 029-08/479-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш мураккаб яримўтказгичлар хоссаларининг киритмалар миқдорига боғлиқлигини таҳлил қилишга имкон берган; 
TlInS2, TlInSxSe2-x ва TlIn1-xCrxS2 монокристаллари 1.5·1017 эл/см2 флюенсли электронлар билан нурлантирилгандан сўнг микроқаттиқлик белгиланган тартибда ўсиши Физика институтида қўлланилган (Озарбайжон Республикаси фан ва таълим вазирлиги Физика институти 06.09.2022 йилдаги 029-08/479-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш мураккаб яримўтказгичларнинг физик хоссалари уларнинг таркибига боғлиқлигини таҳлил қилишга имкон берган;
TlInS2, TlInSxSe2-x ва TlIn1-xCrxS2 монокристалларнинг легирланиши ва 1.5·1017 эл/см2 флюенсли электронлар билан нурлантиришида TlInS2 монокристалида тақиқланган зона кенглигининг ўзгаришлари режалаштирилган "TlGaS(Se)2 – Nd2S(Se)3, TlInS2 - TlInSe2 системаларининг кристаллофизикаси ва уларга ноёб Ер элементларининг таъсири" мавзусидаги тадқиқотлар доирасида фойдаланилган (Озарбайжон Республикаси фан ва таълим вазирлиги Физика институти 06.09.2022 йилдаги 029-08/479-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш мураккаб яримўтказгичларнинг физик хоссалари уларнинг таркиби ва киритмалар миқдоридан боғлиқлигини таҳлил қилишга имкон берган.