Донаев Сардор Бурхановичнинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кичик энергияли ионлар билан имплантация қилинган бинар материаллар (Pd–Ba, CoSi₂ ва GaAs) сиртининг электрон спектроскопияси ва микроскопияси», 01.04.04–Физик электроника (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.1.PhD/FM22.

Илмий раҳбар: Умирзаков Балтоходжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.

ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.

Расмий оппонентлар: Ашуров Хотам Бахронович, техника фанлари доктори; Расулов Акбарали Махамадиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор

Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети.

Диссертация йўналиши: назарий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: Pd–Ba, CoSi₂ ва GaAsюза қатламларинингкичик энергияли ионлар имплантацияси ва кейинги термик ва лазерли ишлов беришда модификацияланган механизмларнинг ҳамда наноўлчамли тузилмалар ҳосил бўлишининг ўзига хос хусусиятларини комплекс ўрганишдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

узоқ вақт эксплуатация қилиш жараёнида Pd–Ba асосида ишлаб чиқилган стандарт катодларнинг ишдан чиқишининг физик механизмлари очиб берилган ва уларнинг сиртини Ba⁺ ионлари билан имплантация қилишга асосланган бир текис фаоллаштириш усули ишлаб чиқилган;

Pd ва Pd–Ba сиртида ҳосил бўлган нанокристалл фазаларнинг шакли ва ўлчамларининг сирт микрорельефига, ионлар энергияси ва дозасига боғлиқлиги аниқланган: катта дозада имплантация қилинганда кристалл тузилишли майдонларнинг ҳосил бўлиш механизми юқори эҳтимоллик билан ионлар таъсирида материалнинг эриб кетишига олиб келувчи иссиқлик чўққиси (пики) вужудга келиши аниқланган;

ионли бомбардирлаш (Ar⁺ ва O⁺) ҳамда кейинги қиздириш усули билан CoSi₂/Si (111) сиртида бир хил тартибда жойлашган СоSiО ва Si нинг бир жинсли наноўлчамли фазалари ва эпитаксиал нанопленкалари олинган ҳамда нанокристалли фазалар ўлчамларининг ионлар энергияси ва дозасига боғлиқлиги аниқланган;

Ar⁺ионлари билан бомбардирлаш натижасида турли кимёвий боғланишга (интерметалл, ковалент ва ион-ковалент) ва табиатга эга бўлган (Pd₂Ba металл қотишма, CoSi₂ ва GaAs яримўтказгичлар) материалларнинг сиртида бир компонентли наноўлчамли тузилмалар шаклланишининг асосий механизмлари аниқланган;

GaAs ни Al⁺ионлари билан имплантация қилиш ва кетма-кет Т=850–900 К гача қиздириш натижасида θ=20 ÷ 30 Å қалинликдаги тақиқланган зона кенглиги бошқариладиган (E_g=1,4 ÷ 2,4 эВ) Ga_1-xAl_xAs (х=0 ÷ 0,5) нанопленкасини олиш услуби ишлаб чиқилган;

Si–CoSi₂–Si, CoSiO–CoSi₂–Si, Ga–GaAs–Ge, GaAlAs–GaAs кўп қатламли тузилишларини олишнинг ионли бомбардирлаш ва кейинги қиздиришнинг оптимал шароитлари аниқланган ва уларнинг энергетик-зона диаграммалари қурилган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:

Кичик энергияли ионлар билан бинар материаллар сиртини бомбардимон қилиш ва уларнинг физик-кимёвий хусусиятларини ўрганиш асосида:

тақиқланган зона энергетик кенглигини бошқариш имконини берадиган Ga_1-xMe_xAs наноструктурасини олишнинг эффектив технологияси ва галлий арсениди асосида уч компонентли наноструктураларни олиш усулига Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтирога патенти (№IAP 05370, 28.04.2017) олинди.  Ишлаб чиқилган усул GaAs нанокристаллига Al ионларини имплантация қилиш ва кейинги қиздириш орқали Ga_1-xAl_xAs плёнкаси олинган ва х нинг қийматини 0,1–0,5 оралиқда ўзгартириш йўли билан уч компонентли тизимнинг энергетик зонаси кенглигини 1,4–1,9 эВ гача ўзгартириш имконини берган;

ион имплантация усули билан материалларнинг электрон, эмиссион ва оптик хусусиятларини керакли йўналишда ўзгартириш бўйича олинган натижалар Ф2–ФА–Ф161 «Ион имплантацияси усули билан кристаллар (W, WO_n, TiN, CdTe, SiO₂) сиртида ҳосил қилинган эркин юпқа плёнкалар (Al, Cu, Ag ва Me–Si) ва наноўлчамли гетероструктураларнинг шаклланиш механизмлари ҳамда уларнинг физик-кимёвий хоссаларини ўрганиш» ва Ф–2–31 «Наноўлчамли металл силицид плёнкалари структураси ва физик хоссларини тадқиқ этиш ҳамда термосезгир структуралар ишлаб чиқиш» давлат грантларини бажариш жараёнида фойдаланилган (Фан ва технологияларни ривожлантиришни мувофиқлаштириш қўмитасининг 2017 йил 9 февралдаги ФТК–0313/146-сон маълумотномаси). Яратилган технологик ишланмалар микро- ва наноэлектроника асбоблари учун зарур бўлган металл-диэлектрик-яримўтказгич, яримўтказгич-металл-яримўтказгич типидаги янги кўп қатламли гетеротузилишли плёнкаларни яратиш ва наноконтактлар ҳосил қилиш имконини берган.