Xalilloev Mahkam Muxammadsharifovichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “O‘tishsiz nanoo‘lchamli maydoniy tranzistorlarning xarakteristikalariga texnologik fluktuatsiyalarning ta’sirini modellashtirish” 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2018.1.PhD/FM201
Ilmiy rahbar: Atamuratov Atabek Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Urganch Davlat universiteti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti xuzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01 raqamli Ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Karimov Ibroxim Nabievich, fizika-matematika fanlari doktori, prof; Yodgorova Dilbara Mustafaevna, texnika fanlari doktori, prof.
Yetakchi tashkilot: Toshkent axborot texnologiyalari universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi nanoo‘lchamli izolyasiyalangan uch zatvorli, izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi  vertikal o‘tishsiz maydoniy tranzistor xarakteristikalariga, undagi qisqa kanalli effektlarga va tasodifiy telegraf shovqinga texnologik fluktatsiyalar natijasida vujudga keladigan tranzistor shakli va geometrik o‘lchamlaridagi o‘zgarishlarning ta’sirini aniqlashdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
nanometr o‘lchamlardagi izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi uch zatvorli o‘tishsiz vertikal MOYa tranzistor kanali yuqori qismi kengligi Wt ning 0 dan 5 nm gacha ortishida kanal kesimi uchburchak shakldan to‘rtburchak shaklga o‘zgarishida, kanal bo‘ylab zaryad tashuvchilar uchun potensial bar`er kamayishi hisobiga tranzistor bo‘sag‘a kuchlanishining monoton ravishda kamayishi, DIBL effekti va bo‘sag‘adan past o‘tish vol`t amper xarakteristikasining qiyaligining esa monoton ortishi aniqlangan;
nanometr o‘lchamlardagi izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi uch zatvorli o‘tishsiz vertikal MOYa tranzistorda barcha kanal shakllarida bo‘sag‘a kuchlanishining zatvor yon tomon kengligining 0 dan 2 nm qiymatlari oralig‘ida kamayib undan yuqori qiymatlarda to‘yinishga erishib deyarli o‘zgarmasdan qolishi ko‘rsatilib, bo‘sag‘a kuchlanishining ushbu xususiyati zatvor-istok (zatvor-stok) oralig‘idagi sig‘imning zatvor yon kengligiga bog‘liqlik qonuniyatidan kelib chiqishi aniqlangan;
izolyasialangan uch zatvorli o‘tishsiz vertikal MOYa tranzistor kanal osti oksid qatlami va zatvor yon tomon kengliklari bir hil ortib borishlarida, DIBL effekt va SS larining zatvor yon tomon kengayishi 0 dan 3 nm gacha oralig‘ida ortishi asosan zatvor-istok (zatvor-stok) oralig‘idagi sig‘imlarining ortishi bilan va zatvor yon tomon kengligining 3 nm dan kattaroq qiymatlarida kamayib to‘yinishga erishishi istok-baza (stok-baza) va zatvor-baza sig‘imlarining kamayishi bilan bog‘liq ekanligi kuzatilgan;
tasodifiy telegraf shovqinni o‘rganish uchun o‘tishsiz izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi nanoo‘lchamli FinFET tranzistor oksid qatlamida yoki oksid-yarimo‘tkazgich chegarasida qamralgan yakka nuqson modeli shakllantirildi hamda qamralgan yakka zaryad tomonidan generatsiyalangan tasodifiy telegraf shovqin amplitudasi zaryad sohasining shakliga va 0.1 nm dan 0.5 nm gacha chiziqli o‘lchamlari sohasida, zaryad fazoviy taqsimotiga va o‘lchamlariga deyarlik bog‘liq emasligi aniqlangan;
tasodifiy telegraf shovqini amplitudasi kanal shakliga, shuningdek qamralgan yakka zaryadning kanal bo‘ylab vaziyatiga bog‘liq ekanligi aniqlandi, bunda qamralgan yakka zaryad kanalning yon sirt chegarasida joylashganda, kanal ko‘ndalang kesimi uchburchak bo‘lgan shaklda TTSh amplitudasi qiymatlari eng kichik, to‘rtburchak va trapesiya kesim shakllarida esa  yuqori qiymatlarga ega ekanligi ko‘rsatildi hamda yakka zaryad kanalning yuqori sirtida qamralganda, generatsiyalangan TTSh amplitudasi kanal ko‘ndalang kesim shakli to‘g‘ri to‘rtburchak holda trapesiya shaklli holga nisbatan yuqori bo‘lishi va bu kanalda tokning maksimal zichligi nuqtasi va qamralgan yakka zaryad o‘rtasidagi masofa bilan bog‘liq ekanligi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Nanoo‘lchamli o‘tishsiz FinFET tranzistorning turli qismlarining geometrik o‘lcham, shakllarining tranzistor o‘tish xarakteristikasi, qisqa kanalli effektlar va tasodifiy telegraf shovqin amplitudasiga ta’sirini modellashtirish asosida:
ko‘p qatlamlardan tashkil topgan, nanoo‘lchamli yarimo‘tkazgich tranzistorlarda oksid-yarimo‘tkazgich chegarasidagi yakka nuqsonlarni modellashtirish, yarimo‘tkazgich kanalidagi potensial taqsimoti, uning turli qatlamlar o‘lchamlari bilan bog‘lanishlari va vol`t-amper xarakteristikalarni olishda foydalanilgan kvant korrektirovkalar to‘g‘risidagi ilmiy hulosalaridan “Yarim o‘tkazgichlar va ularning nanostrukturalarida fotonli kinetik samaralarning nazariy tadqiqi” mavzusidagi fundamental tadqiqot loyixasida ko‘p qatlamli o‘lchamli kvantlashgan yarimo‘tkazgichli strukturalarda fotonlar ishtiroqidagi kinetik hodisalarning nazariy tadqiqlarida va natijalarning tahlillarida qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2021 yil 19-yanvardagi 89-03-286-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish yarimo‘tkazgichli strukturalarda tok tashuvchilarning tunelli oqimlarini hisoblash imkonini bergan.
Nanoo‘lchamli vertikal o‘tishsiz uch zatvorli FinFET tranzistorining geometrik o‘lcham va shakli fluktuatsiyasining tranzistor xarakteristikalariga ta’sirini modellashtirish bo‘yicha olingan natijalar Ispaniyaning Santiago de Kompostella universitetining Kompyuter Arxitekturasi bo‘limida bajarilgan «Mukammal kompyuter hisoblashlarda yuzaga keladigan yangi muammolar echimlari va yuqori mukammal kompyuter hisoblashlar uchun texnikaviy va dasturiy usullar» loyihasida ilgarilagan maydoniy tranzistorlarni modellashtirishda qo‘llanilgan (Kompyuter Arxitekturasi bo‘limi direktorining 2021 yildagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish nanoo‘lchamdagi maydoniy tranzistorlarni, xususan vertikal o‘tishsiz maydoniy tranzistorlarning xarakteristikalariga ichki parametrlar fluktuatsiyasi ta’sirini modellashtirish imkonini bergan.