Amonov Qobil Ashrafovichining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.  
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Kremniy-rux selenidi, kremniy-germaniy-rux selenidi qattiq qorishmalari va ular asosidagi tuzilmalarning fotoelektrik xususiyatlari”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2019.4.PhD/FM78
Ilmiy rahbar: Saidov Amin Safarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Mamadalimov Abdugafur Tishabaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor, O‘zR FA akademigi; Gulyamov Gafur, fizika-matematika fanlari doktori, professor. 
Etakchi tashkilot: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi U.A.Arifov nomidagi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi: (Si2)1-x(ZnSe)x va (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y qattiq qorishmalarni olish, ular asosida yaratilgan p–n– tuzilmalarning foto- va  elektrik xususiyatlariga harorat va γ-nurlanishlar ta’sir darajasini tadqiq qilish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk marotaba, Si-tagliklariga (Si2)1-x(ZnSe)x va (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y epitaksial qatlamlari o‘stirildi hamda o‘stirishning eng qulay texnologik shartlari aniqlangan;
o‘stirilgan (Si2)1-x(ZnSe)x va (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y epitaksial qatlamlar mos ravishda panjara doimiylari aSiZnSe=5.4424 Å i aSiGeZnSe=5.4596 Å olmossimon tuzilishga ega, hamda (111) yunalishli monokristall ekanligi aniqlangan;
Ge2 juft atomlari va ZnSe molekulalari subkristall bo‘linish sohalarida Si2 molekulalari bilan qisman o‘rin almashgan holda joylashishi, va bu ZnSe i Ge2 kritmalar bu joylarda nanokristallarni shakillantirishi aniqlangan;
ilk bor, (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y qattiq qorishmasi epitaksial qatlami va taglik o‘rtasida joylashgan o‘tish qatlamining solishtirma qarshiligining haroratga bog‘liqligini ifodalovchi ρ = 3,48·106e-0,67T ko‘rinishdagi empirik formula aniqlangan;
p-Si–n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilmada yorug‘lik va issiqlikning birgalikdagi  ta’sirida erkin elektron va kovaklarning generatsiyasi hisobiga potensiallar farqi va elektr tokining poydo bo‘lishi aniqlandi; 
ilk bor, (Si2)1-x(ZnSe)x va (Si2)1-x-u(Ge2)x(ZnSe)y qattiq qorishmalarining enegetik soha diagrammalarida ZnSe  nanokristallitlari qiymati 2,55 eV va 2.655 eV  ga teng bo‘lgan energiya sathi hosil qilishi aniqlangan;
p-Si–n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilmani 105 rad dozagacha -nurida nurlantirilishi, uning fotosezgirligi spektral diapazonini 0,95 eV  dan 2,925 eV gacha kengayishiga olib kelishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. p – n-tuzilmalarning foto- va elektr xususiyatlariga harorat va -nurlanish ta’sir darajasini o‘rganish, (Si2)1-x(ZnSe)x va (Si2)1-x-u(Ge2)x(ZnSe)u qattiq qorishmalarni o‘stirish bo‘yicha olingan natijalar asosida:  
qattiq qorishmalar valent sohasida 2,55 eV va 2,655 eV bo‘lgan ZnSe kiritma sathi tufayli p-Si–n-(Si2)1-x(ZnSe)x va p-Si–n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilmalarda fototok yuzaga kelishi bo‘yicha natijalar Andijon davlat universiteteda bajarilgan «Legirlangan kremniy hajmi va sirtidagi kvant o‘lchamli effektlar va ularning p – n-tuzilmalarda zaryad tashuvchilar fotogeneratsiyasi va rekombinatsiyasi jarayonlariga ta’siri» fundamental loyihasida, turli kiritmalar bilan legirlangan kremniyli tuzilmalarda tok tashuvchilarning ko‘chish jarayonlarini tavsiflashda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2020 yil 25 iyundagi № 89-03-2269-sonli ma’lumotnimasi). Ilmiy natijalardan foydalanish kremniy asosidagi p–n- geterotuzilma-larning fotosezgirlik spektrini oshirish imkonini bergan. 
Mos ravishda panjara doimiylari aSiZnSe=5,4424 Å va aSiGeZnSe=5,4596 Å bo‘lgan va (111) kristallografik yunalishli (Si2)1-x(ZnSe)x i (Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y qattiq qorishmalarni o‘stirish usuli, shuningdek, p-Si–n-(Si2)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilmada erkin elektronlar va kovaklarning foto- va issiqlik birgalikdagi ta’sirida elektr toki va potensiallar farqi yuzaga kelishi - fototeplovol`taik effekti aniqlanishi «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida yarimo‘tkazgichli plastinkalar va getero- elektron-kovak o‘tishlar olishda qo‘llanilgan («O‘zeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2021 yil 24- sentyabrdagi № 04-3/1785-ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish tajribaviy namunalarni bir qancha partiyasini ishlab chiqarish imkonini bergan.