Исаханов Зинаобидин Абилпейзовичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Ионлар ва электронларнинг юпқа кристаллардан сочилиши ва ўтиши жараёнларидаги ориентацион эффектлар», 01.04.04–Физикавий электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.2.DSc/FM48.
Илмий маслаҳатчи: Умирзаков Болтаходжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.
Расмий оппонентлар: Тураев Назар Юлдашевич, физика-математика фанлари доктори, академик; Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Кутлиев Учкун Отобоевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети.
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: зарядли зарраларнинг ҳар хил табиатга эга бўлган кристаллар билан ўзаро таъсирлашганда содир бўладиган жараёнлардаги ориентацион эффектларни аниқлаш, аралашма атомларининг жойлашиши ва сирт диагностикаси усулларини ишлаб чиқишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кристаллар юзасидан қайтган ҳамда унинг наноплёнкаларидан ўтган зарядли зарраларнинг спектрларини олиш ҳамда ёзиш учун қайд қилиш бурчаги кичик бўлган детекторли (α~0,50), юқори ажрата олиш қобилиятига эга бўлган дисперсион анализаторли (ΔЕ/Е=0,2%), ўта юқори вакуумли (~1х10-9 Торр.) экспериментал ва Cu, Au, Al, Ag ларнинг эркин нанопленкаларини оладиган қурилма ишлаб чиқилган;
Mo, W, Si, Cu и Al монокристалларини аввало ионлар билан, сўнгра қиздириш йўли билан тозаланганда уларнинг ион оже-спектрларида L2,3VV оже чизиғининг ёнида қўшимча чўққиларнинг пайдо бўлиши аниқланган;
Mo(100), W(100) юза ости қатламларида кристалл панжарада кислород, углерод атомларининг тугунлар орасида октаэдрик ҳолатда жойлашиши, W, Al, Si монокристалларини бир хил шароитда ионлар, электронлар билан бомбардимон қилиш натижасида W(100) ион оже-спектрида асосий чўққи интенсивлиги камайиши, чўққи ярмида энининг кенгайиши ва энергиявий ҳолатининг ўзгариши, таркибда квазимолекулалар ҳосил бўлиши аниқланган;
энергияси Е0=5–40 кэВ бўлган соҳада ионлар Cu ва Ag монокристалл нанопленкалари орқали ўтишида, бир вақтнинг ўзида ҳам ўқ, ҳам текислик бўйича каналланиши ва тартибсиз ўтиши энергиявий тақсимланишининг нозик структураси аниқланган;
ионлар монокристалл наноплёнкалар орқали каналланганда энергия йўқотиши қутб ва азимутал бурчакларга боғлиқлиги ҳамда бу йўқотишлар поликристалга нисбатан тўрт марта кам эканлиги, ион имплантацияси туфайли кристаллнинг нозик структурали энергиявий спектрида кристалл панжаранинг аморфизацияланиши ҳамда биринчи ўқ, кейин текислик бўйича каналланган ионлар чўққиси текисланиши аниқланган;
кристалл ориентациясига боғлиқ ҳолда ҳажмий плазмон тебранишларида энергия йўқотишнинг анизотропияси, электронларнинг характеристик энергия йўқотиш спектри функциясини ҳисоблашда диэлектрик сингдирувчанликнинг оддий осцилляторли модели, характеристик энергия йўқотиш спектрларини ҳисоблаш алгоритми, нанопленкалардан ўтган электронларга нисбатан қайтган электронлар ҳажмий плазмон тебранишига катта энергия сарфлаши аниқланган;
Mo, W Nb, Si Ge монокристаллари юзасидан қайтган электронларнинг спектрларидан энергия йўқотишнинг шаклланиш механизмлари, кристаллнинг ҳар хил йўналишлари бўйича электронлар ҳолати зичлигини баҳолаш усули, материаллар кристалл ҳолатдан аморф ҳолатга ўтганда электрон-фонон ўзаро таъсири эҳтимоллиги ошиши, электронлар ҳолатлари зичлиги деформацияси туфайли электронларнинг катта энергия йўқотиши аниқланган;
ионлар билан бомбардимон қилинган металларнинг нанопленкалари юза қатламларининг аморфизацияси даражасини баҳолаш усули ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Майда дисперсли мис сеткаси устида олинган эркин мис пленкалари ҳамда улар устида олинган кўп қаватли яримўтказгичли структуралардаги ориентацияли эффектларни ўрганишда олинган натижалар асосида:
ион имплантацияси, Оже-электронлар эмиссияси ва ионларнинг кристаллар юпқа пленкалари орқали ўтиши бўйича олинган ориентациявий эффектларни аниқлашда олинган натижалари «ФОТОН» акциядорлик жамиятида кўпқатламли структуралар ҳамда металл-диэлектрик-яримўтказгич (МДЯ) ва яримўтказгич-диэлектрик-яримўтказгич (ЯДЯ) структураларни олишда элементларни легирлаш технологиясида қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2017 йил 11 июлдаги №03-1297-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши электрон асбобларнинг ишлаш ишончлигини, МДЯ ва ЯДЯ структураларни олиш технологияси сифатини яхшилаш имконини берган.
вакуум асбоб-ускуналарини эксплуатация қилишда электрон бошқаришга имкон берадиган ишончли, сифатли коммутация қурилмаси ишлаб чиқаришда қўлланиладиган контакт электродлари «PROTON» илмий-техникавий корхонасида ишлаб чиқилган («PROTON» илмий-техникавий корхонасининг 2016 йил 9 сентябрдаги маълумотномаси). Ишланманинг қўлланилиши автоматик равишда бошқариладиган электрон асбоб- ускуналарни ишлаб чиқаришга, уларнинг ишлаш муддати, аниқлиги ва сифатини оширишга ҳамда паст ҳароратли вакуум технологиясини такомиллаштиришга имкон берган;
монокристалларни ион ва электронлар билан бомбардимон қилиш натижасида олинган ориентациявий эффектларнинг намоён бўлиш, каналланган ва каналланмаган ионларнинг энергия йўқотиш механизмлари 2Ф.1.№ 01200009821 «Мураккаб кристалларнинг юпқа қатламларида ва юзасида ўрта ва кичик энергияга эга бўлган ионларнинг сочилиши ва каналланиши жараёнларини ва ионларнинг каналланиш пайтида яримўтказгичларда экситонларнинг пайдо бўлишини тадқиқ қилиш» ва БВ-Ф2-003 «Машинада моделлаштириш услуби билан ионлар имплантацияси ва юпқа монокристаллар ва аморф яримўтказгичларда фототашувчиларнинг нурли рекомбинациясини тадқиқ қилиш» грант лойиҳаларида олинган энергиявий тақсимот спектрларидаги ориентациявий эффектлар механизмларини аниқлашда қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Фан ва технологияларни ривожлантиришни мувофиқлаштириш давлат қўмитасининг 2016 йил 15 декабрдаги ФТК-0313/912-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши саноат материалларининг сифатини яхшилаш, кристаллар сирти структураси, таркиби ва юпқа плёенкаларнинг мукаммаллик даражасини назорат қилиш, пленканинг монокристаллиги ва кристаллдаги аралашма атомлари жойлашишини аниқлаш имконини берган.
