Болтаев Хуршид Хамидовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертация ҳимояси ҳақида эълон 

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи): «Юқори вакуумли чанглатиш ва ион имплантация усули билан Si сиртида олинган наноструктураларнинг электрон ва оптик хусусиятлари», 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2018.2.PhD/FM243.
Илмий раҳбар: Ташмухамедова Дилноза Артикбаевна, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса (муассасалар) номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01.
Расмий оппонентлар: Исаханов Зинаобидин Абилпейзович, физика-математика фанлари доктори; Рахмонов Ганибай Таджиевич, физика-математика фанлари номзоди, доцент. 
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: юқори вакуумли чанглатиш, термодиффузия ва ион имплантация ёрдамида кремний юзасида наноўлчамли фаза ва плёнка олиш, уларнинг электрон ва оптик хусусиятларини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
n- ва p-тип кремнийнинг валент электронлари зичлиги ҳолати максимумларининг ўрни ва шакли бир-биридан кескин фарқ қилиши кўрсатилган. Валент электронларининг ҳолат зичлиги монокристалларнинг кристаллографик йўналишларига ҳам боғлиқ, аммо ҳар хил қирралар учун айрим максимумларнинг ўрни бир-бири билан тахминан мос келиши аниқланган;
Si сиртига Pd атомлари адсорбцияланганда уларнинг чегарасида қуйи силициднинг ўта юпқа плёнкасининг шаклланиши кўрсатилган. Pd нинг Si га термодиффизуяси силицид плёнкаси орқали рўй беради ва T=1050-1100 K да гексогонал панжарали бир жинсли Pd2Si монокристалл плёнкаси шаклланади. Ba-Si тизимида эса Si нинг Ba га ва Ba нинг Si га ўзаро диффузияси туфайли Ba силициди ҳосил бўлади ва T=1100 K ҳароратда кубик панжарали BaSi2 плёнкаси шаклланиши аниқланган;
монокристалл кремний сиртида ҳосил қилинган MeSi2 нанокристаллар ва наноплёнкаларнинг сирт морфологияси, таркиби, кристалл ва электрон структуралари ўрганилди. MeSi2 тизимининг тўлиқ кристалланиш ҳароратининг ионлар дозаси ва энергиясига ўзаро боғлиқлиги аниқланган;
илк бор металл силицид наноструктурани олиш усули таклиф қилинди, илк бор квант ўлчамли эффектлар вужудга келадиган наноплёнкалар қалинлиги ва нанокристалл фаза ўлчамлари аниқланган;
илк бор термодиффузия ва ион имплантацияси усулларида ҳосил қилинган MeSi2-Si тизимида кислород киришма атомларининг чуқурлик бўйича профили ўрганилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши: 
Нанокристаллар, сиртдаги нанопленкалар ва кичик энергияли ионлар билан имлантация қилинган Si монокристалл пленкаларининг ҳосил бўлиш қонуниятлари ва физик механизмларини ўрганиш бўйича олинган натижалар асосида:
силицид металл наноструктураларини олиш усулига Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтиро учун патенти  олинган (№IAP 04874 - 2014). Натижада, кремний сиртида ҳосил қилинган силицид плёнкаларининг қалинлиги, кристалл тузилиши ва панжара доимийларини аниқлаш имконини беради;  
Наноўлчамли металл силицид плёнкаларининг зона параметрларини аниқлашда олинган натижалар Ф-2-31 рақамли “Наноўлчамли металлар силицид плёнкаларни структураси ва физик хоссаларини ўрганиш ва термосезгир структуралар ҳосил қилиш” мавзусидаги фундаментал лойиҳада қўлланилди (Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2020 йил 2 ноябрдаги 89-03-4333-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш силицид плёнкаларнинг электрон тузилиши ва зона параметрларини ўлчаш имконини берган.