Donaev Sardor Burxanovichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kichik energiyali ionlar bilan implantatsiya qilingan binar materiallar (Pd–Ba, CoSi₂ va GaAs) sirtining elektron spektroskopiyasi va mikroskopiyasi», 01.04.04–Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.1.PhD/FM22.

Ilmiy rahbar: Umirzakov Baltoxodja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.

Rasmiy opponentlar: Ashurov Xotam Baxronovich, texnika fanlari doktori; Rasulov Akbarali Maxamadievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor

Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston Milliy universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: Pd–Ba, CoSi₂ va GaAsyuza qatlamlariningkichik energiyali ionlar implantatsiyasi va keyingi termik va lazerli ishlov berishda modifikatsiyalangan mexanizmlarning hamda nanoo‘lchamli tuzilmalar hosil bo‘lishining o‘ziga xos xususiyatlarini kompleks o‘rganishdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

uzoq vaqt ekspluatatsiya qilish jarayonida Pd–Ba asosida ishlab chiqilgan standart katodlarning ishdan chiqishining fizik mexanizmlari ochib berilgan va ularning sirtini Ba⁺ ionlari bilan implantatsiya qilishga asoslangan bir tekis faollashtirish usuli ishlab chiqilgan;

Pd va Pd–Ba sirtida hosil bo‘lgan nanokristall fazalarning shakli va o‘lchamlarining sirt mikrorel`efiga, ionlar energiyasi va dozasiga bog‘liqligi aniqlangan: katta dozada implantatsiya qilinganda kristall tuzilishli maydonlarning hosil bo‘lish mexanizmi yuqori ehtimollik bilan ionlar ta’sirida materialning erib ketishiga olib keluvchi issiqlik cho‘qqisi (piki) vujudga kelishi aniqlangan;

ionli bombardirlash (Ar⁺ va O⁺) hamda keyingi qizdirish usuli bilan CoSi₂/Si (111) sirtida bir xil tartibda joylashgan SoSiO va Si ning bir jinsli nanoo‘lchamli fazalari va epitaksial nanoplenkalari olingan hamda nanokristalli fazalar o‘lchamlarining ionlar energiyasi va dozasiga bog‘liqligi aniqlangan;

Ar⁺ionlari bilan bombardirlash natijasida turli kimyoviy bog‘lanishga (intermetall, kovalent va ion-kovalent) va tabiatga ega bo‘lgan (Pd₂Ba metall qotishma, CoSi₂ va GaAs yarimo‘tkazgichlar) materiallarning sirtida bir komponentli nanoo‘lchamli tuzilmalar shakllanishining asosiy mexanizmlari aniqlangan;

GaAs ni Al⁺ionlari bilan implantatsiya qilish va ketma-ket T=850–900 K gacha qizdirish natijasida θ=20 ÷ 30 Å qalinlikdagi taqiqlangan zona kengligi boshqariladigan (E_g=1,4 ÷ 2,4 eV) Ga_1-xAl_xAs (x=0 ÷ 0,5) nanoplenkasini olish uslubi ishlab chiqilgan;

Si–CoSi₂–Si, CoSiO–CoSi₂–Si, Ga–GaAs–Ge, GaAlAs–GaAs ko‘p qatlamli tuzilishlarini olishning ionli bombardirlash va keyingi qizdirishning optimal sharoitlari aniqlangan va ularning energetik-zona diagrammalari qurilgan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:

Kichik energiyali ionlar bilan binar materiallar sirtini bombardimon qilish va ularning fizik-kimyoviy xususiyatlarini o‘rganish asosida:

taqiqlangan zona energetik kengligini boshqarish imkonini beradigan Ga_1-xMe_xAs nanostrukturasini olishning effektiv texnologiyasi va galliy arsenidi asosida uch komponentli nanostrukturalarni olish usuliga O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining ixtiroga patenti (№IAP 05370, 28.04.2017) olindi.  Ishlab chiqilgan usul GaAs nanokristalliga Al ionlarini implantatsiya qilish va keyingi qizdirish orqali Ga_1-xAl_xAs plyonkasi olingan va x ning qiymatini 0,1–0,5 oraliqda o‘zgartirish yo‘li bilan uch komponentli tizimning energetik zonasi kengligini 1,4–1,9 eV gacha o‘zgartirish imkonini bergan;

ion implantatsiya usuli bilan materiallarning elektron, emission va optik xususiyatlarini kerakli yo‘nalishda o‘zgartirish bo‘yicha olingan natijalar F2–FA–F161 «Ion implantatsiyasi usuli bilan kristallar (W, WO_n, TiN, CdTe, SiO₂) sirtida hosil qilingan erkin yupqa plyonkalar (Al, Cu, Ag va Me–Si) va nanoo‘lchamli geterostrukturalarning shakllanish mexanizmlari hamda ularning fizik-kimyoviy xossalarini o‘rganish» va F–2–31 «Nanoo‘lchamli metall silisid plyonkalari strukturasi va fizik xosslarini tadqiq etish hamda termosezgir strukturalar ishlab chiqish» davlat grantlarini bajarish jarayonida foydalanilgan (Fan va texnologiyalarni rivojlantirishni muvofiqlashtirish qo‘mitasining 2017 yil 9 fevraldagi FTK–0313/146-son ma’lumotnomasi). Yaratilgan texnologik ishlanmalar mikro- va nanoelektronika asboblari uchun zarur bo‘lgan metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich, yarimo‘tkazgich-metall-yarimo‘tkazgich tipidagi yangi ko‘p qatlamli geterotuzilishli plyonkalarni yaratish va nanokontaktlar hosil qilish imkonini bergan.