Ziyoitdinov Jaxongir Norboevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Mono- va polikristall kremniy asosidagi p-n-strukturalarning fotoelektrik xarakteristikalariga haroratning ta’siri», 01.04.07 – Kondensirlangan holat fizikasi  (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: - B2021.3.PhD/FM282
Ilmiy rahbar: Aliev Rayimjon, texnika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa (muassasalar) nomi, IK raqami: Farg‘ona politexnika instituti, RhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Rasmiy opponentlar: Imamov Erkin Zunnunovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor (Toshkent axborot texnologiyalari universiteti); Rasulov Akbarali  Maxamatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor (Toshkent axborot texnologiyalari universiteti Farg‘ona filiali).
Yetakchi tashkilot: O‘zRFA “Fizika-Quyosh” IIChB qoshidagi Fizika-texnika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi:
raqamli modellashtirish orqali mono- va polikristall kremniy asosidagi p-n-strukturalarning yuqori samarali fotoelektrik o‘zgartirishini ta’minlovchi optimal temperaturalar oralig‘ini aniqlash va ilmiy asoslashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk marta turli boshlang‘ich legirlash darajasiga (1014÷1018 sm-3) ega bo‘lgan kremniy elektr o‘tkazuvchanligining, zaryad tashuvchilar kinetik parametrlarining, taqiqlangan soha kengligining va p-n-strukturalarning fotoelektrik parametrlari o‘zgarishlarining atrof-muhitning 250÷350 K oraliqdagi temperaturalar o‘zgarishiga bog‘liqligining kompleks nomogrammalari ishlab chiqilgan;
birinchi marta kremniyli strukturalarining emitter va baza qatlamlaridagi elektron va kovaklar effektiv massalarining temperaturaga bog‘liqlik qonuniyatlari aniqlangan va yarimo‘tkazgichlar fizikasi nazariyasi doirasida tushuntirilgan;
zamonaviy kremniyli fotoelektrik p-n-strukturalar VAX va ularning asosiy fotoelektrik parametrlarining temperaturaga bog‘liq ravishda o‘zgarishining o‘ziga xos xususiyatlari aniqlangan hamda raqamli hisoblash va o‘tkazilgan tajribalar natijalarining o‘zaro muvofiqligi tasdiqlangan;
ilk marta kremniyli p-n-strukturaning emitter sohasiga kiritilgan shakli, o‘lchami, taqsimot zichligi va turi bo‘yicha maqbullashgan metall nanozarralarning, uning fotoelektrik parametrlarining temperaturaviy koeffisientlariga ta’sirining fizik tabiati aniqlangan;
ilk marta ilmiy asoslangan suvning konveksiyasi va uning diffuzion bug‘lanish issiqlikligi hisobiga kremniyli quyosh elementining maqbul ish temperaturasini ta’minlaydigan yangi texnik echimlar ishlab chiqilgan va taklif etilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.  
Mono- va polikristall kremniy asosidagi p-n-strukturalarning fotoelektrik xarakteristikalariga haroratning ta’sirini o‘rganish bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:  
fotoelektrik energiya o‘zgartirgichlarning maqbul temperaturasini aniqlashning yangi usuli asosida «Yarimo‘tkazgichli fotoelektrik qurilma»ga Rossiya Federatsiyasi patenti olingan (RU № 204589, 2021 yil 1 iyun`). Ishlab chiqilgan ushbu yangi texnologik usul kremniyli fotoelektrik o‘zgartirgichlar uchun suvning konveksiyasi va diffuzion bug‘lanish hisobiga issiqlikni samarali sarflash orqali maqbul ekspluatatsiya haroratini aniqlash imkonini bergan.
raqamli hisoblash usullari va bajarilgan tajribalar bo‘yicha olingan ma’lumotlar, xususan, harorat o‘zgarganida zamonaviy kremniyli fotoelektrik p-n-strukturalar vol`t-amper xarakteristikalari va asosiy fotoelektrik parametrlarining o‘zgarish xususiyatlari «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida parametrlari yaxshilangan fotoelektrik qurilmalar ishlab chikarishda qo‘llanilgan. («O‘zeltexsanoat» uyushmasining 2021 yil 27 sentyabrdagi 04-3/1813-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish hozirgi kunda ishlab chiqarish sharoitida kremniy asosli quyosh elementlarida kechadigan fotoelektrik jarayonlarni optimallashtirish va ularning samaradorligini oshirish imkonini bergan.