Кучканов Шерзодбек Курбоновичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Газли фазадан ва қисман ионлашган оқимлардан ўстириш орқали олинган Si/Si ва Si-Gе/Si юпқа қатламли тузилма асосидаги иссиқлик энергиясини ўзгартиргич”, 01.04.04 – Физик электроника (Техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2021.2.PhD/Т2221
Илмий раҳбар: Ашуров Хатам Бахронович, техника фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSс.02/30.12.2019.FМ.65.01 асосида бир марталик Илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Усмонов Дилшод Турсунбаевич, физика-математика фанлари доктори; 
Рахмонов Ганибой Тоджиевич,  физика-математика фанлари номзоди.
Етакчи ташкилот: Андижон Давлат Университети. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади Si/Si тузилмаларини вакуумда ўстириш ва газ фазасида ўстирилган Si-Ge:Ti/Si тузилмаларини олиш методикасини ишлаб чиқиш, уларнинг тавсифларини тадқиқ қилиш ва улар асосида 300-900 К ҳарорат оралиғида ишлайдиган иссиқлик энергияси ўзгартиргичларини яратишдан иборатдир.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор паст ҳароратларда ўстириш жараёнида пайдо бўладиган кристаллик мукаммаллигининг турли бузилишлари мавжуд бўлган Si/Si структураларда ҳарорат градиентисиз қиздирилганда заряд ташувчиларнинг генерацияси пайдо бўлиши, яъни тузилмаларда ва плёнкаларда салт юриш (Uсю) қоронғулик кучланиши ва қисқа туташув токи (Iқт ) пайдо бўлиши аниқланган;
кремний-германий қаттиқ эритмали плёнкалардаги 1019-1020 см-3 концентрацияли титан киришмаси асосан қатламлар тузилмасига ва морфологиясига таъсир кўрсатиши ва оқибатда кўп сонли ўсиш нуқсонларининг пайдо бўлиши аниқланган;
Si-Ge:Ti/Si тузилмалар таркибидаги плёнкалар учун хос бўлган кристалл мукаммаллик бузилишлари титан аралашмалари билан биргаликда иссиқликвольтаик эффектни юзага келишининг асосий сабабчилари эканлиги аниқланди;
заряд ташувчилар юқори генерациясининг тузилмавий нуқсонлар концентрациясига боғлиқлиги тўғрисидаги тахминлар тажриба усулида 109 рад дозадаги 60Со -квантлари билан нурлантириш ва нурлантирилган Si/Si ва Si-Ge:Ti/Si тузилмаларни 900 К да қиздирилганда салт юриш (Uсю) кучланишнинг ортиши ва қисқа туташув (Iқт) токининг эса 10 баробаргача ошиши орқали тасдиқланган;
илк бор Si/Si ва Si-Ge:Ti/Si тузилмалар сиртининг бир кисмини тўлқин узунлиги спектрал сезгирлиги максимумига мос келувчи ёруғлик нури билан локал ёритиш ва қиздиришнинг биргаликдаги таъсирида қисқа туташув Iқт токининг 10 марта ошиши аниқланган. 
IV. Тадқиқот натижаларини жорий қилиниши:
Si/Si ва Si-Ge:Ti/Si тузилмалар ва уларнинг таркибидаги плёнкаларнинг 300-900K харорат оралиғидаги асосий электрофизик тавсифларини ва уларни амалда қўллаш усулларини ўрганиш натижалари асосида, янги техник амалий ечимлари тавсия қилинди, хусусан: 
намуналардаги нуқсонлар даражасига боғлиқ бўлган катталиклар салт юриш кучланиши (Uсю) ва қисқа туташув ток (Iқт) ларини Si/Si плёнкали тузилмаларни қиздириш жараёнида фаол генерация эффективлигини кўрсатувчи натижалар № ФА-А3-Ф124 “Радиациявий ишлов бериш услубида юқори компенсирланган кремний олиш технологиясини ишлаб чиқиш ва унинг асосида датчиклар яратиш” амалий лойиҳа доирасида фойдаланилган (ЎзР Фанлар академиясининг 2021 йил 28 июндаги №2/1255-1871-сонли маълумотномаси ). Илмий натижанинг қўлланилиши ёнғиндан хабар берувчи системалар учун 55-1150С ҳарорат оралиғида ишловчи, компенсацияланган кремний асосидаги термо датчиклар ва радиацион нуқсонли кремний асосидаги ядро нурланиш детекторларини олиш технологияларини яратиш имконини берган.
паст вакуумларда юқори тезликда ҳосил қилинадиган плёнкали тузилмаларни олишнинг ишлаб чиқилган усулидан «FOTON» АЖ да ярим ўтказгичли намуналар сиртида кўп қатламли юпқа пластинкаларни шакллантиришда фойдаланилди («Узэлтехсаноат» Уюшмасининг 2021 йил 28 июндаги №04-3/1192 сонли маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши иссиқликни электр энергиясига айлантириб берувчи юқори ҳароратли қурилмалар учун мўлжалланган ёруғлик диапозинида ишловчи датчиклар сезгирлигини ошириш имконини берди.