Igamov Baxrom Djuraevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Magnetron changlatish usuli bilan xosil qilingan Mn4Si7 plyonkalarning termoelektrik  xossalari», 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.3.PhD/FM199.
Ilmiy rahbar: Risbaev Abdurashit Sarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01.
Rasmiy opponentlar: Isaxanov Zaynobiddin Abilpayzievich, fizika-matematika fanlari doktori; Kutliev  Uchkun Otoboevich fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Samarqand davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: marganesni bug‘-gaz fazasida reaktiv diffuziya va Bridjman o‘stirish usuli bilan olingan MOS monokristallini magnetron changlatib hosil qilingan Mn4Si7 plyonkalarining o‘sish jarayonidagi strukturaviy xususiyatlarini aniqlashdan iborat. 
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk marotoba marganesning kremniy bilan 1040°S haroratda o‘zaro ta’siri jarayonida 20-50 nm o‘lchamdagi silisidning kichik orolchalari hosil bo‘lishi, keyinchalik ular qo‘shilib (o‘lchami 1 mkm gacha) kristallga yaqin tuzilishiga ega orollarga aylanishi, shuningdek marganesning kiritilish vaqtining ko‘payishi bilan orollar butunlay birlashib, yaxlit MOS plyonkasi hosil bo‘lishi aniqlangan;
magnetron changlatib o‘stirilgan plyonkalar yuzasida ko‘p pufaklar hosil bo‘lishi taglikning yuzasi toza bo‘lmagani bilan tushuntirilib, toza bo‘lmagan fragmentlar atrofida gumbazsimon pufaklar hosil bo‘lib, plenkani qizdirganda pufaklar siqilib kichrayishi aniqlangan;
aniqlandiki Si ni marganes bilan diffuzion legirlanish jarayonida kristall yuzasidagi nuqson qatlamlar Mn atomlarini kirib kelishini stimullaydi, adsorbsiyani osonlashtiradi, Mn erib Si hajmida diffuziyalanishini kuchaytiradi, shuningdek MOS va Si <Mn> chegarasida  20 nm qalinlikdagi amorf qatlam hosil bo‘lishiga hissa qo‘shadi. Ushbu amorf qatlamning mavjudligi namunaga tashqi kuchlanish berilganda tok tashuvchilarining ionlanishiga yordam berib fotoelektrik hodisalarning namoyon bo‘lishiga sabab bo‘lishi ko‘rsatilgan;
Mn atomlarining bug‘ fazasidan suyuq eritma fazasiga kirishi va Si atomlarining chegaraviy hududlardan, shu jumladan amorf hajmdagi Si atomlari, diffuzion kirib borishi jarayonida suyuq eritma hajmi o‘sib, qattiq fazaga o‘tishni boshlaydi. Qattiqlashib kristallizatsiya jarayonida marganesning oliy silisidi Mn4Si7 plyonkasi hosil bo‘lishi ilk bor aniqlangan;
600 K haroratda MOS plyonkaning termoEYuK va qarshiligining keskin o‘sishi amorf matrisada elektr izolyasiyalangan klasterlar hosil bo‘lishi bilan tushuntirilgan. Amorf – NK fazalar chegarasida zaryad tashuvchilar uchun energetik to‘siqlar hosil bo‘lishi plyonkaning qarshiligi ortishiga olib kelishi aniqlangan. Plyonkaning temperaturasi 750 K gacha oshirilganda qarshiligini o‘sishi sekinlashishi klasterlar ulushining oshishi bilan bog‘liq bo‘lganligi ko‘rsatilgan;
MOS plyonkani amorf holatdan nanokristall holatga o‘tganda uning termoEYuK qiymatining ortishi aniqlangan, bunga zaryad tashuvchilarni nanoklasterlar chegaralarida selektiv sochilishi sabab bo‘lishi aniqlangan. Nanokristall holatdan polikristall holatga o‘tishda plyonkaning termoEYuK sini kamayishiga olib kelishi ko‘rsatilgan;
ilk bor yuqori darajadagi bir jinsli va toza marganes oliy silisidi Mn4Si7 plyonkalari yuqori vakuumda lazerli o‘tkazish usuli bilan hosil qilingan va ularning termoelektrik xususiyatlari o‘rganilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. 
Magnetron changlatish usuli bilan kremniy, slyuda va sitall yuzalarida Mn4Si7 plyonkalarini shakllantirish jarayonlarida plyonkaning elementli tarkibi, yuzasining morfologiyasi va kristallik tuzilishlari bo‘yicha olingan tadqiqot natijalari asosida: 
magnetron changlatish usuli bilan olingan Mn4Si7 plyonkalarning termoelektrik xossalarini tadqiq qilish orqali aniqlangan natijalar Rossiya texnologiyalar universiteti (RTU) “Elektron sistemalar va texnologiyalar” laboratoriyasida Si, SiO2 va slyuda tagliklarda  nanokristallik yupqa Mn4Si7 plyonkalarini hosil qilishda qo‘llanilgan (Rossiya texnologiyalar universitetining 2021 yil 21 yanvardagi AR-25/65-son ma’lumotnomasi). Aniqlangan magnetron changlatishning optimal rejimlaridan foydalanish yuqori aylantirish koeffisientiga ega bo‘lgan nanostrukturlangan termoelektrik Mn4Si7 plyonkalarini olish imkonini berdi;
slyuda va sitall tagliklar yuzasida Mn4Si7 plyonkalarini o‘stirish ishlab chiqilgan impul`sli lazer nurlanish texnologiyasi, ularni termoelektrik xossalarini o‘rganish metodikasi va aniqlangan MOS plyonkalarini hosil bo‘lish mexanizmlari OT-A3-56 raqamli “Oliy marganes silisidi pardasi asosida infraqizil nurni termoelektrik o‘zgartirish va issiqlik nurini o‘ta effektiv xolda sovutilmay qayd etuvchi priyomniklar yaratish” amaliy loyihasini bajarishda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2020 yil 9 dekabrdagi 89-03-5149-son ma’lumotnomasi). Olingan ilmiy natijalardan foydalanish o‘ta tekis, toza, sifatli yupqa yuqori termoelektrik parametrlarga ega bo‘lgan va har-xil tashqi ta’sirlarga chidamli ishchi xarakteristikalarga ega Mn4Si7 plyonkalarini o‘stirishga imkon berdi, shuningdek plyonkalarning termoelektrik effektivligiga va foydali ish koeffisentiga ta’sir qiluvchi asosiy faktorlarni aniqlash imkonini berdi;
Mn atomlarini Si ga diffuziya usuli bilan va hajmli MOSni magnetron changlatish usuli bilan, kremniy va dielektrik tagliklarda (slyuda, sitall) ishlab chiqilgan yupqa Mn4Si7 termoelektrik plyonkalarini hosil qilish yangi texnologiyasi OT-F2-53 raqamli “A3V5 va A2V6 plyonkalarning sirti va sirt osti sohalarida hosil qilingan ikki qatlamli nanoo‘lchamli tizimlarning kvant o‘lchamli effektlari va elektron xossalari” fundamental loyihasini bajarishda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2020 yil 9 dekabrdagi 89-03-5162-son ma’lumotnomasi). Olingan ilmiy natijalardan foydalanish A3V5 va A2V6 plyonkalarning sirti va sirt osti sohalarida nanoo‘lchamli strukturalar hosil bo‘lishini va kichik energiyali ionlar implantatsiya va keyingi termik qizdirishdan so‘ng A3V5, A2V6 plyonkalarning fotosezgirligini oshishini tushuntirish imkonini berdi.