Asatova Umida Palvanovnaning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Tor zonali Ge1-xSnx, (InSb)1-x(Sn2)x qattiq qorishmalari va ularning fotoelektrik xossalari», 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2019.2.PhD/FM143.
Ilmiy rahbar: Usmonov Shukrullo Negmatovich, fizika-matematik fanlari doktori, katta ilmiy xodim.
Dissertatsiya bajarilgan muassasalar nomi: Urganch davlat universiteti va Fizika-texnika instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12.
Rasmiy opponentlar: Sharibaev Nosir Yusupjonovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Turgunov Nozimjon  Abdumannopovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent. 
Yetakchi tashkilot: Toshkent davlat texnika universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Ge1-xSnx  (0  x  0.03) va (InSb)1-x(Sn2)x  (0 x  0.05) qattiq qorishmalar va ular asosidagi p-n geterostrukturalarning strukturaviy, elektrofizik va fotoelektrik xususiyatlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
mukammal monokristall strukturaga ega, panjara doimiysi 5.6812 Å bo‘lgan va (111) orientatsiyali Ge1-xSnx (0 ≤ x ≤ 0.03) qattiq qorishmalarni 740÷450S harorat oralig‘ida va 1 grad/min sovitish tezligida suyuq fazadan o‘stirishning texnologik rejimi ishlab chiqilgan;
ilk bor indiy antimonidning binar birikmasi indiyda 250÷325S harorat intervalida eritilganda InSb molekulasi shaklida bo‘lishi aniqlangan;
ilk bor Ge1-xSnx (0 ≤ x ≤ 0.03) epitaksial qatlam yuzasida diametri 100÷400 nm va balandligi esa 5÷20 nm bo‘lgan alohida nanokristallitlar hosil bo‘lishi aniqlangan;
Sn atomlari ta’sirida n-Ge–p - Ge1-xSnx (0 ≤ x ≤ 0.03) strukturaning fotosezgirlik chegarasi germaniyli elektron-kovak o‘tishga nisbatan 0.27 eV ga nurlanish spektrining uzun to‘lqinli sohasiga siljishi va nurlanish spektrining 0.4 eV fotonlar energiyasidan boshlanishi aniqlangan;
(InSb)0.95(Sn2)0.05 qattiq qorishmaning kristall panjarasi tugunlarida Sn atomlari joylashishi sababli, uning taqiqlangan zonasi kengligi InSb binar birikmaning taqiqlangan zonasi kengligidan 0.07 eV ga kichik bo‘lishi va 0.11 eV ni tashkil qilishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Ge1-xSnx (0x0.03), (InSb)1-x(Sn2)x(0≤x≤0.05) qattiq qorishmalarning strukturaviy, elektrofizik, fotoelektrik xususiyatlari va ular asosidagi p-n geterostrukturalarda tok o‘tish mexanizmlari bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida: 
suyuq fazali epitaksiya usuli bilan (111) yo‘nalishli, panjara doimiysi 5.6812 Å, Ge taglik va qattiq qorishma panjara doimiylari orasidagi nomuvofiqlik 0.0044 bo‘lgan Ge1-xSnx qattiq qorishmaning mukammal monokristallarini 740÷450S harorat oralig‘ida, 1 grad/min sovitish tezligida o‘stirish usulidan, shuningdek, Sn atomlari tufayli n-Ge–p-Ge1-xSnx (0≤x ≤ 0.03) geterostruktura fotosezgirligini germaniyli elektron-kovak o‘tishlarnikiga nisbatan nurlanish spektrining uzun to‘lqin sohasi tomon 0.27 eV ga siljishidan «FOTON» aksionerlik jamiyatida getero elektron-kovak o‘tishlar va yarimo‘tkazgichli plastinalar olishda qo‘llanilgan («O‘zeltexsanoat» aksionerlik jamiyatining 2020 yil 11 martdagi 04-1/680-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish elektrofizik parametrlari infraqizil fotopriyomniklar analoglari darajasidagi tajribaviy namunalarni tayyorlash imkonini bergan;
infraqizil nurlanish fotodatchiklari va teplovizorlar ishlab chiqarishda GaAs, Ge i GaP tagliklarga o‘stirilgan (InSb)1-x(Sn2)x (0 ≤ x ≤ 0.05) qattiq qorishmalarni qo‘llash bo‘yicha tavsiyalar Italia Syntes Alloys kompaniyasi zavodida infraqizil nurlanishning o‘rta diapazoni uchun fotoelektrik o‘zgartkichlarni ishlab chiqarishning texnologik jarayonida foydalanilgan (Italia Syntesalloys S.p.A Codice Fiscale-Partita Iva 02494460021-Numero REA BI-192088, Biella, 2021 yil 28 yanvardagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish 8÷11 mkm to‘lqin uzunlikdagi infraqizil nurlanishning samarador fotodatchiklarini ishlab chiqarish imkonini bergan.