Sayt test rejimida ishlamoqda

Abdulxaev Oybek Abdullazizovichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

 

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Tutashuv effektli strukturalar asosida kichik kuchlanishli cheklagichlarning elektrofizikaviy xususiyatlari», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.1.PhD/FM4.

Ilmiy rahbar: Karimov Abdulaziz Vaxitovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Fizika-texnika instituti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.

Rasmiy opponentlar: Mamadalimov Abdugafur Teshabaevich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik; Aripov Xayrulla Kabilovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika instituti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: tutashuv effektli ko‘p to‘siqli strukturalardagi tok uzatish mexanizmlari bilan texnologik va geometrik parametrlari orasidagi bog‘liqlikni aniqlash hamda ularning elektrofizikaviy xususiyatlarini ochib berishdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

o‘tishlar orasidagi potensial taqsimotining qayta joylashishi va baza sohasidagi asosiy tok tashuvchilarning umumiy zaryadi yig‘ilishiga asoslangan tutashuv effektli strukturalarning tok o‘tish mexanizmini tushuntiruvchi modeli ishlab chiqilgan;

tutashuv effektli bazasi ixtiyoriy legirlangan strukturalarda uning geometrik va texnologik parametrlari bilan elektrofizikaviy  xususiyatlari orasidagi bog‘lanishni tushuntiruvchi tok o‘tish tenglamasi topilgan;

emitter o‘tishi baza sohasi bilan qisqa tutashtirilgan rejimda teshilish sohasida dinamik qarshilikning sezilarli kamayishi emitter o‘tishining ideal omik kontaktga aylanishi, strukturaning o‘zi esa yupqa bazali diodga aylanishi tasdiqlangan;

yupqa baza sohali ikki to‘siqli strukturalarda injektirlovchi o‘tishni qisqa tutashtirishga asoslangan nisbiy qarshilik uchastkasini yo‘qotish prinsipi taklif qilingan;

baza sohasida kirishmalarning manfiy gradientli joylashgan diodlarda emitter o‘tishi qisqa tutashtirilgan rejimda silqish toki va differensial qarshiligining ancha kamayishi ko‘rsatilgan;

ikki to‘siqli kremniyli n++-p-n-n+-strukturada n++-p-o‘tishining yopilish rejimida teshilish oldi sohasida optik xotira hodisasi topilgan;

kollektor sohasi yuqori omli yupqa bazali fototranzistor asosidagi fotodetektor spektral diapazoni kirishma sohasida yuqori fotosezgirlikka ega bo‘lishi ko‘rsatilgan;

kapillar teshik orqali to‘yinmagan qo‘shimcha qorishma-eritmani aralashtirish yo‘li bilan hamda o‘sish va difuziya jarayonlarini almashlab qorishma-eritmadan ko‘p qavatli strukturalar olish usuli ishlab chiqilgan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:

Tutashuv effektli ko‘p to‘siqli strukturalarda tok o‘tish mexanizmlarini tadqiq qilish natijasida:

yarimo‘tkazgichli strukturalar olish bo‘yicha «A3V5 yarim o‘tkazgich birikmalarining diffuzion va epitaksial qatlamlarini olish qurilmasi»ga O‘zbekiston Respublikasi Davlat patent idorasining ixtiroga patenti olingan (№ IAP 03930, 2009 y.). Ishlab chiqilgan qurilma ketma-ket joylashtirilgan parametrlari berilgan diffuzion va epitaksial qatlamlarni bir jarayonda olish imkonini bergan;

optik nurlanishlarni kuchaytirish va detektorlash uchun mo‘ljallangan yarimo‘tkazgichli asboblarni yaratish bo‘yicha «Yarimo‘tkazgichli detektor»ga  O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining ixtiroga patenti olingan (№ IAP 04598, 2012 y.). Ishlab chiqilgan fotodetektor keng spektral diapazonda fotosezgirlikni oshirish va qorong‘ilik tokini kamaytirish hamda analogga nisbatan funksional imkoniyatlarni kengaytirish imkonini bergan;

tutashuv effektli strukturalar parametrlarini optimallashtirish bo‘yicha olingan natijalar «Novosibirsk yarimo‘tkazgichli asboblar zavodi» aksionerlik jamiyatida o‘rtacha quvvatli kichik kuchlanishli kremniyli kuchlanish cheklagichlari texnologiyasini ishlab chiqishda qo‘llanilgan («Novosibirsk yarimo‘tkazgichli asboblar zavodi» aksionerlik jamiyatining 2017 yil 5 apreldagi 04/401-93/2040-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish kuchlanish cheklagichlarining silqish tokini kamaytirish imkonini bergan.

Yangiliklarga obuna bo‘lish