Усмонов Жохонгир Нишонбоевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “GaP ва GaAs асосидаги таркибида висмут атомлари бўлган кўп таркибли гетеро-тузилмаларнинг физик хоссалари”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика -математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2021.1.PhD/FM264
Илмий рахбар: Зайнабидинов Сиражидин Зайнабидинович, физика-математика фанлари доктори, академик; 
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12 
Расмий оппонентлар: Арипов Хайрулла Кабилович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Зикриллаев Нурулла Фатхуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; 
Етакчи ташкилот: Наманган мухандислик-технология институти
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади GaР ва GaAs асосида янги кўптаркибли, висмут киришма атомлари бўлган қаттиқ қоришмалар ва гетеротузилмаларни олишнинг оптимал технологик шароитларини аниқлаш ва уларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: 
(111) ва (100) кристаллографик ориентацияли GaP ва GaAs монокристалл тагликлар сиртига ўстирилган (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмалар кўптаркибли юпқа пардаларининг тузилмавий параметрларининг сифатли юпқа пардаларнинг тузилмавий хоссаларига тўлиқ мос келиши аниқланган;
суюқ фазали эпитаксия усулида висмутли қоришма-эритмасидан (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y эпитаксиал қатламларни ўстиришнинг оптимал технологик шароитлари аниқланган;
ўстирилган (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y юпқа қатламлари сфалерит тузилишга эга, ўлчамлари 62 нм ли блоклардан иборат (111) ориентацияли монокристалл эканлиги ва юпқа парданинг кристалл панжара параметри af = 0,5656 нмга тенглиги аниқланган;
n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)х гетеротузилмасининг максимал спектрал фотосезгирлиги фотон энергияси 1.34 эВ га тенг бўлганда n-p ўтиш чегарасидаги Ge2 молекулаларининг GaAs молекулалари билан қисман ўрин алмашиниши натижасида ҳосил бўлиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши: 
квант нанообъектларининг ўлчамига, шаклига ва уларнинг зичликларига ўсиш ҳарорати оралиғи, совутиш тезлигига ва технологик меъёрларни таъсирини аниқлаш усуллари ЎзР ФА ЯФИ Ф2-ФА-Ф120 рақамли “Кичик ўлчамли юқори ҳароратли ўтаўтказгичлар, яримўтказгичли гетеротузилмалар, металл ва улар оксидларининг электрон хоссалари ва радиациявий такомиллаштирилиши” мавзусидаги лойиҳада қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясидан 2021 йил 12 апрелдаги олинган 2/1255-1051 рақамли маълумотнома);
GaP асосидаги GaAs/Bi/Ge/ZnSe гетротузилмаларни олиш, уларда ҳосил бўлган нанообъектларнинг табиати ва тақсимотини бошқариш, улардан кўринувчи ва ультрабинафша нурлар соҳаларида ишловчи электрон асбобларда фотоактив элемент сифатида фойдаланиш бўйича олинган натижалардан «FOTON» АЖда ишлаб чиқариладиган яримўтказгичли электрон қурилмалар тайёрлашда фойдаланилган (“Узелектрсаноат” аксиядорлик компаниясининг 2021-йил 5-апрелдаги 04-3/645 рақамли маълумотномаси).