Xalloqov  Farxod Karimovichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i): «Legirlangan va elektron bilan nurlantirilgan TlInS2 kristallarining tuzilishi va xossalari», 01.04.07 – kondensirlangan holat fizikasi. 
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2019.2.PhD/FM364 
Ilmiy rahbar: Tashmetov Mannab Yusupovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Yadro fizikasi instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Yadro fizikasi instituti, DSc.02/30.12.2019.FM/T.33.01.
Rasmiy opponetlar: Axmedjanov Farxad Rashidovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent; Mussaeva Malika Anvarovna, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim.
Yetakchi tashkilot: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy Universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi legirlangan va elektronlar bilan nurlantirilgan TlInS2 kristallarining tuzilishi va xususiyatlarining o‘ziga xos jihatlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
energiyasi 2 MeV bo‘lgan elektronlar bilan 2·1017 el/sm2 flyuensda nurlantirish natijasida va “radiatsiyaviy silkitish” asosida TlInS2 monokristalining ikki fazali (f.g.P63/mmc geksagonal va f.g.C2/c monoklin struktura) holatdan geksagonal struktura ega bo‘lgan bir fazali (f.g.P63/mmc) holatga o‘tishi aniqlangan;
birinchi marta monoklin strukturaga ega TlInSxSe2-x(x=1) monokristall va polikristalining radiatsiyaga chidamliligi elektronlar bilan 2·1017 el/sm2 flyuensda elektronlar bilan nurlantirilganda saqlanishi aniqlangan;
TlInS2 dagi indiy atomlarini xrom atomlari bilan qisman almashtirish TlIn1-xCrxS2 (x=0.01) monokristalida geksagonal strukturaga ega bo‘lgan bir fazali holatning shakllanishiga yordam berishi va bu struktura esa 2·1017 el/sm2 flyuensda elektronlar bilan nurlantirilganda saqlanishi aniqlangan;
birinchi marta TlInS2, TlInSxSe2-x (x=1) va TlIn1-xCrxS2 (x=0.01) monokristallarini 1.5·1017 el/sm2 flyuensda elektronlar bilan nurlantirilgandan so‘ng kristallitlar o‘lchamining oshishi va dislokatsiyalar zichligining kamayishi hisobiga, ularning mikroqattiqligining oshishi aniqlangan;
TlInS2 monokristalidagi oltingugurt atomlarining bir qismini selen bilan almashtirilganda taqiqlangan zona kengligining kamayishi, indiy atomlarining bir qismini xrom bilan almashtirilganda taqiqlangan zona kengligining ortishi hamda TlInS2, TlInSxSe2-x (x=1) va TlIn1-xCrxS2 (x=0.01) monokristallarini 1.5·1017 el/sm2 flyuensda elektronlar bilan nurlantirganda esa atomlararo masofalarning o‘zgarishi tufayli taqiqlangan zona kengligining kamayishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi: Legirlangan va elektronlar bilan nurlantirilgan TlInS2 kristallarining tuzilishi va xossalarini aniqlash uchun olingan natijalarga asoslanib:
TlInS2 monokristalida ikki fazali holatdan geksagonal strukturaga ega bo‘lgan bir fazali holatga o‘tish Fizika institutida qo‘llanilgan (Ozarbayjon Respublikasi fan va ta’lim vazirligi Fizika instituti 06.09.2022 yildagi 029-08/479-son ma’lumotnomasi).. Ilmiy natijalardan foydalanish polimorf o‘zgarishlarga moyil bo‘lgan monokristallarning kristall panjarasi parametrlarini aniqlashtirishga imkon bergan;
elektronlar bilan nurlantirilganda aniqlangan TlInSxSe2-x(x=1) monokristal va polikristalining monoklinik strukturasining radiatsiyaga chidamliligi Fizika instituti "Kristallofizika" laboratoriyasining rejalashtirilgan mavzusi bo‘yicha tadqiqotlar doirasida qo‘llanilgan (Ozarbayjon Respublikasi fan va ta’lim vazirligi Fizika instituti 06.09.2022 yildagi 029-08/479-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish murakkab yarimo‘tkazgichlarning fizik xossalari ularning tarkibiga bog‘liqligini tahlil qilishga imkon bergan;
TlIn1-xCrxS2 (x=0,01) monokristalida elektronlarning 2·1017 el/sm2 flyuensgacha nurlantirishda bir fazali barqaror geksagonal strukturaning yuzaga kelishi Fizika institutining "Kristallofizika" laboratoriyasining rejalashtirilgan mavzusi bo‘yicha tadqiqotlar doirasida qo‘llanilgan (Ozarbayjon Respublikasi fan va ta’lim vazirligi Fizika instituti 06.09.2022 yildagi 029-08/479-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish murakkab yarimo‘tkazgichlar xossalarining kiritmalar miqdoriga bog‘liqligini tahlil qilishga imkon bergan; 
TlInS2, TlInSxSe2-x va TlIn1-xCrxS2 monokristallari 1.5·1017 el/sm2 flyuensli elektronlar bilan nurlantirilgandan so‘ng mikroqattiqlik belgilangan tartibda o‘sishi Fizika institutida qo‘llanilgan (Ozarbayjon Respublikasi fan va ta’lim vazirligi Fizika instituti 06.09.2022 yildagi 029-08/479-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish murakkab yarimo‘tkazgichlarning fizik xossalari ularning tarkibiga bog‘liqligini tahlil qilishga imkon bergan;
TlInS2, TlInSxSe2-x va TlIn1-xCrxS2 monokristallarning legirlanishi va 1.5·1017 el/sm2 flyuensli elektronlar bilan nurlantirishida TlInS2 monokristalida taqiqlangan zona kengligining o‘zgarishlari rejalashtirilgan "TlGaS(Se)2 – Nd2S(Se)3, TlInS2 - TlInSe2 sistemalarining kristallofizikasi va ularga noyob Er elementlarining ta’siri" mavzusidagi tadqiqotlar doirasida foydalanilgan (Ozarbayjon Respublikasi fan va ta’lim vazirligi Fizika instituti 06.09.2022 yildagi 029-08/479-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish murakkab yarimo‘tkazgichlarning fizik xossalari ularning tarkibi va kiritmalar miqdoridan bog‘liqligini tahlil qilishga imkon bergan.