Xo‘janiyozov Jumanazar Boboqulovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya  mavzusi,  ixtisoslik  shifri  (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Ion-implantatsiya qilingan kremniy va yupqa silisid plyonkalarda elektronlarning plazmali tebranishlarini uyg‘onishi”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2018.2.PhD/FM245
Ilmiy maslahatchi: Risbaev Abdurashit Sarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: I.A. Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Qarshi davlat universiteti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi PhD.03/31.03.2021.FM.70.06 raqamli Ilmiy kengash.
Rasmiy opponentlar: Sabirov Leonard Muhammedjanovich fizika-matematika fanlari doktori, professor, Raxmonov Ganibay Tadjievich fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent. 
Yetakchi tashkilot: O‘zR FA U.A. Arifov nomidagi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy va nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi kremniyning ion-implantatsiya qilingan qatlamlarida hamda natriy va bariy silisid plyonkalarida plazmonlarning uyg‘onish xususiyatlarini modelli va nazariy tushuntirishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
odatiy termik qizdirish yo‘li bilan tozalangan kremniy namunaga Na+ va Va+ ionlarini katta dozada kiritib, keyinchalik ikki pog‘onada: T=900 K 30 minut davomida va T=1550 K 30-60 soniya davomida qizdirib Si monokristallarining yuzasini aralashma (S, O va C) atomlardan to‘liq tozalash usuli ishlab chiqilgan;
ionlar implantatsiyasi davomida kremniy yuza qatlamlari tartibsizlanib to‘liq amorflanishi kuzatildi. Na+ va Va+ ionlari uchun amorflanish kritik dozalari miqdori Dcr aniqlandi. Ionlarning energiyasi ortishi bilan Dcr ning qiymati kamayishi aniqlangan: E0=0,5 keV da Dcr=71015 sm-2 (Na+ uchun), Dcr=41015 sm-2 (Ba+ uchun); E0=5,0 keV da Dcr=0,31015 sm-2 (Na+ uchun), Dcr=0,081015 sm-2 (Ba+ uchun);
katta dozali ionlar implantatsiyasida Si valent elektronlarining holat zichligi keskin o‘zgarishi, taqiqlangan zonada donorli aralashma podzona hosil bo‘lishi va o‘tkazuvchanlik zonasiga qo‘shilishi natijasida taqiqlangan zonaning 0,6 eV gacha (bariy uchun) va 0,7 eV gacha (natriy uchun) kichrayishi, BaSi2 va NaSi2 birikmalarining hosil bo‘lishi asosida tushuntirilgan;
birinchi marta kremniy monokristall yuza qatlamlarining amorflanishi natijasida hajmiy va yuzaviy plazmonlar energiyasining 15% gacha kamayishi aniqlangan va kamayish effekti elektron gazning ikkisuyuqlik modeli asosida nazariy tushuntirilgan;
kichik energiyali va katta dozali Na+ va Ba+ ionlar implantatsiyasi ta’sirida ESES maksimumlarining siljishini qoniqarli darajada ifodalaydigan nazariy formula yaratilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:
Si monokristallar yuza holatlarini va kichik energiyali Na+ va Va+ ionlarining implantatsiyasini kremniyning valent elektronlar holat zichligiga, yuzaviy va hajmiy plazmonlarning uyg‘onish chastotasiga ta’sirini o‘rganish asosida:
kichik energiya va yuqori dozali Na+ va Va+ ionlarining implantatsiyasini Si ning yuzaviy va hajmiy plazmonlar uyg‘onish chastotasiga va valent elektronlarning zichlik holatiga ta’siri bo‘yicha olingan natijalar OT-F2-53 raqamli “A3V5 va A2V6 plyonkalarning sirti va sirt osti sohalarida hosil qilingan ikki qatlamli nanoo‘lchamli tizimlarning kvant o‘lchamli effektlari va elektron xossalari” fundamental loyihasini bajarishda qo‘llanildi (O‘zbekiston respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 18.12.2020 yildagi №89-03-5337 sonli ma’lumotnomasi). Yaratilgan ion-implantatsiya qilingan Si plazmonlari bilan elektronlarning o‘zaro ta’sirlashish modeli va Si valent elektronlar holati maksimumlarini siljishi ion-implantatsiya davomida hosil bo‘ladigan nuqsonlar konsentratsiyasiga bog‘liqligi bo‘yicha aniqlangan nazariy hisoblash natijalari, kremniy yuzasida nanoo‘lchamli strukturalar hosil bo‘lganda eksperimentda kuzatilgan taqiqlangan zona kengligining kamayishini tushuntirish imkonini bergan; 
kremniy monokristali yuzasini vakuumda tozalashning yangi usuli bo‘yicha patent olindi (Kremniy monokristallari yuzasini tozalash usuli. Patent № IAP 05720). Toza, silliq va mukammal Si(111) yuzasini hosil qilish imkonini beradigan texnologik rejimlar ishlab chiqilgan.