Мустафоева Нодира Мойлиевнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Ион имплантация ва юқори вакуумли ўтқазиш усуллари билан олинган силицид наноплёнкаларнинг структураси ва электрон хусусиятлари”, 01.04.04-Физик электроника. 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2020.2.PhD/FM506 
Илмий раҳбар: Ташатов Алланазар Қаршиевич, физика-математика фанлари доктори.
Диссертация бажарилган муассаса: Қарши давлат университети ва Тошкент давлат Техника университети. 
Расмий оппонентлар: Тураев Эргаш Юлдашович,  физика-математика фанлари доктори, профессор. Бекпулатов Илхом Рустам ўғли , PhD, доцент.  
Етакчи ташкилот: У.А. Арифов номидаги Ион – плазма ва лазер технологиялари институти.
Диссертация йўналиши: фундаментал ва амалий тадқиқотларда аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади қаттиқ фазадан қоплаш  ва ион бомбардировка жараёнларида Si нинг юза ва юзаости қатламларида NiSi2 нинг наноўлчамли фазалари ва қатламлари шаклланишининг физик қонуниятларини, уларнинг таркиби, электрон ва кристалл структуралари, эмиссион ва оптик хусусиятларини очиб беришдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Si монокристаллини Ar+ ионлари билан бомбардимон қилиш жараёнида  юза тартибсизланиши оптик параметрлар ўзгаришинининг асосий сабаби  эканлиги аниқланган;
NiSi2 пленкасини ҚФЭ усулида 180-250 Å қалинликгача ўстиришда оролчалар кўринишидаги ўсиши  Å бўлганда эса узлуксиз плёнка шаклланиши орқали NiSi2/Si(111) плёнкаларидаги ҚФЭ нинг юза морфологияси, таркиби, электрон ва кристалл структуралари ишлаб чиқилган;
NiSi2/Si(111) плёнкаларини Т≈1000-1400 К температура оралиғида қиздириш жараёнида улар  морфологиясининг ўзгариш қонуниятлари, таркиби ва электрон структуралари аниқланган;
Si(111) нинг турли қалинликларида юзага келадиган NiSi2 нинг яширин нанофаза ва наноқатламлари олинган ва уларнинг таркиби, тақиқланган зонаси 0,6 эВ га тенглиги, энергетик зоналарнинг параметрлари ва валент зонадаги электронлар тақсимот зичлиги ҚФЭ усулида аниқланган; 
Ni ни Si га имплантация қилиш ва кейинги қиздириш йўли билан NiSi2/Si/NiSi2/Si(111) тўрт қатламли эпитакциал наноқатламли системанинг шаклланиш жараёни аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
Ион имплантация ва юқори вакуумли ўтқазиш усуллари билан олинган силицид наноплёнкаларнинг структураси ва электрон хусусиятлари бўйича олинган илмий натижалар асосида: 
NiSi2/Si(111) плёнкаларини Т≈1000-1400 К температура оралиғида қиздириш жараёнида улар  морфологиясининг ўзгариш қонуниятлари, таркиби ва электрон структуралари кўрсатиб берилишига доир илмий хулосаларидан  ОТ–Ф3–13 «Кремний – силицид – металл эркин кўпқатламли наноплёнкали структураларнинг шаклланиш механизмлари ва уларнинг электрон ва кристалл структураларини ўрганиш» номли фундаментал лойиҳасини бажаришда фойдаланилган. (ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институтининг 2021 йил 9 ноябрдаги 01-574-сон маълумотномаси). Натижада FinFET  трансизторининг оксид- яримўтказгич чегарасида қамралган якка заряднинг ўтиш токига таъсирни моделлаш имконини берган; 
Ni ни Si га имплантация қилиш ва кейинги қиздириш йўли билан  NiSi2/Si/NiSi2/Si(111) тўрт қатламли эпитакциал наноқатламли системанинг шаклланиш жараёни аниқланишига оид илмий хулосаларидан “Ўзэлтехсаноат” АК нинг “Фотон” АЖ да ишлаб чиқариладиган электрон компонентларни контактли пайвандлашда қўлланилган. (“Ўзэлтехсаноат” АКнинг 2021 йил 05 октябрдаги 362-сон маълумотномаси). Натижада киришма атомлари билан лигерланган кремний асосида ёруғликка сезгирлиги юқори бўлган датчиклар олиш имконини берган.