Хўжаниёзов Жуманазар Бобоқуловичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация  мавзуси,  ихтисослик  шифри  (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Ион-имплантация қилинган кремний ва юпқа силицид плёнкаларда электронларнинг плазмали тебранишларини уйғониши”, 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2018.2.PhD/FM245
Илмий маслаҳатчи: Рысбаев Абдурашит Сарбаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: И.А. Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Қарши давлат университети ҳузуридаги илмий даражалар берувчи PhD.03/31.03.2021.FM.70.06 рақамли Илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Сабиров Леонард Муҳаммеджанович физика-математика фанлари доктори, профессор, Рахмонов Ганибай Таджиевич физика-математика фанлари номзоди, доцент. 
Етакчи ташкилот: ЎзР ФА У.А. Арифов номидаги Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади кремнийнинг ион-имплантация қилинган қатламларида ҳамда натрий ва барий силицид плёнкаларида плазмонларнинг уйғониш хусусиятларини моделли ва назарий тушунтиришдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
одатий термик қиздириш йўли билан тозаланган кремний намунага Na+ ва Ва+ ионларини катта дозада киритиб, кейинчалик икки поғонада: Т=900 К 30 минут давомида ва T=1550 К 30-60 сония давомида қиздириб Si монокристалларининг юзасини аралашма (S, O ва C) атомлардан тўлиқ тозалаш усули ишлаб чиқилган;
ионлар имплантацияси давомида кремний юза қатламлари тартибсизланиб тўлиқ аморфланиши кузатилди. Na+ ва Ва+ ионлари учун аморфланиш критик дозалари миқдори Dcr аниқланди. Ионларнинг энергияси ортиши билан Dcr нинг қиймати камайиши аниқланган: E0=0,5 кэВ да Dcr=71015 см-2 (Na+ учун), Dcr=41015 см-2 (Ba+ учун); E0=5,0 кэВ да Dcr=0,31015 см-2 (Na+ учун), Dcr=0,081015 см-2 (Ba+ учун);
катта дозали ионлар имплантациясида Si валент электронларининг ҳолат зичлиги кескин ўзгариши, тақиқланган зонада донорли аралашма подзона ҳосил бўлиши ва ўтказувчанлик зонасига қўшилиши натижасида тақиқланган зонанинг 0,6 эВ гача (барий учун) ва 0,7 эВ гача (натрий учун) кичрайиши, BaSi2 ва NaSi2 бирикмаларининг ҳосил бўлиши асосида тушунтирилган;
биринчи марта кремний монокристалл юза қатламларининг аморфланиши натижасида ҳажмий ва юзавий плазмонлар энергиясининг 15% гача камайиши аниқланган ва камайиш эффекти электрон газнинг иккисуюқлик модели асосида назарий тушунтирилган;
кичик энергияли ва катта дозали Na+ ва Ba+ ионлар имплантацияси таъсирида ЭСЭС максимумларининг силжишини қониқарли даражада ифодалайдиган назарий формула яратилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Si монокристаллар юза ҳолатларини ва кичик энергияли Na+ ва Ва+ ионларининг имплантациясини кремнийнинг валент электронлар ҳолат зичлигига, юзавий ва ҳажмий плазмонларнинг уйғониш частотасига таъсирини ўрганиш асосида:
кичик энергия ва юқори дозали Na+ ва Ва+ ионларининг имплантациясини Si нинг юзавий ва ҳажмий плазмонлар уйғониш частотасига ва валент электронларнинг зичлик ҳолатига таъсири бўйича олинган натижалар ОТ-Ф2-53 рақамли “А3В5 ва А2В6 плёнкаларнинг сирти ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган икки қатламли наноўлчамли тизимларнинг квант ўлчамли эффектлари ва электрон хоссалари” фундаментал лойиҳасини бажаришда қўлланилди (Ўзбекистон республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 18.12.2020 йилдаги №89-03-5337 сонли маълумотномаси). Яратилган ион-имплантация қилинган Si плазмонлари билан электронларнинг ўзаро таъсирлашиш модели ва Si валент электронлар ҳолати максимумларини силжиши ион-имплантация давомида ҳосил бўладиган нуқсонлар концентрациясига боғлиқлиги бўйича аниқланган назарий ҳисоблаш натижалари, кремний юзасида наноўлчамли структуралар ҳосил бўлганда экспериментда кузатилган тақиқланган зона кенглигининг камайишини тушунтириш имконини берган; 
кремний монокристали юзасини вакуумда тозалашнинг янги усули бўйича патент олинди (Кремний монокристаллари юзасини тозалаш усули. Патент № IAP 05720). Тоза, силлиқ ва мукаммал Si(111) юзасини ҳосил қилиш имконини берадиган технологик режимлар ишлаб чиқилган.