Халиллоев Маҳкам Мухаммадшарифовичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Ўтишсиз наноўлчамли майдоний транзисторларнинг характеристикаларига технологик флуктуацияларнинг таъсирини моделлаштириш” 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2018.1.PhD/FM201
Илмий раҳбар: Атамуратов Атабек Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Урганч Давлат университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти хузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.02/27.02.2020.FM/Т.110.01 рақамли Илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Каримов Иброхим Набиевич, физика-математика фанлари доктори, проф; Ёдгорова Дилбара Мустафаевна, техника фанлари доктори, проф.
Етакчи ташкилот: Тошкент ахборот технологиялари университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади наноўлчамли изоляцияланган уч затворли, изолятор устида кремний технологияси асосидаги  вертикал ўтишсиз майдоний транзистор характеристикаларига, ундаги қисқа каналли эффектларга ва тасодифий телеграф шовқинга технологик флуктациялар натижасида вужудга келадиган транзистор шакли ва геометрик ўлчамларидаги ўзгаришларнинг таъсирини аниқлашдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
нанометр ўлчамлардаги изолятор устида кремний технологияси асосидаги уч затворли ўтишсиз вертикал МОЯ транзистор канали юқори қисми кенглиги Wt нинг 0 дан 5 нм гача ортишида канал кесими учбурчак шаклдан тўртбурчак шаклга ўзгаришида, канал бўйлаб заряд ташувчилар учун потенциал барьер камайиши ҳисобига транзистор бўсаға кучланишининг монотон равишда камайиши, DIBL эффекти ва бўсағадан паст ўтиш вольт ампер характеристикасининг қиялигининг эса монотон ортиши аниқланган;
нанометр ўлчамлардаги изолятор устида кремний технологияси асосидаги уч затворли ўтишсиз вертикал МОЯ транзисторда барча канал шаклларида бўсаға кучланишининг затвор ён томон кенглигининг 0 дан 2 нм қийматлари оралиғида камайиб ундан юқори қийматларда тўйинишга эришиб деярли ўзгармасдан қолиши кўрсатилиб, бўсаға кучланишининг ушбу хусусияти затвор-исток (затвор-сток) оралиғидаги сиғимнинг затвор ён кенглигига боғлиқлик қонуниятидан келиб чиқиши аниқланган;
изоляциаланган уч затворли ўтишсиз вертикал МОЯ транзистор канал ости оксид қатлами ва затвор ён томон кенгликлари бир ҳил ортиб боришларида, DIBL эффект ва SS ларининг затвор ён томон кенгайиши 0 дан 3 нм гача оралиғида ортиши асосан затвор-исток (затвор-сток) оралиғидаги сиғимларининг ортиши билан ва затвор ён томон кенглигининг 3 нм дан каттароқ қийматларида камайиб тўйинишга эришиши исток-база (сток-база) ва затвор-база сиғимларининг камайиши билан боғлиқ эканлиги кузатилган;
тасодифий телеграф шовқинни ўрганиш учун ўтишсиз изолятор устида кремний технологияси асосидаги наноўлчамли FinFET транзистор оксид қатламида ёки оксид-яримўтказгич чегарасида қамралган якка нуқсон модели шакллантирилди ҳамда қамралган якка заряд томонидан генерацияланган тасодифий телеграф шовқин амплитудаси заряд соҳасининг шаклига ва 0.1 нм дан 0.5 нм гача чизиқли ўлчамлари соҳасида, заряд фазовий тақсимотига ва ўлчамларига деярлик боғлиқ эмаслиги аниқланган;
тасодифий телеграф шовқини амплитудаси канал шаклига, шунингдек қамралган якка заряднинг канал бўйлаб вазиятига боғлиқ эканлиги аниқланди, бунда қамралган якка заряд каналнинг ён сирт чегарасида жойлашганда, канал кўндаланг кесими учбурчак бўлган шаклда ТТШ амплитудаси қийматлари энг кичик, тўртбурчак ва трапеция кесим шаклларида эса  юқори қийматларга эга эканлиги кўрсатилди ҳамда якка заряд каналнинг юқори сиртида қамралганда, генерацияланган ТТШ амплитудаси канал кўндаланг кесим шакли тўғри тўртбурчак ҳолда трапеция шаклли ҳолга нисбатан юқори бўлиши ва бу каналда токнинг максимал зичлиги нуқтаси ва қамралган якка заряд ўртасидаги масофа билан боғлиқ эканлиги аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Наноўлчамли ўтишсиз FinFET транзисторнинг турли қисмларининг геометрик ўлчам, шаклларининг транзистор ўтиш характеристикаси, қисқа каналли эффектлар ва тасодифий телеграф шовқин амплитудасига таъсирини моделлаштириш асосида:
кўп қатламлардан ташкил топган, наноўлчамли яримўтказгич транзисторларда оксид-яримўтказгич чегарасидаги якка нуқсонларни моделлаштириш, яримўтказгич каналидаги потенциал тақсимоти, унинг турли қатламлар ўлчамлари билан боғланишлари ва вольт-ампер характеристикаларни олишда фойдаланилган квант корректировкалар тўғрисидаги илмий ҳулосаларидан “Ярим ўтказгичлар ва уларнинг наноструктураларида фотонли кинетик самараларнинг назарий тадқиқи” мавзусидаги фундаментал тадқиқот лойихасида кўп қатламли ўлчамли квантлашган яримўтказгичли структураларда фотонлар иштироқидаги кинетик ҳодисаларнинг назарий тадқиқларида ва натижаларнинг таҳлилларида қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2021 йил 19-январдаги 89-03-286-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш яримўтказгичли структураларда ток ташувчиларнинг тунелли оқимларини ҳисоблаш имконини берган.
Наноўлчамли вертикал ўтишсиз уч затворли FinFET транзисторининг геометрик ўлчам ва шакли флуктуациясининг транзистор характеристикаларига таъсирини моделлаштириш бўйича олинган натижалар Испаниянинг Сантиаго де Компостелла университетининг Компьютер Архитектураси бўлимида бажарилган «Мукаммал компьютер ҳисоблашларда юзага келадиган янги муаммолар ечимлари ва юқори мукаммал компьютер ҳисоблашлар учун техникавий ва дастурий усуллар» лойиҳасида илгарилаган майдоний транзисторларни моделлаштиришда қўлланилган (Компьютер Архитектураси бўлими директорининг 2021 йилдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш наноўлчамдаги майдоний транзисторларни, хусусан вертикал ўтишсиз майдоний транзисторларнинг характеристикаларига ички параметрлар флуктуацияси таъсирини моделлаштириш имконини берган.