Mustafoeva Nodira Moylievnaning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Ion implantatsiya va yuqori vakuumli o‘tqazish usullari bilan olingan silisid nanoplyonkalarning strukturasi va elektron xususiyatlari”, 01.04.04-Fizik elektronika. 
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.2.PhD/FM506 
Ilmiy rahbar: Tashatov Allanazar Qarshievich, fizika-matematika fanlari doktori.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa: Qarshi davlat universiteti va Toshkent davlat Texnika universiteti. 
Rasmiy opponentlar: Turaev Ergash Yuldashovich,  fizika-matematika fanlari doktori, professor. Bekpulatov Ilxom Rustam o‘g‘li , PhD, dotsent.  
Yetakchi tashkilot: U.A. Arifov nomidagi Ion – plazma va lazer texnologiyalari instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: fundamental va amaliy tadqiqotlarda ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi qattiq fazadan qoplash  va ion bombardirovka jarayonlarida Si ning yuza va yuzaosti qatlamlarida NiSi2 ning nanoo‘lchamli fazalari va qatlamlari shakllanishining fizik qonuniyatlarini, ularning tarkibi, elektron va kristall strukturalari, emission va optik xususiyatlarini ochib berishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
Si monokristallini Ar+ ionlari bilan bombardimon qilish jarayonida  yuza tartibsizlanishi optik parametrlar o‘zgarishinining asosiy sababi  ekanligi aniqlangan;
NiSi2 plenkasini QFE usulida 180-250 Å qalinlikgacha o‘stirishda orolchalar ko‘rinishidagi o‘sishi  Å bo‘lganda esa uzluksiz plyonka shakllanishi orqali NiSi2/Si(111) plyonkalaridagi QFE ning yuza morfologiyasi, tarkibi, elektron va kristall strukturalari ishlab chiqilgan;
NiSi2/Si(111) plyonkalarini T≈1000-1400 K temperatura oralig‘ida qizdirish jarayonida ular  morfologiyasining o‘zgarish qonuniyatlari, tarkibi va elektron strukturalari aniqlangan;
Si(111) ning turli qalinliklarida yuzaga keladigan NiSi2 ning yashirin nanofaza va nanoqatlamlari olingan va ularning tarkibi, taqiqlangan zonasi 0,6 eV ga tengligi, energetik zonalarning parametrlari va valent zonadagi elektronlar taqsimot zichligi QFE usulida aniqlangan; 
Ni ni Si ga implantatsiya qilish va keyingi qizdirish yo‘li bilan NiSi2/Si/NiSi2/Si(111) to‘rt qatlamli epitaksial nanoqatlamli sistemaning shakllanish jarayoni aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. 
Ion implantatsiya va yuqori vakuumli o‘tqazish usullari bilan olingan silisid nanoplyonkalarning strukturasi va elektron xususiyatlari bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida: 
NiSi2/Si(111) plyonkalarini T≈1000-1400 K temperatura oralig‘ida qizdirish jarayonida ular  morfologiyasining o‘zgarish qonuniyatlari, tarkibi va elektron strukturalari ko‘rsatib berilishiga doir ilmiy xulosalaridan  OT–F3–13 «Kremniy – silisid – metall erkin ko‘pqatlamli nanoplyonkali strukturalarning shakllanish mexanizmlari va ularning elektron va kristall strukturalarini o‘rganish» nomli fundamental loyihasini bajarishda foydalanilgan. (O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari institutining 2021 yil 9 noyabrdagi 01-574-son ma’lumotnomasi). Natijada FinFET  transiztorining oksid- yarimo‘tkazgich chegarasida qamralgan yakka zaryadning o‘tish tokiga ta’sirni modellash imkonini bergan; 
Ni ni Si ga implantatsiya qilish va keyingi qizdirish yo‘li bilan  NiSi2/Si/NiSi2/Si(111) to‘rt qatlamli epitaksial nanoqatlamli sistemaning shakllanish jarayoni aniqlanishiga oid ilmiy xulosalaridan “O‘zeltexsanoat” AK ning “Foton” AJ da ishlab chiqariladigan elektron komponentlarni kontaktli payvandlashda qo‘llanilgan. (“O‘zeltexsanoat” AKning 2021 yil 05 oktyabrdagi 362-son ma’lumotnomasi). Natijada kirishma atomlari bilan ligerlangan kremniy asosida yorug‘likka sezgirligi yuqori bo‘lgan datchiklar olish imkonini bergan.