Usmonov Joxongir Nishonboevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.  
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “GaP va GaAs asosidagi tarkibida vismut atomlari bo‘lgan ko‘p tarkibli getero-tuzilmalarning fizik xossalari”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika -matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.1.PhD/FM264
Ilmiy raxbar: Zaynabidinov Sirajidin Zaynabidinovich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik; 
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12 
Rasmiy opponentlar: Aripov Xayrulla Kabilovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Zikrillaev Nurulla Fatxullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; 
Yetakchi tashkilot: Namangan muxandislik-texnologiya instituti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi GaR va GaAs asosida yangi ko‘ptarkibli, vismut kirishma atomlari bo‘lgan qattiq qorishmalar va geterotuzilmalarni olishning optimal texnologik sharoitlarini aniqlash va ularning elektrofizik xossalarini tadqiq qilish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi: 
(111) va (100) kristallografik orientatsiyali GaP va GaAs monokristall tagliklar sirtiga o‘stirilgan (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y qattiq qorishmalar ko‘ptarkibli yupqa pardalarining tuzilmaviy parametrlarining sifatli yupqa pardalarning tuzilmaviy xossalariga to‘liq mos kelishi aniqlangan;
suyuq fazali epitaksiya usulida vismutli qorishma-eritmasidan (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y epitaksial qatlamlarni o‘stirishning optimal texnologik sharoitlari aniqlangan;
o‘stirilgan (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y yupqa qatlamlari sfalerit tuzilishga ega, o‘lchamlari 62 nm li bloklardan iborat (111) orientatsiyali monokristall ekanligi va yupqa pardaning kristall panjara parametri af = 0,5656 nmga tengligi aniqlangan;
n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)x geterotuzilmasining maksimal spektral fotosezgirligi foton energiyasi 1.34 eV ga teng bo‘lganda n-p o‘tish chegarasidagi Ge2 molekulalarining GaAs molekulalari bilan qisman o‘rin almashinishi natijasida hosil bo‘lishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi: 
kvant nanoob’ektlarining o‘lchamiga, shakliga va ularning zichliklariga o‘sish harorati oralig‘i, sovutish tezligiga va texnologik me’yorlarni ta’sirini aniqlash usullari O‘zR FA YaFI F2-FA-F120 raqamli “Kichik o‘lchamli yuqori haroratli o‘tao‘tkazgichlar, yarimo‘tkazgichli geterotuzilmalar, metall va ular oksidlarining elektron xossalari va radiatsiyaviy takomillashtirilishi” mavzusidagi loyihada qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasidan 2021 yil 12 apreldagi olingan 2/1255-1051 raqamli ma’lumotnoma);
GaP asosidagi GaAs/Bi/Ge/ZnSe getrotuzilmalarni olish, ularda hosil bo‘lgan nanoob’ektlarning tabiati va taqsimotini boshqarish, ulardan ko‘rinuvchi va ul`trabinafsha nurlar sohalarida ishlovchi elektron asboblarda fotoaktiv element sifatida foydalanish bo‘yicha olingan natijalardan «FOTON» AJda ishlab chiqariladigan yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalar tayyorlashda foydalanilgan (“Uzelektrsanoat” aksiyadorlik kompaniyasining 2021-yil 5-apreldagi 04-3/645 raqamli ma’lumotnomasi).