Sayt test rejimida ishlamoqda

Сулаймонов Абдурахмон Абдурашидовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи):    
«Нейтронлар билан нурлантириш орқали легирланган кремний монокристали асосида терморадиацион датчиклар ишлаб чиқиш», 01.04.01 – Экспериментал физиканинг асбоблари ва усуллари (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2021.3.PhD/Т2342.
Илмий раҳбар: Ташметов Маннаб Юсупович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар акдемияси Ядро физикаси институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ядро физикаси институти, DSc.02/30.2019.FM/T.33.01 рақамли Илмий кенгаш 
Расмий оппонетлар: Ёдгорова Дилбара Мустафаевна, техника фанлари доктори, профессор; Қурбанов Бахтияр Ибрагимович, техника фанлари доктори катта илмий ходим, 
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон миллий университети.
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади таркибида фосфор атомлари бўлган компенсацияланган монокристалл кремний олишнинг радиациявий технологиясини ишлаб чиқиш, унинг асосида юқори сезгирликка эга бўлган терморадиацион датчиклар яратишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
номинал сиғим қаршилиги (48)105 Омсм бўлган компенсацияланган кремний монокристалини олиш учун p- ва n- типли саноат намуналарига радиацион ва термик ишлов беришнинг оптимал режимлари аниқланган;
терморадиацион датчик тайёрлаш учун юқори қаршиликли кремний олиш усули таклиф қилинган ва ёнғиндан хабар бериш тизими учун 273÷388 К (0÷1150C) температуралар оралиғида ишлайдиган компенсацияланган кремний асосида термодатчик  ишлаб чиқилган;
ЎзФА ядро физика институти ВВР-СМ тадқиқот атом реакторида нейтронлар оқими зичлигини аниқлашнинг, дастлабки сиғим қаршилиги 15 Омсм бўлган n-типли кремнийнинг электр қаршилиги ўзгаришига асосланган тезкор усули ва датчиги ишлаб чиқилган;
ишлатилган n+-n-n+ структурали терморезисторлар 473 К гача температурада иссиқлик билан қайта ишланганда амалда электрофизики параметрларини қайта тиклаши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
Нейтронлар билан трансмутацияланган монокристалл кремний асосида терморадиацион датчиклар  ишлаб чиқиш бўйича олинган натижалар асосида: 
номинал сиғим қаршилиги (48)105 Омсм бўлган компенсацияланган кремний монокристали олиш учун p- ва n- типли саноат намуналарига радиацион ва термик ишлов беришнинг энг мақбул режимлари терморадиацион датчиклар тайёрлаш учун “Фотон” акциядорлик жамиятида қўлланилган («Uzeltexsanoat» уюшмасининг 2021 йилнинг 14 июлидаги  № 04-3/1307 - сонли маълумотномаси). Илмий натижаларининг қўлланилиши олдиндан берилган ва ҳориждаги аналогларига нисбатан яхшиланган характеристикаларга эга терморезисторларни олиш имконини берган;
терморадиацион датчик тайёрлаш учун юқори Омли кремний олишнинг таклиф қилинган усули ва 273÷388 К (0÷1150C) температура оралиғида ишлайдиган, компенсацияланган кремний асосида термодатчик тайёрлашнинг ишлаб чиқилган технологияси Ўзбекистон Республикаси интеллектуал мулк Агентлигида рўйхатдан ўтказилган (Ўзбекистон республикаси патенти IAP №04796, 29.11.2013й.). Ишланманинг қўлланилиши ёнғиндан хабар бериш тизими учун терморезисторни тайёрлаш имконини берган;
ВВР-СМ атом реакторининг секин нейтронлар оқими зичлигини тезкор аниқлаш усули Ўзбекистон Республикаси интеллектуал мулк Агентлигида рўйхатдан ўтказилган (Ўзбекистон республикаси патенти IAP №05339, 11.01.2017й.). Ишланманинг қўлланилиши ВВР-СМ реактордаги секин нейтронлар оқимини назорат қилиш диапазонини 1010 дан 1018 нейтрон/см-2 гача кенгайтириш имконини берган;  
ишлатилган n+-n-n+ структурали терморезисторларнинг параметрларини қайта тиклашнинг аниқланган имконияти “Фотон” акциядорлик жамиятида диффузион терморезисторлар ишлаб чиқаришда қўлланилган («Uzeltexsanoat» уюшмасининг 2021 йилнинг 14 июлидаги  № 04-3/1307 - сонли маълумотномаси). Илмий натижаларининг қўлланилиши n-тип кремний асосида терморезисторларни тайёрлаш имконини берган. 

 

Yangiliklarga obuna bo‘lish