Олимов Лутфиддин Омановичнинг

докторлик диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Поликристалл кремний донадорликлараро чегаралари: микротузилмаси, заряд ҳолатлари ва p–n – ўтишлари», 01.04.10– Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).

Талабгорнинг илмий ва илмий-педагогик фаолият олиб боришга лаёқати бўйича тест синовидан ўтгани ҳақида маълумот: физика-математика фанлари номзоди.

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: 30.09.2014/В2014.5.FM165.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети.

ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Физика-техника институти ва Самарканд давлат университети, 14.07.2016.FM/T.12.01.

Илмий маслаҳатчи: Алиев Раимжон Усманович, техника фанлари доктори, профессор.

Расмий оппонентлар: Имамов Эркин Зуннунович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Дадамирзаев Мухаммаджон Ғуломқодирович, физика-математика фанлари доктори; Исмайлов Қанатбек, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Етакчи ташкилот: Фарғона давлат университети.

Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: поликристалл кремний ва р–n – тузилмалар электрофизик ва фотоэлектрик характеристикаларининг ҳажмий нуқсон ва донадорликлараро чегара соҳаларидаги локаллашган киришмали ҳолатларига боғлиқлик қонуниятларини аниқлашдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

донадорлик ҳажмида киришмаларнинг нотекис тақсимланиши, хусусан, ҳар бир киришмалар концентрацияси донадорлик марказидан сиртга ортиб бориши,  донадорликлараро чегара соҳаларида микробўшлиқ ва бўртиқлардан иборат ғадир-будир сирт ҳосил қилиши асосланган;

икки туташган донадорлик кенглиги нанометрларни ташкил қилиши кўрсатилган бўлиб, тузоқлар ионланиш энергияси ҳисобига температура ўзгариши жараёнида локаллашган тузоқлар ионланиши аниқланган,  бунинг натижасида потенциал тўсиқ баландилигини ~0,3÷0,9 эВ оралиқларда ўзгариши ва заряд ташувчилар концентрациясининг камайиши кўрсатилган;

донадорликлараро чегара электрик хоссаларини аниқлаш имконини берувчи икки туташган донадорликнинг кўп қатламли модели ва эквивалент электрик схемаси ишлаб чиқилган;

донадорликлараро чегара соҳаларида адсорбция ва десорбция ҳодисалари аниқланган;

чуқур сатҳли киришмали ҳолатларда электрон-ковак жуфтликлари ҳосил бўлиши ҳисобига бир жинсли ва р-n – тузилмали поликристалл кремний ҳамда р-n – тузилмали монокристалл кремнийда киришмали иссиқлик вольтаик ва фотовольтаик эффектларининг намоён бўлиши қонуниятлари аниқланган;

донадорликлараро чегара соҳадаги р–n – ўтиш модели таклиф этилган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:

Поликристалл кремний донадорликлараро чегараларида микротузилма, заряд ҳолатлари ва р-n – тузилмали монокристалл кремнийда киришмали эффектларини тадқиқ этиш асосида:

электрон ва ковак ўтказувчанлик ҳосил қилувчи кремний кристаллида легирланувчи киришмаларни диффузия жараёнини ўтказиш бўйича «Диффузион қурилма»га Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтирога патенти (UZ IAP 04767, 23.09.2013 й.) олинган. Ишлаб чиқилган диффузион қурилманинг қўлланилиши бир жараённинг ўзида кремний кристаллида изотип ва турли типлар олиш имконини берган;

қуёш нурланишининг иссиқлик энергиясини электр энергияга ўзгартиргич яратиш бўйича «Энергия ўзгартиргич»га Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтирога патенти (UZ IAP 04815, 05.12.2013 й.) олинган. Мазкур ихтиронинг қўлланилиши анъанавий ўзгартиргичга нисбатан 10% катта ток олиш имконини берган;

киришмали иссиқлик вольтаик ва фотовольтаик эффектларнинг намоён бўлиш механизмлари ва кукунли металлургия асосида ишлаб чиқилган поликристалл кремний олиш технологияси Ф3–ФА–Ф158 «Кичик ўлчамли нотекис киритмали органик ва ноорганик грануллашган яримўтказгичлар асосидаги системаларда энергия ўзгартириш жараёнлари», ОТ–Ф2–002 «Поликристалл, аморф ва нанокристалл стимуллашган номувозанатли заряд кўчиш жараёнлари» грант лойиҳасида поликристалл кремний донадорликлараро чегара соҳасида киришмаларнинг адсорбция ва дессорбция ҳодисалари ва р–n ўтишлар олишнинг технологик режимларини аниқлашда қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Фан ва технологияларни ривожлантиришни мувофиқлаштириш қўмитасининг 2016 йил 10 октябрдаги ФТК-03-13/677-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши органик ва ноорганик грануллашган яримўтказгичлар асосидаги системаларда энергия ўзгартириш жараёнлари, поликристалл, аморф ва нанокристалларда заряд кўчиш жараёнларини аниқлаш имконини берган.