Daliev Shaxrux Xojakbarovichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kremniyli strukturalarning elektrofizik xususiyatlariga Zr, Ti  va Hf  kirishmalarining ta’siri», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.2.PhD/FM33.

Ilmiy rahbar: Mamadalimov Abdugafur Tishabaevich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Milliy universiteti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.

Rasmiy opponentlar: Kamalov Amangeldi Bazarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori; Zikrillaev Nurulla Fatxullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Yetakchi tashkilot: Namangan davlat universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: sig‘imli spektroskopiya yordamida qiyin eruvchi  Zr, Ti va Hf atomlari bilan legirlangan kremniyning elektrofizik xossalari va ushbu elementlar atomlarining  kremniy tarkibidagi aralashmalar bilan o‘zaro ta’sirini hamda kremniy asosidagi metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich strukturalarning xossalariga ta’sirini aniqlashdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

kremniyda Zr, Ti, va Hf atomlari sathlarining hosil bo‘lish samaradorligi texnologik rejimga (harorat va diffuziya vaqti, shuningdek, namunalarning diffuziyadan keyingi sovutish tezligi) bog‘liqligi aniqlangan;

qiyin eruvchi elementlar kirishmalari bilan o‘stirish jarayonida legirlangan kremniyda chuqur sathlar hosil bo‘lmasligi, lekin 1000÷1250^oS daraja oralig‘idagi haroratli qayta ishlov natijasida Zr, Ti, va Hf atomlarining faollashuvi va chuqur sathlarning hosil bo‘lishi ko‘rsatilgan;

qiyin eruvchi elementlar kirishmalarining diffuzion kiritish jarayonida termik va radiatsion nuqsonlarning kamayishi va kremniy parametrlarining barqarorlashuvi isbotlangan;

Si panjarasida noyob er elementlari (lantan yoki gol`miy) aralashmalarining mavjudligi  qo‘shimcha kiritilgan Zr, Ti va Hf bilan bog‘liq chuqur sathlar hosil bo‘lishi ko‘rsatilgan;

metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich (MDYa) strukturalarning kremniyli tagligi hajmidagi Zr, Ti, va Hf kirishma ta’sirida yuqori chastotali Vol`t-Farad xarakteristikasining nazorat namunalariga nisbatan manfiy tomonga siljishi, MDYa-strukturalar yuza holatlari zichligining ortishi va Si-SiO₂ bo‘linish chegarasida musbat ishorali zaryadlar hosil bo‘lishi aniqlangan;

qiyin eruvchi elementlar kirishmalari ta’sirida MDYa-strukturali kremniy yarimo‘tkazgichining taqiq sohasi kengligi bo‘yicha yuzaviy holatlar zichligining taqsimotini o‘zgarishi asoslangan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:

Qiyin eruvchi element atomlari bilan legirlangan kremniy va kremniyli strukturalarda nuqsonlar hosil bo‘lish jarayonlarini o‘rganish asosida:

silisid titan-kremniy tizimi asosidagi ishchi sohasi bilan modifisirlangan strukturani hosil qilish usuli «FOTON» aksionerlik jamiyatida diod strukturlariga omik kontakt olishda foydalanilgan («O‘zeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2017 yil 25 sentyabrdagi 02-1953-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanishi kremniy asosidagi diod strukturalariga kichik ketma-ket qarshilikli kontakt sohalarini olish imkonini bergan;

kremniyli MDYa-strukturalari hajmini va yuzaviy qatlamlarini qiyin eruvchi elementlar (Zr, Ti, va Hf) kirishmalari bilan legirlash texnologiyasi yordamida olingan natijalar FA-F3-F003 raqamli «Kompensirlangan kremniy datchigi asosida oziq-ovqat saqlanadigan ombor temperaturasini va namligini uzoq masofadan nazorat qilib turadigan qurilmani yaratish» va A-3-57 raqamli «Nanostukturali kremniy datchik asosida turli xil ob’ektlarda harorat va namlikni nazorat kiluvchi mikroprotsessorli asbobni ishlab chiqish» mavzusidagi loyihalarda harorat va namlikni nazorat qiluvchi qurilma yaratishda ishlatilgan (Fan va texnologiyalar agentligining 2017 yil 20 sentyabrdagi FTA-01-02/691-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish kompensirlangan kremniy asosidagi datchiklar parametrlarining issiqlikka bardoshliligini oshirish imkonini bergan.