Зиёитдинов Жахонгир Норбоевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Моно- ва поликристалл кремний асосидаги p-n-структураларнинг фотоэлектрик характеристикаларига ҳароратнинг таъсири», 01.04.07 – Конденсирланган ҳолат физикаси  (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: - B2021.3.PhD/FM282
Илмий раҳбар: Алиев Райимжон, техника фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса (муассасалар) номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, РhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Расмий оппонентлар: Имамов Эркин Зуннунович, физика-математика фанлари доктори, профессор (Тошкент ахборот технологиялари университети); Расулов Акбарали  Махаматович, физика-математика фанлари доктори, профессор (Тошкент ахборот технологиялари университети Фарғона филиали).
Етакчи ташкилот: ЎзРФА “Физика-Қуёш” ИИЧБ қошидаги Физика-техника институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади:
рақамли моделлаштириш орқали моно- ва поликристалл кремний асосидаги p-n-структураларнинг юқори самарали фотоэлектрик ўзгартиришини таъминловчи оптимал температуралар оралиғини аниқлаш ва илмий асослашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк марта турли бошланғич легирлаш даражасига (1014÷1018 см-3) эга бўлган кремний электр ўтказувчанлигининг, заряд ташувчилар кинетик параметрларининг, тақиқланган соҳа кенглигининг ва p-n-структураларнинг фотоэлектрик параметрлари ўзгаришларининг атроф-муҳитнинг 250÷350 К оралиқдаги температуралар ўзгаришига боғлиқлигининг комплекс номограммалари ишлаб чиқилган;
биринчи марта кремнийли структураларининг эмиттер ва база қатламларидаги электрон ва коваклар эффектив массаларининг температурага боғлиқлик қонуниятлари аниқланган ва яримўтказгичлар физикаси назарияси доирасида тушунтирилган;
замонавий кремнийли фотоэлектрик p-n-структуралар ВАХ ва уларнинг асосий фотоэлектрик параметрларининг температурага боғлиқ равишда ўзгаришининг ўзига хос хусусиятлари аниқланган ҳамда рақамли ҳисоблаш ва ўтказилган тажрибалар натижаларининг ўзаро мувофиқлиги тасдиқланган;
илк марта кремнийли p-n-структуранинг эмиттер соҳасига киритилган шакли, ўлчами, тақсимот зичлиги ва тури бўйича мақбуллашган металл нанозарраларнинг, унинг фотоэлектрик параметрларининг температуравий коэффициентларига таъсирининг физик табиати аниқланган;
илк марта илмий асосланган сувнинг конвекцияси ва унинг диффузион буғланиш иссиқликлиги ҳисобига кремнийли қуёш элементининг мақбул иш температурасини таъминлайдиган янги техник ечимлар ишлаб чиқилган ва таклиф этилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.  
Моно- ва поликристалл кремний асосидаги p-n-структураларнинг фотоэлектрик характеристикаларига ҳароратнинг таъсирини ўрганиш бўйича олинган илмий натижалар асосида:  
фотоэлектрик энергия ўзгартиргичларнинг мақбул температурасини аниқлашнинг янги усули асосида «Яримўтказгичли фотоэлектрик қурилма»га Россия Федерацияси патенти олинган (RU № 204589, 2021 йил 1 июнь). Ишлаб чиқилган ушбу янги технологик усул кремнийли фотоэлектрик ўзгартиргичлар учун сувнинг конвекцияси ва диффузион буғланиш ҳисобига иссиқликни самарали сарфлаш орқали мақбул эксплуатация ҳароратини аниқлаш имконини берган.
рақамли ҳисоблаш усуллари ва бажарилган тажрибалар бўйича олинган маълумотлар, хусусан, ҳарорат ўзгарганида замонавий кремнийли фотоэлектрик p-n-структуралар вольт-ампер характеристикалари ва асосий фотоэлектрик параметрларининг ўзгариш хусусиятлари «FOTON» акциядорлик жамиятида параметрлари яхшиланган фотоэлектрик қурилмалар ишлаб чикаришда қўлланилган. («Ўзэлтехсаноат» уюшмасининг 2021 йил 27 сентябрдаги 04-3/1813-сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш ҳозирги кунда ишлаб чиқариш шароитида кремний асосли қуёш элементларида кечадиган фотоэлектрик жараёнларни оптималлаштириш ва уларнинг самарадорлигини ошириш имконини берган.