Mamatov Olmosbek Maxammatdovidovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “n-CdS/p-CdTe asosida fotovol`taik yupqa pardali strukturalar olish texnologiyasini ishlab chiqish va fizik xossalarini tadqiq etish”, 01.04.07 – Kondensirlangan holat fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.3.PhD/FM523.
Ilmiy rahbar: Yuldashev Nosirjon Xaydarovich fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Farg‘ona politexnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Farg‘ona politexnika instituti, PhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Rasmiy opponentlar: Otajonov Salim Madraximovich, fizika-matematika fanlari doktori; Qo‘chqaroq Qudratulla Mamarasulovich, fizika-matematika fanlari doktori (DSc).
Yetakchi tashkilot: Andijon davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: fotorezistiv va fotovol`taik xususiyatlarga ega bo‘lgan plenkali n-CdS/p-CdTe geterostruktura olishning termovakuumli texnologiyasini ishlab chiqish va faol p-CdTe qatlamning fotoelektrik, optik xususiyatlarini tadqiq etish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
vakuumda termik bug‘latish metodi bilan legirlanmagan namunalarga nisbatan qisqa tutashuv tokini ikki tartibda, anomal fotokuchlanish qiymatini bir tartibda orttirish imkonini beradigan mayda donli fotovol`taik CdTe:In plenkani olish texnologiyasi ishlab chiqilgan;
plenkali n-CdS/p-CdTe geterostruktura olishning p-CdTe qatlamning anomal fotokuchlanish qiymatini taglik tomondan n-CdS qatlamni xususiy yutilish spektral sohasida qo‘shimcha yoritish bilan tanlab boshqarish imkonini beradigan termovakuum texnologiyasi ishlab chiqilgan;
plenkali n-CdS/p-CdTe geterostrukturadagi p-CdTe qatlamning vol`t-amper va lyuks-amper xarakteristikalarida p-CdTe qatlamni n-CdS fotoo‘tkazuvchanligi tufayli shuntlanishi orqali izohlanadigan manfiy differensial qarshilik bilan bog‘liq nochiziqli sohalar yuzaga kelishi aniqlangan;
birinchi marta n-CdS/p-CdTe geterostrukturadagi p-CdTe qatlamning chegaraviy lyuminessensiya spektri qizil chegarasi Eg ga nisbatan qisqa to‘lqinlar sohasiga siljigan, intensivligi eng katta xususiy nurlanish polosasi, uning LO+nLA-fonon qaytarilishi va keng sirt-interfeys polosasidan tashkil topishi aniqlangan;
ilk marotaba n-CdS/p-CdTe geterostrukturada n-CdS qo‘shimcha yoritilganda p-CdTe qatlamning dublet strukturali eksitonlar va simmetrik konturli donor-akseptor juftlar nurlanish chiziqlari topilgan va bu p-CdTe qatlamning mayda donliligi hamda anomal fotovol`taik qarshiligini n-CdS fotoo‘tkazuvchanligi tufayli shuntlanishi bilan bog‘liqligi ko‘rsatilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Mayda donli CdTe:In plenka va n-CdS/p-CdTe plenkali geterostruktura olishning
termovakuum texnologiyasini ishlab chiqish va ularning fizik xossalarini tadqiq etish
natijalari asosida:
CdTe:In asosida fotovol`taik plenka olish usuli ishlab chiqilganligi uchun O‘zbekiston Respublikasi intellektual mulk Agentligining ixtiro Patenti olindi (№ IAP 05384, 28.04.2017). Bu kadmiy xal`kogenidlaridan optoelektronika va geliotexnikaning materiallarini olish texnologiyasi sohasida foydalaniladi. Ishlab chiqilgan texnologiya kuchlanish fotogeneratori sifatida qo‘llaniladigan fotovol`taik plenka quvvatining uch tartibda oshirilishini ta’minladi;
termovakuum bug‘latish metodi bilan fotovol`taik va fotorezistiv xususiyatlarga ega bo‘lgan plenkali n-CdS/p-CdTe geterostrukturani olishning original texnologik rejimlari ishlab chiqilganligi, uning fotolyuminessensiyasida yangi spektral chiziqlar va ularning shakllanish mexanizmlari aniqlanganligi "O‘zeltexsanoat" uyushmasining "FOTON" AJ da aprobatsiyadan o‘tkazildi (14.06.2021 dagi №241-sonli ma’lumotnoma). Olingan ilmiy natijalar O‘zeltexsanoat muassasalarida qo‘llanilishi mumkin. Bu ilmiy yangilikni qo‘llanilishi materialshunoslik fani va yarimo‘tkazgichli strukturalar optik spektroskopiyasi uchun yangi imkoniyatlar ochishi aniqlandi.