Ergashov Yoqub Suvonovichning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri(ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Nb, Si, CdTe va CaF2 kristallarining sirt osti qatlamlarida ion bombardimon usulida hosil qilingan nanoo‘lchamli strukturalar shakllanishining fizik-texnologik asoslari va elektron-optik xususiyatlari”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.4.DSc/T377.
Ilmiy maslahatchi: Umirzakov Boltaxo‘ja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: I.Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti huzuridagi DSc.02/30.12.2019.FM.65.01raqamli Ilmiy kengash.
Rasmiy opponentlar: Normurodov Murodilla Togaevich fizika-matematika fanlari doktori, professor, Rasulov Akbarali Maxamatovich fizika-matematika fanlari doktori, professor, Usmanov Dilshadbek Tursunbaevich, fizika-matematika fanlari doktori.
Yetakchi tashkilot: Urganch davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy va nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi ion bombardimon qilish va vakuumli changlatish davomidaMo, Nb, Si, CdTe, CoSi2 va CaF2 ning sirt va sirt osti sohalarida nanoo‘lchamli faza va qatlamlar hosil bo‘lish mexanizmlarining fizik qonuniyatlarini o‘rnatish, ularning tarkibi, tuzilishi, elektron va optik xususiyatlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
Mo va aktiv metallar ionlari bilan bombardimon qilingan Nb sirt qatlamlarining elektron tuzilishidagi o‘zgarishlarning asosiy- qonuniyatlari aniqlangan;  
ishqor metall ionlarining sochilish koeffisientiga sirt oksidlanishining ta’siri nazariy va eksperimental tarzda baholangan;
sirt qatlamlarining tartibsizligi Si ning monokristall elektron tuzilishiga ta’siri o‘rganilgan;
CoSi2 sirtidagi kvant o‘lchamli faza va Si plyonkalari olinib, ularning elektron xususiyatlari va uch qatlamli Si/CoSi2/Si (111) nanotuzilma olish metodikasi ishlab chiqilgan; 
CdTe gaz fazali cho‘ktirilgan polikristall plyonkalari tarkibi va elektron xususiyatlariga sirt mikronotekisliklar ta’siri o‘rganildi va qizdirish usuli orqali Ar+ ionlari sirti emirilishidan keyingi o‘zgarishlarning asosiy qonuniyatlari aniqlangan;
ilk bor ion implantatsiya usuli CdTe ning turli chuqurliklarida uch komponentli nanoo‘lchamli faza va qatlamlarni olish uchun qo‘llanilgan. 
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:
Ion bombardimon qilish va vakuumli changlatish usullarida nanoo‘lchamli faza va qatlamlar hosil bo‘lish mexanizmlarining fizik qonuniyatlarini o‘rnatish, ularning tarkibi, tuzilishi, elektron va optik xususiyatlarini aniqlashda olingan ilmiy natijalar asosida:
erkin ko‘p qatlamli kremniy-silisid metalli nanoplyonka olish usuliga O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining ixtiro uchun patenti olingan (№ IAP 05741 - 2019 y). Natijada, ko‘p qatlamli kremniy-silisid-metall geterotizimini hosil qilishning effektiv usuli yaratilgan;
kremniy plyonkasida metall disilisidining nanokristall tuzilmasini olish usuliga O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining ixtiro uchun patenti olingan (№ IAP 06215 - 2020 y). Natijada, kremniyning yuzasida disilisid nanofazalarini va nanoplenkalarini hosil qilishning ionlar implantatsiyasiga asoslangan usuli yaratilgan;
So+ ionlari bilan implantatsiyalangan Si monokristalining Oje elektron spektroskopiya usulida olingan natijalari F-2-31 raqamli “Nanoo‘lchamli metallar silisid plyonkalarni strukturasi va fizik xossalarini o‘rganish va termosezgir strukturalar hosil qilish” hamda 2017-2018 yillarda bajarilgan OT-A3-56 raqamli “Oliy margenes silisidli pardasi asosida infra qizil nurli termoelektrik o‘zgartirish va issiqlik nurini o‘ta effektiv holda sovitilmay qayd etuvchi priyomniklar yaratish” mavzusidagi loyihalarda metall-silisidlarning tarkibini va ulardagi atomlarning konsentratsiyalarini hisoblashda silisidlarning optik xususiyatlarini o‘rganishda foydalanilgan (Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2020 yil 2 noyabrdagi 87-03-4334-son ma’lumotnomasi).Ilmiy natijalardan foydalanish Mn4Si7 kremniy plenkasining taqiqlangan zonasi kengligini va fotosezgirligini aniqlash imkonini bergan.