Utamuradova Sharifa Bekmuradovnaning

fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «T-ionlar bilan legirlangan kremniydagi nuqsonli markazlarning hosil bo‘lish va rivojlanish jarayonlari», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.1.DSc/FM45.

Ilmiy maslahatchi: Abduraxmanov Kaxar Pattaxovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Milliy universiteti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.

Rasmiy opponentlar: Zaynabiddinov Sirojiddin, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Bagraev Nikolay Taymurazovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Kamalov Amangeldi Bazarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori.

Yetakchi tashkilot: Qoraqaplpoq davlat universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: T-ionlar kirishmalari bilan legirlangan monokristall kremniy nuqsonli strukturasining hosil bo‘lish va rivojlanish jarayonlarini hamda chuqur markazlar hosil bo‘lish jarayoniga texnologik, noyob er elementlari va izovalent kirishmalarning ta’sirini aniqlashdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

ilk bor chuqur sathlarining nostatsionar sig‘imli spektroskopiyasi (DLTS) va elektron paramagnit rezonans (EPR) yordamida, kremniyda T-ionlar kirishmalari (marganes, temir, xrom, kobal`t va boshqalar) hosil qiladigan ionlashish energiyasi ayni miqdordagi va tutish kesimiga ega bo‘lgan chuqur sathlarni (energetik spektrini) paramagnit markazlarning elektron strukturasi bilan identifikatsiya qilingan;

o‘tuvchi elementlar (T-ionlar) kirishmalari bilan kremniyni legirlashning fizika-kimyoviy aspektlari va texnologiyasi takomillashtirilgan;

T-ionlar kirishmalari bilan legirlangan kremniy monokristalli nuqsonli strukturasining hosil bo‘lishi va rivojlanishi turli texnologik faktorlarga, ya’ni kristallning ayni vaqtdan oldingi termik holati va strukturaning takomilligi, qizdirilish harorati va legirlashdan so‘nggi sovutilish tezligi, undan oldingi past va yuqori haroratli ishlov berishlar, shuningdek, kremniyni o‘tuvchi elementlar bilan legirlash usuliga bog‘liqligi isbotlangan;

kremniyga kiritilgan T-ionlar kirishmalari (Mn, Fe, Cr, Co) texnologik kirishmalar (kislorod va uglerod) bilan o‘zaro ta’sirlashuvi natijasida kirishmani kiritish usuli va uni turiga bog‘liq ravishda optik faol kislorod (ot 10 do 50%) konsentratsiyasining kamayishi aniqlangan;

sig‘imli spektroskopiya usuli bilan monokristall kremniyga 450–550⁰S va 900–1200⁰S haroratlar oralig‘ida har xil vaqtda berilgan termik ishlovlar natijasida kislorodning intensiv prepitatsiyasi va o‘lchamlari 10–100 mkm ni tashkil etadigan 2-fazaning ajralmalari (SiO₂ va  SiO₄ zarrachalari) hosil bo‘lishi isbotlangan;

T-ionlar kirishmalari mavjud bo‘lgan kremniy namunalarida marganes kiritishning odatiy rejimida noaniq shakldagi (~500 A o‘lchamli) va katta zichlikdagi zarrachalar, ya’ni qo‘shimcha faza (marganes silikati) rentgen topografiyasi va elektron mikroskopiya usullari bilan aniqlangan;

T-ionlarning maxsus kiritilgan kirishmalar bilan kirishmalararo ta’sirlashuvi nazorat qilinmaydigan kirishmalarni kremniy hajmidan yuza qismiga lokal getterlanishiga olib kelishi aniqlangan;

T-ionlar kirishmalarini belgilangan miqdoriy mutanosiblikda kiritish yo‘li bilan termik va radiatsion nuqsonlarning samaradorligi 0.5–1.0 tartibga pasayishi aniqlangan va parametrlarning termik barqarorligi va radiatsion chidamliligini oshirish usuli ishlab chiqilgan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:

T-ionlar aralashmalari bilan legirlangan kremniyda nuqson hosil bo‘lishi jarayonlarini tadqiq qilish natijalari asosida:

strukturalar nuqsonligi texnologik marshrutining turli bosqichlari uchun ishlab chiqilgan bosqichma-bosqich nazorat qilish usuli «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida M32-63 diodlar va M208 simistorlardagi mavjud bo‘lgan nazorat qilinmaydigan nuqsonlar miqdorini keskin kamaytirishda ishlatilgan («Uzeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2017 yil 25 sentyabrdagi 02-1954-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish nodir er elementlari kabi neytral kirishmalarni kiritish yo‘li bilan nazorat qilinmaydigan nuqson markazlari konsentratsiyasini 5–6 marta kamaytirish imkonini bergan;

temir kirishmalarini T-ionlar kirishmalari bilan samarali getterlash bo‘yicha olingan natijalar «FOTON» aksiyadorlik jamiyati tomonidan kremniy asosidagi termik barqaror va radiatsion chidamli materiallar va strukturalar olishda ishlatilgan («Uzeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2017 yil 25 sentyabrdagi 02-1954-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijaning qo‘llanishi T-ionlar kirishmalari bilan legirlangan kremniy asosida o‘rtacha quvvatli kremniyli diodlarning issiqlikka chidamliligini oshirgan;

termik barqaror va nurlanishga chidamli materiallarni olish, ya’ni kremniy hajmida nanoo‘lchamli defektlarni T-ionlar kirishmalarini kiritish yo‘li bilan hosil qilish texnologiyasi A-3-73 raqamli “Yarimo‘tkazgichli materiallarda klasterli kirishma atomlari taqsimoti va konsentratsiyasini boshqarish qurilmasini yaratish va ishga tushirish” loyihasida klasterli yarimo‘tkazgichlarni barqarorlashtirib, klasterli kirishma atomlari taqsimoti va konsentratsiyasini boshqarish qurilmasini yaratishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fan va texnologiyalar agentligining 2017 yil 20 sentyabrdagi FTA-01-02/690-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish yarimo‘tkazgichlardagi klasterlar konsentratsiyasi va taqsimotini samarali boshqarish imkonini bergan.