Амонов Қобил Ашрафовичининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Кремний-рух селениди, кремний-германий-рух селениди қаттиқ қоришмалари ва улар асосидаги тузилмаларнинг фотоэлектрик хусусиятлари”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2019.4.PhD/FM78
Илмий раҳбар: Саидов Амин Сафарбаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12
Расмий оппонентлар: Мамадалимов Абдугафур Тишабаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор, ЎзР ФА академиги; Гулямов Гафур, физика-математика фанлари доктори, профессор. 
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси У.А.Арифов номидаги Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади: (Si2)1-x(ZnSe)x ва (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмаларни олиш, улар асосида яратилган p–n– тузилмаларнинг фото- ва  электрик хусусиятларига ҳарорат ва γ-нурланишлар таъсир даражасини тадқиқ қилиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк маротаба, Si-тагликларига (Si2)1-x(ZnSe)x ва (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y эпитаксиал қатламлари ўстирилди ҳамда ўстиришнинг энг қулай технологик шартлари аниқланган;
ўстирилган (Si2)1-x(ZnSe)x ва (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y эпитаксиал қатламлар мос равишда панжара доимийлари аSiZnSe=5.4424 Å и аSiGeZnSe=5.4596 Å олмоссимон тузилишга эга, ҳамда (111) йуналишли монокристалл эканлиги аниқланган;
Ge2 жуфт атомлари ва ZnSe молекулалари субкристалл бўлиниш соҳаларида Si2 молекулалари билан қисман ўрин алмашган ҳолда жойлашиши, ва бу ZnSe и Ge2 критмалар бу жойларда нанокристалларни шакиллантириши аниқланган;
илк бор, (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмаси эпитаксиал қатлами ва таглик ўртасида жойлашган ўтиш қатламининг солиштирма қаршилигининг ҳароратга боғлиқлигини ифодаловчи ρ = 3,48·106e-0,67T кўринишдаги эмпирик формула аниқланган;
p-Si–n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетеротузилмада ёруғлик ва иссиқликнинг биргаликдаги  таъсирида эркин электрон ва ковакларнинг генерацияси ҳисобига потенциаллар фарқи ва электр токининг пойдо бўлиши аниқланди; 
илк бор, (Si2)1-x(ZnSe)x ва (Si2)1-x-у(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмаларининг энегетик соҳа диаграммаларида ZnSe  нанокристаллитлари қиймати 2,55 эВ ва 2.655 эВ  га тенг бўлган энергия сатҳи ҳосил қилиши аниқланган;
p-Si–n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетеротузилмани 105 рад дозагача -нурида нурлантирилиши, унинг фотосезгирлиги спектрал диапазонини 0,95 эВ  дан 2,925 эВ гача кенгайишига олиб келиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. p – n-тузилмаларнинг фото- ва электр хусусиятларига ҳарорат ва -нурланиш таъсир даражасини ўрганиш, (Si2)1-x(ZnSe)х ва (Si2)1-x-у(Ge2)x(ZnSe)у қаттиқ қоришмаларни ўстириш бўйича олинган натижалар асосида:  
қаттиқ қоришмалар валент соҳасида 2,55 эВ ва 2,655 эВ бўлган ZnSe киритма сатҳи туфайли p-Si–n-(Si2)1-x(ZnSe)x ва p-Si–n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетеротузилмаларда фототок юзага келиши бўйича натижалар Андижон давлат университетеда бажарилган «Легирланган кремний ҳажми ва сиртидаги квант ўлчамли эффектлар ва уларнинг p – n-тузилмаларда заряд ташувчилар фотогенерацияси ва рекомбинацияси жараёнларига таъсири» фундаментал лойиҳасида, турли киритмалар билан легирланган кремнийли тузилмаларда ток ташувчиларнинг кўчиш жараёнларини тавсифлашда қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2020 йил 25 июндаги № 89-03-2269-сонли маълумотнимаси). Илмий натижалардан фойдаланиш кремний асосидаги p–n- гетеротузилма-ларнинг фотосезгирлик спектрини ошириш имконини берган. 
Мос равишда панжара доимийлари аSiZnSe=5,4424 Å ва аSiGeZnSe=5,4596 Å бўлган ва (111) кристаллографик йуналишли (Si2)1-x(ZnSe)x и (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмаларни ўстириш усули, шунингдек, p-Si–n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y гетеротузилмада эркин электронлар ва ковакларнинг фото- ва иссиқлик биргаликдаги таъсирида электр токи ва потенциаллар фарқи юзага келиши - фототепловольтаик эффекти аниқланиши «ФОТОН» акциядорлик жамиятида яримўтказгичли пластинкалар ва гетеро- электрон-ковак ўтишлар олишда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2021 йил 24- сентябрдаги № 04-3/1785-маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш тажрибавий намуналарни бир қанча партиясини ишлаб чиқариш имконини берган.