Kuchkanov Sherzodbek Kurbonovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Gazli fazadan va qisman ionlashgan oqimlardan o‘stirish orqali olingan Si/Si va Si-Ge/Si yupqa qatlamli tuzilma asosidagi issiqlik energiyasini o‘zgartirgich”, 01.04.04 – Fizik elektronika (Texnika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.2.PhD/T2221
Ilmiy rahbar: Ashurov Xatam Baxronovich, texnika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSs.02/30.12.2019.FM.65.01 asosida bir martalik Ilmiy kengash.
Rasmiy opponentlar: Usmonov Dilshod Tursunbaevich, fizika-matematika fanlari doktori; 
Raxmonov Ganiboy Todjievich,  fizika-matematika fanlari nomzodi.
Yetakchi tashkilot: Andijon Davlat Universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi Si/Si tuzilmalarini vakuumda o‘stirish va gaz fazasida o‘stirilgan Si-Ge:Ti/Si tuzilmalarini olish metodikasini ishlab chiqish, ularning tavsiflarini tadqiq qilish va ular asosida 300-900 K harorat oralig‘ida ishlaydigan issiqlik energiyasi o‘zgartirgichlarini yaratishdan iboratdir.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor past haroratlarda o‘stirish jarayonida paydo bo‘ladigan kristallik mukammalligining turli buzilishlari mavjud bo‘lgan Si/Si strukturalarda harorat gradientisiz qizdirilganda zaryad tashuvchilarning generatsiyasi paydo bo‘lishi, ya’ni tuzilmalarda va plyonkalarda salt yurish (Usyu) qorong‘ulik kuchlanishi va qisqa tutashuv toki (Iqt ) paydo bo‘lishi aniqlangan;
kremniy-germaniy qattiq eritmali plyonkalardagi 1019-1020 sm-3 konsentratsiyali titan kirishmasi asosan qatlamlar tuzilmasiga va morfologiyasiga ta’sir ko‘rsatishi va oqibatda ko‘p sonli o‘sish nuqsonlarining paydo bo‘lishi aniqlangan;
Si-Ge:Ti/Si tuzilmalar tarkibidagi plyonkalar uchun xos bo‘lgan kristall mukammallik buzilishlari titan aralashmalari bilan birgalikda issiqlikvol`taik effektni yuzaga kelishining asosiy sababchilari ekanligi aniqlandi;
zaryad tashuvchilar yuqori generatsiyasining tuzilmaviy nuqsonlar konsentratsiyasiga bog‘liqligi to‘g‘risidagi taxminlar tajriba usulida 109 rad dozadagi 60So -kvantlari bilan nurlantirish va nurlantirilgan Si/Si va Si-Ge:Ti/Si tuzilmalarni 900 K da qizdirilganda salt yurish (Usyu) kuchlanishning ortishi va qisqa tutashuv (Iqt) tokining esa 10 barobargacha oshishi orqali tasdiqlangan;
ilk bor Si/Si va Si-Ge:Ti/Si tuzilmalar sirtining bir kismini to‘lqin uzunligi spektral sezgirligi maksimumiga mos keluvchi yorug‘lik nuri bilan lokal yoritish va qizdirishning birgalikdagi ta’sirida qisqa tutashuv Iqt tokining 10 marta oshishi aniqlangan. 
IV. Tadqiqot natijalarini joriy qilinishi:
Si/Si va Si-Ge:Ti/Si tuzilmalar va ularning tarkibidagi plyonkalarning 300-900K xarorat oralig‘idagi asosiy elektrofizik tavsiflarini va ularni amalda qo‘llash usullarini o‘rganish natijalari asosida, yangi texnik amaliy echimlari tavsiya qilindi, xususan: 
namunalardagi nuqsonlar darajasiga bog‘liq bo‘lgan kattaliklar salt yurish kuchlanishi (Usyu) va qisqa tutashuv tok (Iqt) larini Si/Si plyonkali tuzilmalarni qizdirish jarayonida faol generatsiya effektivligini ko‘rsatuvchi natijalar № FA-A3-F124 “Radiatsiyaviy ishlov berish uslubida yuqori kompensirlangan kremniy olish texnologiyasini ishlab chiqish va uning asosida datchiklar yaratish” amaliy loyiha doirasida foydalanilgan (O‘zR Fanlar akademiyasining 2021 yil 28 iyundagi №2/1255-1871-sonli ma’lumotnomasi ). Ilmiy natijaning qo‘llanilishi yong‘indan xabar beruvchi sistemalar uchun 55-1150S harorat oralig‘ida ishlovchi, kompensatsiyalangan kremniy asosidagi termo datchiklar va radiatsion nuqsonli kremniy asosidagi yadro nurlanish detektorlarini olish texnologiyalarini yaratish imkonini bergan.
past vakuumlarda yuqori tezlikda hosil qilinadigan plyonkali tuzilmalarni olishning ishlab chiqilgan usulidan «FOTON» AJ da yarim o‘tkazgichli namunalar sirtida ko‘p qatlamli yupqa plastinkalarni shakllantirishda foydalanildi («Uzeltexsanoat» Uyushmasining 2021 yil 28 iyundagi №04-3/1192 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijaning qo‘llanishi issiqlikni elektr energiyasiga aylantirib beruvchi yuqori haroratli qurilmalar uchun mo‘ljallangan yorug‘lik diapozinida ishlovchi datchiklar sezgirligini oshirish imkonini berdi.