Sapaev Ibroxim Bayramdurdievichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kadmiy sul`fid va kremniy orasi geteroo‘tishlar asosidagi injeksion fotodiodlarda elektron jarayonlar», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.1.PhD/FM38.

Ilmiy rahbar: Mirsagatov Shavkat Akramovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Fizika-texnika instituti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01 raqamli bir martalik ilmiy kengash.

Rasmiy opponentlar: Abduraxmanov Kaxxor Pattaxovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Kamalov Amangeldi Bazarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori.

Yetakchi tashkilot: Namangan davlat universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: n⁺CdS–nCdS–pSi va n⁺CdS–nCdS–nSi-geterotuzilmalari asosidagi injeksiyali fotodiodlarning tok tashish mexanizmlarini hamda ularning dinamik va statistik xarakteristikalarini izohlaydigan elektron jarayonlarni aniqlashdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

kvaziyopiq vakuum tizimida CdS kukunini purkash yo‘li bilan ilk bor kremniy taglikda CdS yupqa qatlamlari olinib, ular asosida ichki kuchaytirishga va sozlanuvchi spektral sezgirlik diapazoniga ega bo‘lgan injeksiyalik fotoqabulgich sifatida ishlaydigan n⁺CdS–nCdS–pSi- va n⁺CdS–nCdS–nSi-geterotuzilmalar tayyorlash texnolgiyasi ishlab chiqilgan;

n⁺CdS – nCdS – pSi-geterotuzilma 389–1238 nm to‘lqin uzunliklar oralig‘ida joylashgan keng qamrovli spektral sezgirlik diapazonida “cho‘qqisi” 475 nm to‘lqin uzunlikda yotgan bitta katta va mos ravishda 618 nm, 740 nm va 821,8 nm to‘lqin uzunliklarda yotgan  uchta kichik “cho‘qqi”lar kirishmalarning har xil sathlarga egaligi tasdiqlangan;

termodinamik muvozanat holatida nCdS–pSi-geteroo‘tish chegarasida sirt potensialining qiymati ψ_s= 0,04 eV ga teng bo‘lgan akseptor tipidagi manfiy zaryadlangan sirt holatlari hosil bo‘lishi, sirt potensiali ψ_S manfiy qutbli bo‘lganda, sirt holatlari zichligi (N_SS) katta  qiymatlarga ψ_S musbat bo‘lganda esa kichik qiymatlar qabul qilishi asoslangan;

to‘g‘ri yo‘nalishdagi kuchlanishning ortishi bilan pSi-taglikdan baza sohasiga elektronlar injeksiyasining ortishi fototokning ortishiga va spektral diapazonining qisqa to‘lqin tomoniga kengayishi tok tashuvchilarning yig‘ilish koeffisienti ortishi bilan bog‘liqligi isbotlangan;

373Kga qizdirilgan nCdS–pSi va nCdS–nSi-geterotuzilmalar yuzasiga indiyni vakuumda termikpurkash va keyinchalik 673K haroratda 30 sek. davomida termik ishlov berish yo‘li bilan nCdS yupqa qatlami ustida kuchli legirlangan yupqa n⁺CdS qatlamni shakllantirish va  kontakt olishning rejimlari optimallashtirilgan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.

n⁺CdS–nCdS–pSi va n⁺CdS–nCdS–nSi-geterotuzilmalari asosidagi injeksiyali fotodiodlarning tok tashish mexanizmlari hamda ularning dinamik va statistik xarakteristikalarini izohlaydigan elektron jarayonlarni aniqlash natijalari asosida:

yupqa qatlam yuzasiga kontakt olishning texnologik rejimlari T15MN-001raqamli «Qoplangan tibbiyot asboblariga metallotsenlar va fullerid metallarning fizik va antibakterial xususiyatlarini tadqiq qilish va medisina asboblarida qo‘llash imkoniyatlarini aniqlash» (2015–2017yy.) xalqaro loyihasida yupqa qatlamli namunalarga omik kontakt olishda qo‘llanilgan (Belarus` Milliy akademiyasi Issiqlik va massa almashinuv institutining 2017 yil 11 oktyabrdagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish nanotuzilmali namunalarga kontakt olish va namunalarning tok xarakteristikalarining fizik xususiyatlarini tadqiq qilish imkonini bergan;

kadmiy sul`fidiga vakuumda magnetron purkash yo‘li bilan kontakt olish usuli F2-FA-F161-raqamli «Erkin yupqa qatlamlar (Al, Cu, Ag, va Cu-Si) va hajmiy kristallar (W, WOn, TiN, CdTe i SiO2) yuzasida ion implantatsiyasi usuli bilan nanoo‘lchamli  geterotuzilmalarning shakllanish mexanizmlarini va fizik-kimyoviy xususiyatlarini o‘rganish» (2012–2016 yy.)  grang loyihasida nanoqatlamlar ustida omik qarshiligi kichik bo‘lgan kontaktlar olishda qo‘llanilgan (Fan va texnologiyalar agentligining 2017 yil 21 noyabrdagi FTA-02-11/1150-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish erkin yupqa qatlamlardan qaytgan va ular orqali o‘tgan elektronlar energiya yo‘qotish xarakteristik spektrlarining dispersiyasini aniqlash imkonini bergan.