Абдикаримов Азамат Эгамбергановичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Наноўлчамдаги изоляцияланган затворли вертикал майдоний транзисторнинг характеристикаларига технологик флуктуацияларнинг таъсирини моделлаштириш», 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2019.1.PhD/FM120.
Илмий раҳбар: Юсупов Ахмед, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Урганч давлат университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12.
Расмий оппонентлар: Каримов Иброхим Набиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Аюханов Рашид Ахмедович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Физика-техника институти. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: наноўлчамли изолятор устида кремний  технологияси асосидаги вертикал майдоний транзисторнинг геометрик ўлчамлари технологик флуктуацияларининг характеристика ва  қисқа каналли эффектларга, диэлектрик қатлами ва диэлектрик-яримўтказгич чегарасидаги зарядланган якка нуқсоннинг телеграф шовқин амлитудасига таъсирини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
затвор узунлиги 25 нм бўлган изолятор устида кремний  технологияси асосидаги FinFET транзисторнинг канал кўндаланг кесими турлича шакллари учун DIBL ва SS моделлаштириш орқали биринчи бор таққосланиб, транспорт моделда, квант корректировкаларни этиборга олган ҳолда, энг катта DIBL ва SS тўғри тўртбурчак кўндаланг кесимли канал шаклга эга бўлган транзисторда аниқланган;   
турли канал шаклига эга изолятор устида кремний технологияси асосидаги FinFET транзисторларда канал ости оксид қатламининг қалинлиги Тbox ортиши билан DIBL ва SS ларнинг ортиши ва Тbox нинг катта қийматларида тўйиниши аниқланган; 
илк бор турли канал шаклига эга изолятор устида кремний  технологияси асосидаги FinFET транзисторларида бўсаға кучланиши, DIBL ва SS га затворнинг ён томонга кенгайишининг таъсири моделлаштирилган ҳамда затворни ён томонга 10 нм гача кенгайишида, канал барча шакллари учун бўсаға кучланиши деярли ўзгармаслиги, DIBL ва SS эса 10 % гача камайиши исботланган; 
изолятор устида кремний технологияси асосидаги FinFET транзисторларида DIBL ва SSнинг затвор ости оксид қатламининг затвордан ташқаридаги узунлиги Lgoхext га боғлиқлиги ҳамда Lgoхext=2 нм гача бўлган қийматларида DIBL ва SSнинг камайиши, ундан катта қийматларда эса ортиши асосланган; 
илк бор изолятор устида кремний технологияси асосидаги FinFET транзисторларида якка зарядланган нуқсон тўғри тўртбурчак кўндаланг кесимли канал тепаси ўртасида ва трапеция кўндаланг кесимли транзисторда ён томони ўртасида жойлашганда тасодифий телеграф шовқин амплитудаси энг катта бўлиши аниқланган. 
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Наноўлчамдаги изоляцияланган затворли вертикал майдоний транзисторнинг характеристикаларига технологик флуктуацияларнинг таъсирини моделлаштириш бўйича олинган илмий натижалар асосида: 
изолятор устида кремний технологияси асосидаги наноўлчамдаги вертикал майдоний транзисторлар характеристикаларини Technology Computer-Aided Design (TCAD) Sentaurus дастури ёрдамида моделлаштириш натижалари ва квант эффектларини ҳисобга оладиган квант корректировкалар тўғрисидаги илмий хулосаларидан ОТ-Ф-2-28 рақамли «Легирланган кремний сирти ва ҳажмидаги квант ўлчамли эффектлар ҳамда уларнинг р-n тузилмалардаги заряд ташувчилар фотогенерацияси ва рекомбинацияси жараёнларига таъсири» фундаментал лойиҳасида квант ўлчамли эффектларни баҳолашда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2018 йил 3 декабрдаги  89-03-4169-сон маълумотномаси). Натижада, p-n ўтишдаги ток ташувчилар фотогенерация жараёнларига кристаллдаги квант эффектларининг таъсирини тушунтириш имконини берган;  
изолятор устида кремний технологияси асосидаги наноўлчамли FinFET транзисторининг геометрик ўлчам ва шакллари флуктуациясининг транзистор характеристикаларига таъсирини моделлаштириш бўйича олинган натижалар Сантиаго де Компостелла университетининг (Испания) Смарт технологиялар бўйича Сингуляр тадқиқотлар марказида (CITIUS), «Илгарилаган яримўтказгич асбобларни моделлаштириш ва ҳисоблаш воситаларини яратиш: хусусий параметрларни флуктуациясини ўрганиш учун қўллаш» лойиҳасида илгарилаган майдоний транзисторларни моделлаштиришда фойдаланилган (CITIUS маркази Электроника ва компьюьер фанлар бўлимининг 2019 йил маълумотномаси). Натижада, наноўлчамдаги майдоний транзисторларни, хусусан вертикал майдоний транзисторларнинг характеристикаларига ички параметрлар флуктуацияси таъсирини моделлаштириш имконини берган.