Boltaev Xurshid Xamidovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiya himoyasi haqida e’lon 

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i): «Yuqori vakuumli changlatish va ion implantatsiya usuli bilan Si sirtida olingan nanostrukturalarning elektron va optik xususiyatlari», 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2018.2.PhD/FM243.
Ilmiy rahbar: Tashmuxamedova Dilnoza Artikbaevna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa (muassasalar) nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01.
Rasmiy opponentlar: Isaxanov Zinaobidin Abilpeyzovich, fizika-matematika fanlari doktori; Raxmonov Ganibay Tadjievich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent. 
Etakchi tashkilot: Urganch davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: yuqori vakuumli changlatish, termodiffuziya va ion implantatsiya yordamida kremniy yuzasida nanoo‘lchamli faza va plyonka olish, ularning elektron va optik xususiyatlarini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
n- va p-tip kremniyning valent elektronlari zichligi holati maksimumlarining o‘rni va shakli bir-biridan keskin farq qilishi ko‘rsatilgan. Valent elektronlarining holat zichligi monokristallarning kristallografik yo‘nalishlariga ham bog‘liq, ammo har xil qirralar uchun ayrim maksimumlarning o‘rni bir-biri bilan taxminan mos kelishi aniqlangan;
Si sirtiga Pd atomlari adsorbsiyalanganda ularning chegarasida quyi silisidning o‘ta yupqa plyonkasining shakllanishi ko‘rsatilgan. Pd ning Si ga termodiffizuyasi silisid plyonkasi orqali ro‘y beradi va T=1050-1100 K da geksogonal panjarali bir jinsli Pd2Si monokristall plyonkasi shakllanadi. Ba-Si tizimida esa Si ning Ba ga va Ba ning Si ga o‘zaro diffuziyasi tufayli Ba silisidi hosil bo‘ladi va T=1100 K haroratda kubik panjarali BaSi2 plyonkasi shakllanishi aniqlangan;
monokristall kremniy sirtida hosil qilingan MeSi2 nanokristallar va nanoplyonkalarning sirt morfologiyasi, tarkibi, kristall va elektron strukturalari o‘rganildi. MeSi2 tizimining to‘liq kristallanish haroratining ionlar dozasi va energiyasiga o‘zaro bog‘liqligi aniqlangan;
ilk bor metall silisid nanostrukturani olish usuli taklif qilindi, ilk bor kvant o‘lchamli effektlar vujudga keladigan nanoplyonkalar qalinligi va nanokristall faza o‘lchamlari aniqlangan;
ilk bor termodiffuziya va ion implantatsiyasi usullarida hosil qilingan MeSi2-Si tizimida kislorod kirishma atomlarining chuqurlik bo‘yicha profili o‘rganilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi: 
Nanokristallar, sirtdagi nanoplenkalar va kichik energiyali ionlar bilan imlantatsiya qilingan Si monokristall plenkalarining hosil bo‘lish qonuniyatlari va fizik mexanizmlarini o‘rganish bo‘yicha olingan natijalar asosida:
silisid metall nanostrukturalarini olish usuliga O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining ixtiro uchun patenti  olingan (№IAP 04874 - 2014). Natijada, kremniy sirtida hosil qilingan silisid plyonkalarining qalinligi, kristall tuzilishi va panjara doimiylarini aniqlash imkonini beradi;  
Nanoo‘lchamli metall silisid plyonkalarining zona parametrlarini aniqlashda olingan natijalar F-2-31 raqamli “Nanoo‘lchamli metallar silisid plyonkalarni strukturasi va fizik xossalarini o‘rganish va termosezgir strukturalar hosil qilish” mavzusidagi fundamental loyihada qo‘llanildi (Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2020 yil 2 noyabrdagi 89-03-4333-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish silisid plyonkalarning elektron tuzilishi va zona parametrlarini o‘lchash imkonini bergan.