Утамурадова Шарифа Бекмурадовнанинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Т-ионлар билан легирланган кремнийдаги нуқсонли марказларнинг ҳосил бўлиш ва ривожланиш жараёнлари», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.1.DSc/FM45.
Илмий маслаҳатчи: Абдурахманов Кахар Паттахович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.
Расмий оппонентлар: Зайнабиддинов Сирожиддин, физика-математика фанлари доктори, профессор; Баграев Николай Таймуразович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Камалов Амангелди Базарбаевич, физика-математика фанлари доктори.
Етакчи ташкилот: Қорақаплпоқ давлат университети.
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Т-ионлар киришмалари билан легирланган монокристалл кремний нуқсонли структурасининг ҳосил бўлиш ва ривожланиш жараёнларини ҳамда чуқур марказлар ҳосил бўлиш жараёнига технологик, ноёб ер элементлари ва изовалент киришмаларнинг таъсирини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор чуқур сатҳларининг ностационар сиғимли спектроскопияси (DLTS) ва электрон парамагнит резонанс (ЭПР) ёрдамида, кремнийда Т-ионлар киришмалари (марганец, темир, хром, кобальт ва бошқалар) ҳосил қиладиган ионлашиш энергияси айни миқдордаги ва тутиш кесимига эга бўлган чуқур сатҳларни (энергетик спектрини) парамагнит марказларнинг электрон структураси билан идентификация қилинган;
ўтувчи элементлар (Т-ионлар) киришмалари билан кремнийни легирлашнинг физика-кимёвий аспектлари ва технологияси такомиллаштирилган;
Т-ионлар киришмалари билан легирланган кремний монокристалли нуқсонли структурасининг ҳосил бўлиши ва ривожланиши турли технологик факторларга, яъни кристаллнинг айни вақтдан олдинги термик ҳолати ва структуранинг такомиллиги, қиздирилиш ҳарорати ва легирлашдан сўнгги совутилиш тезлиги, ундан олдинги паст ва юқори ҳароратли ишлов беришлар, шунингдек, кремнийни ўтувчи элементлар билан легирлаш усулига боғлиқлиги исботланган;
кремнийга киритилган Т-ионлар киришмалари (Mn, Fe, Cr, Co) технологик киришмалар (кислород ва углерод) билан ўзаро таъсирлашуви натижасида киришмани киритиш усули ва уни турига боғлиқ равишда оптик фаол кислород (от 10 до 50%) концентрациясининг камайиши аниқланган;
сиғимли спектроскопия усули билан монокристалл кремнийга 450–5500С ва 900–12000С ҳароратлар оралиғида ҳар хил вақтда берилган термик ишловлар натижасида кислороднинг интенсив препитацияси ва ўлчамлари 10–100 мкм ни ташкил этадиган 2-фазанинг ажралмалари (SiO2 ва SiO4 заррачалари) ҳосил бўлиши исботланган;
Т-ионлар киришмалари мавжуд бўлган кремний намуналарида марганец киритишнинг одатий режимида ноаниқ шаклдаги (~500 А ўлчамли) ва катта зичликдаги заррачалар, яъни қўшимча фаза (марганец силикати) рентген топографияси ва электрон микроскопия усуллари билан аниқланган;
Т-ионларнинг махсус киритилган киришмалар билан киришмалараро таъсирлашуви назорат қилинмайдиган киришмаларни кремний ҳажмидан юза қисмига локал геттерланишига олиб келиши аниқланган;
Т-ионлар киришмаларини белгиланган миқдорий мутаносибликда киритиш йўли билан термик ва радиацион нуқсонларнинг самарадорлиги 0.5–1.0 тартибга пасайиши аниқланган ва параметрларнинг термик барқарорлиги ва радиацион чидамлилигини ошириш усули ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Т-ионлар аралашмалари билан легирланган кремнийда нуқсон ҳосил бўлиши жараёнларини тадқиқ қилиш натижалари асосида:
структуралар нуқсонлиги технологик маршрутининг турли босқичлари учун ишлаб чиқилган босқичма-босқич назорат қилиш усули «FOТON» акциядорлик жамиятида М32-63 диодлар ва М208 симисторлардаги мавжуд бўлган назорат қилинмайдиган нуқсонлар миқдорини кескин камайтиришда ишлатилган («Узэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2017 йил 25 сентябрдаги 02-1954-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш нодир ер элементлари каби нейтрал киришмаларни киритиш йўли билан назорат қилинмайдиган нуқсон марказлари концентрациясини 5–6 марта камайтириш имконини берган;
темир киришмаларини Т-ионлар киришмалари билан самарали геттерлаш бўйича олинган натижалар «FOТON» акциядорлик жамияти томонидан кремний асосидаги термик барқарор ва радиацион чидамли материаллар ва структуралар олишда ишлатилган («Узэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2017 йил 25 сентябрдаги 02-1954-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши Т-ионлар киришмалари билан легирланган кремний асосида ўртача қувватли кремнийли диодларнинг иссиқликка чидамлилигини оширган;
термик барқарор ва нурланишга чидамли материалларни олиш, яъни кремний ҳажмида наноўлчамли дефектларни Т-ионлар киришмаларини киритиш йўли билан ҳосил қилиш технологияси А-3-73 рақамли “Яримўтказгичли материалларда кластерли киришма атомлари тақсимоти ва концентрациясини бошқариш қурилмасини яратиш ва ишга тушириш” лойиҳасида кластерли яримўтказгичларни барқарорлаштириб, кластерли киришма атомлари тақсимоти ва концентрациясини бошқариш қурилмасини яратишда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 20 сентябрдаги ФТА-01-02/690-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш яримўтказгичлардаги кластерлар концентрацияси ва тақсимотини самарали бошқариш имконини берган.
