Abdikarimov Azamat Egamberganovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Nanoo‘lchamdagi izolyasiyalangan zatvorli vertikal maydoniy tranzistorning xarakteristikalariga texnologik fluktuatsiyalarning ta’sirini modellashtirish», 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2019.1.PhD/FM120.
Ilmiy rahbar: Yusupov Axmed, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Urganch davlat universiteti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12.
Rasmiy opponentlar: Karimov Ibroxim Nabievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Ayuxanov Rashid Axmedovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Fizika-texnika instituti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: nanoo‘lchamli izolyator ustida kremniy  texnologiyasi asosidagi vertikal maydoniy tranzistorning geometrik o‘lchamlari texnologik fluktuatsiyalarining xarakteristika va  qisqa kanalli effektlarga, dielektrik qatlami va dielektrik-yarimo‘tkazgich chegarasidagi zaryadlangan yakka nuqsonning telegraf shovqin amlitudasiga ta’sirini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
zatvor uzunligi 25 nm bo‘lgan izolyator ustida kremniy  texnologiyasi asosidagi FinFET tranzistorning kanal ko‘ndalang kesimi turlicha shakllari uchun DIBL va SS modellashtirish orqali birinchi bor taqqoslanib, transport modelda, kvant korrektirovkalarni etiborga olgan holda, eng katta DIBL va SS to‘g‘ri to‘rtburchak ko‘ndalang kesimli kanal shaklga ega bo‘lgan tranzistorda aniqlangan;   
turli kanal shakliga ega izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi FinFET tranzistorlarda kanal osti oksid qatlamining qalinligi Tbox ortishi bilan DIBL va SS larning ortishi va Tbox ning katta qiymatlarida to‘yinishi aniqlangan; 
ilk bor turli kanal shakliga ega izolyator ustida kremniy  texnologiyasi asosidagi FinFET tranzistorlarida bo‘sag‘a kuchlanishi, DIBL va SS ga zatvorning yon tomonga kengayishining ta’siri modellashtirilgan hamda zatvorni yon tomonga 10 nm gacha kengayishida, kanal barcha shakllari uchun bo‘sag‘a kuchlanishi deyarli o‘zgarmasligi, DIBL va SS esa 10 % gacha kamayishi isbotlangan; 
izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi FinFET tranzistorlarida DIBL va SSning zatvor osti oksid qatlamining zatvordan tashqaridagi uzunligi Lgoxext ga bog‘liqligi hamda Lgoxext=2 nm gacha bo‘lgan qiymatlarida DIBL va SSning kamayishi, undan katta qiymatlarda esa ortishi asoslangan; 
ilk bor izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi FinFET tranzistorlarida yakka zaryadlangan nuqson to‘g‘ri to‘rtburchak ko‘ndalang kesimli kanal tepasi o‘rtasida va trapesiya ko‘ndalang kesimli tranzistorda yon tomoni o‘rtasida joylashganda tasodifiy telegraf shovqin amplitudasi eng katta bo‘lishi aniqlangan. 
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Nanoo‘lchamdagi izolyasiyalangan zatvorli vertikal maydoniy tranzistorning xarakteristikalariga texnologik fluktuatsiyalarning ta’sirini modellashtirish bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida: 
izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi nanoo‘lchamdagi vertikal maydoniy tranzistorlar xarakteristikalarini Technology Computer-Aided Design (TCAD) Sentaurus dasturi yordamida modellashtirish natijalari va kvant effektlarini hisobga oladigan kvant korrektirovkalar to‘g‘risidagi ilmiy xulosalaridan OT-F-2-28 raqamli «Legirlangan kremniy sirti va hajmidagi kvant o‘lchamli effektlar hamda ularning r-n tuzilmalardagi zaryad tashuvchilar fotogeneratsiyasi va rekombinatsiyasi jarayonlariga ta’siri» fundamental loyihasida kvant o‘lchamli effektlarni baholashda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2018 yil 3 dekabrdagi  89-03-4169-son ma’lumotnomasi). Natijada, p-n o‘tishdagi tok tashuvchilar fotogeneratsiya jarayonlariga kristalldagi kvant effektlarining ta’sirini tushuntirish imkonini bergan;  
izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosidagi nanoo‘lchamli FinFET tranzistorining geometrik o‘lcham va shakllari fluktuatsiyasining tranzistor xarakteristikalariga ta’sirini modellashtirish bo‘yicha olingan natijalar Santiago de Kompostella universitetining (Ispaniya) Smart texnologiyalar bo‘yicha Singulyar tadqiqotlar markazida (CITIUS), «Ilgarilagan yarimo‘tkazgich asboblarni modellashtirish va hisoblash vositalarini yaratish: xususiy parametrlarni fluktuatsiyasini o‘rganish uchun qo‘llash» loyihasida ilgarilagan maydoniy tranzistorlarni modellashtirishda foydalanilgan (CITIUS markazi Elektronika va kompyu`er fanlar bo‘limining 2019 yil ma’lumotnomasi). Natijada, nanoo‘lchamdagi maydoniy tranzistorlarni, xususan vertikal maydoniy tranzistorlarning xarakteristikalariga ichki parametrlar fluktuatsiyasi ta’sirini modellashtirish imkonini bergan.