Маматов Олмосбек Махамматдовидовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “n-CdS/p-CdTe асосида фотовольтаик юпқа пардали структуралар олиш технологиясини ишлаб чиқиш ва физик хоссаларини тадқиқ этиш”, 01.04.07 – Конденсирланган ҳолат физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2020.3.PhD/FM523. 
Илмий раҳбар: Юлдашев Носиржон Хайдарович физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Фарғона политехника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, PhD.03/27.02.2020.ФМ.106.01.
Расмий оппонентлар: Отажонов Салим Мадрахимович, физика-математика фанлари доктори; Қўчқароқ Қудратулла Мамарасулович, физика-математика фанлари доктори (DSc).
Етакчи ташкилот: Андижон давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: фоторезистив ва фотовольтаик хусусиятларга эга бўлган пленкали n-CdS/p-CdTe гетероструктура олишнинг термовакуумли технологиясини ишлаб чиқиш ва фаол p-CdTe қатламнинг фотоэлектрик, оптик хусусиятларини  тадқиқ этиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
вакуумда термик буғлатиш методи билан  легирланмаган намуналарга нисбатан қисқа туташув токини икки тартибда, аномал фотокучланиш қийматини бир тартибда орттириш имконини берадиган майда донли фотовольтаик CdTe:In пленкани олиш технологияси ишлаб чиқилган; 
пленкали n-CdS/p-CdTe гетероструктура олишнинг p-CdTe қатламнинг аномал фотокучланиш қийматини таглик томондан n-CdS қатламни хусусий ютилиш спектрал соҳасида қўшимча ёритиш билан танлаб бошқариш имконини берадиган термовакуум технологияси ишлаб чиқилган;
пленкали n-CdS/p-CdTe гетероструктурадаги p-CdTe қатламнинг вольт-ампер ва люкс-ампер характеристикаларида p-CdTe қатламни n-CdS фотоўтказувчанлиги туфайли шунтланиши орқали изоҳланадиган манфий дифференциал қаршилик билан боғлиқ ночизиқли соҳалар юзага келиши аниқланган;
биринчи марта n-CdS/p-CdTe гетероструктурадаги p-CdTe қатламнинг чегаравий люминесценция спектри қизил чегараси Eg га нисбатан қисқа тўлқинлар соҳасига силжиган, интенсивлиги энг катта хусусий нурланиш полосаси, унинг LO+nLA-фонон  қайтарилиши ва  кенг сирт-интерфейс полосасидан ташкил топиши аниқланган;   
илк маротаба n-CdS/p-CdTe гетероструктурада n-CdS қўшимча ёритилганда p-CdTе қатламнинг дублет структурали экситонлар ва симметрик контурли донор-акцептор жуфтлар нурланиш чизиқлари топилган ва бу p-CdTе қатламнинг майда донлилиги ҳамда аномал фотовольтаик қаршилигини n-CdS фотоўтказувчанлиги туфайли шунтланиши билан боғлиқлиги кўрсатилган.         
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Майда донли CdTe:In пленка ва n-CdS/p-CdTe пленкали гетероструктура олишнинг 
термовакуум технологиясини ишлаб чиқиш ва уларнинг физик хоссаларини тадқиқ этиш 
натижалари асосида:  
CdTe:In асосида фотовольтаик пленка олиш усули ишлаб чиқилганлиги учун Ўзбекистон Республикаси интеллектуал мулк Агентлигининг ихтиро Патенти олинди (№ IAP 05384, 28.04.2017). Бу кадмий халькогенидларидан оптоэлектроника ва гелиотехниканинг материалларини олиш технологияси соҳасида фойдаланилади. Ишлаб чиқилган технология кучланиш фотогенератори сифатида қўлланиладиган фотовольтаик пленка қувватининг уч тартибда оширилишини таъминлади;
термовакуум буғлатиш методи билан  фотовольтаик ва  фоторезистив хусусиятларга эга бўлган  пленкали  n-CdS/p-CdTe гетероструктурани олишнинг оригинал технологик режимлари ишлаб чиқилганлиги, унинг фотолюминесценциясида янги спектрал чизиқлар ва уларнинг шаклланиш механизмлари аниқланганлиги "Ўзэлтехсаноат" уюшмасининг "ФОТОН" АЖ да апробациядан ўтказилди (14.06.2021 даги №241-сонли маълумотнома). Олинган илмий натижалар Ўзэлтехсаноат муассасаларида қўлланилиши мумкин. Бу илмий янгиликни қўлланилиши материалшунослик фани ва яримўтказгичли структуралар оптик спектроскопияси учун янги имкониятлар очиши аниқланди.