Эргашов Ёқуб Сувоновичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Ион бомбардимон усули билан Мо ва Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари», 01.04.04–Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.1.PhD/FM24.
Илмий раҳбар: Умирзаков Балтоходжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.
Расмий оппонентлар: Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Турсунметов Комил Ахмедович, физика-математика фанлари доктори, профессор
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника институти.
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: эпитаксия ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш ҳамда физик механизмларини очиб беришдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Nb+ ионларини имплантация қилиш ва кейинги қиздиришда Мо нинг сирт ости қатламларида Nb+Mo туридаги интерметал ҳосил бўлиши Мо Ферми сатҳининг қуйи қисмида ниобийнинг 4d электронлари зонасини ҳосил бўлиши ва натижада Мо валент электронларининг ҳолат зичлиги ўзгариши билан боғлиқлиги очиб берилган;
Мо га Ва+ ионлари имплантация қилинганда интерметалл боғланиш ҳосил бўлмаслиги, аммо чиқиш ишининг камайиши ва юза ости қатламлари атом зичлигининг ошиши натижасида иккиламчи ва фотоэлектронларнинг эмиссия эффективлиги 2 ва ундан ортиқ ошиши экспериментал аниқланган.
Si сирт ости қатламларида ион имплантация ва кейинги қиздириш жараёнида МеSi2 нинг наноўлчамли фазалари ва қатламлари шаклланишининг асосий қонуниятлари аниқланган, шунингдек уларнинг ўлчамлари ва энергетик зона параметрларини баҳолашнинг ўтаётган ёруғлик интенсивлиги ўзгаришига асосланган усули ишлаб чиқилган;
Si сиртига О2+ ионларини имплантация қилиш усули билан турли қалинликлардаги (d≈20–100Å) тақиқланган зона кенглиги 8,5–9 эВ бўлган бир жинсли SiО2 нинг поликристалл наноплёнкаси олиш технологияси ишлаб чиқилган;
чангланаётган металл (Al) атомлари оқими таркибида бир неча фоиз тезлашган ионлар (Е0=1–2 кэВ) мавжудлиги Si сиртидаги окис плёнканинг тўлиқ бузилишига, ўтиш қатлами ҳосил бўлишига, кремний тагликларда металлар адгезияси ошишига ва контакт электр қаршилигининг кескин камайишига олиб келиши асосланган;
умумий қалинлиги 40–50 нмдан ошмайдиган наноўлчамдаги икки қатламли МеSi2/Si/МеSi2/Si тизимини ҳосил қилиш усули ишлаб чиқилган ва сиртдаги СоSi2 плёнкасининг қалинлиги 3–5 нм, сирт остидаги плёнка қалинлиги эса 10–12 нм, МеSi2 қатламлари орасидаги Si плёнкасининг қалинлигини 10–20 нм ни ташкил этиши кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Мо ва Si сиртида ва сирт қатламлари соҳасида наноўлчамли фазалар ҳосил бўлиши бўйича олинган натижалар асосида:
Мо ва Si сиртида ва сирт қатламлари соҳасида наноўлчамли фазалар ҳосил бўлиши бўйича олинган натижалар ОТ-А3-56 «Юқори марганец силициди пардаси асосида инфрақизил нурни термоэлектрик ўзгартириш ва иссиқлик нурини ўтаэффектив холда совутилмай қайд этувчи приёмниклар яратиш» ва Ф – 2-31 “Наноўлчамли металлар силицид пленкаларни структураси ва физик хоссаларини ўрганиш ва термосезгир структуралар хосил қилиш” давлат грантларини бажаришда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фан ва технологияларни ривожлантиришни мувофиқлаштириш давлат қўмитасининг 2016 йил 15 декабрдаги ФТК-0313/912-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши NbMo қотишмаси термоядро реакторларининг ички деворларида ишлатиладиган молибденнинг силлиқлигини яхшилаш, дислокацияларни камайтириш ва ташқи таъсирларга чидамлилигини ошириш имконини берган;
Si сирт ости қатламларида МеSi2 нинг наноўлчамли фазаси ва қатлами шаклланишининг асосий қонуниятлари ўрганилган ва уларнинг ўлчамлари ҳамда энергетик зона параметрларини баҳолашнинг эффектив усули асосида электрон қурилма яратилган (VIII Республика Инновацион ғоялар, технологиялар ва лойиҳалар ярмаркаси катологи “Электрон техника ускуналари ҳароратини ўлчовчи ва сақлаб турувчи электрон қурилмаси»). Ишлаб чиқилган қурилма энергияни тежаш имконини берган.
