Эргашов Ёқуб Сувоновичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри(илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Nb, Si, CdTe ва CaF2 кристалларининг сирт ости қатламларида ион бомбардимон усулида ҳосил қилинган наноўлчамли структуралар шаклланишининг физик-технологик асослари ва электрон-оптик хусусиятлари”, 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2020.4.DSc/Т377.
Илмий маслаҳатчи: Умирзаков Болтахўжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: И.Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти ҳузуридаги DSc.02/30.12.2019.FM.65.01рақамли Илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Нормуродов Муродилла Тогаевич физика-математика фанлари доктори, профессор, Расулов Акбарали Махаматович физика-математика фанлари доктори, профессор, Усманов Дилшадбек Турсунбаевич, физика-математика фанлари доктори.
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади ион бомбардимон қилиш ва вакуумли чанглатиш давомидаMo, Nb, Si, CdTe, CoSi2 ва CaF2 нинг сирт ва сирт ости соҳаларида наноўлчамли фаза ва қатламлар ҳосил бўлиш механизмларининг физик қонуниятларини ўрнатиш, уларнинг таркиби, тузилиши, электрон ва оптик хусусиятларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Mо ва актив металлар ионлари билан бомбардимон қилинган Nb сирт қатламларининг электрон тузилишидаги ўзгаришларнинг асосий- қонуниятлари аниқланган;  
ишқор металл ионларининг сочилиш коэффициентига сирт оксидланишининг таъсири назарий ва экспериментал тарзда баҳоланган;
сирт қатламларининг тартибсизлиги Si нинг монокристалл электрон тузилишига таъсири ўрганилган;
CoSi2 сиртидаги квант ўлчамли фаза ва Si плёнкалари олиниб, уларнинг электрон хусусиятлари ва уч қатламли Si/CoSi2/Si (111) нанотузилма олиш методикаси ишлаб чиқилган; 
CdTe газ фазали чўктирилган поликристалл плёнкалари таркиби ва электрон хусусиятларига сирт микронотекисликлар таъсири ўрганилди ва қиздириш усули орқали Ar+ ионлари сирти емирилишидан кейинги ўзгаришларнинг асосий қонуниятлари аниқланган;
илк бор ион имплантация усули CdTe нинг турли чуқурликларида уч компонентли наноўлчамли фаза ва қатламларни олиш учун қўлланилган. 
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Ион бомбардимон қилиш ва вакуумли чанглатиш усулларида наноўлчамли фаза ва қатламлар ҳосил бўлиш механизмларининг физик қонуниятларини ўрнатиш, уларнинг таркиби, тузилиши, электрон ва оптик хусусиятларини аниқлашда олинган илмий натижалар асосида:
эркин кўп қатламли кремний-силицид металли наноплёнка олиш усулига Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтиро учун патенти олинган (№ IAP 05741 - 2019 й). Натижада, кўп қатламли кремний-силицид-металл гетеротизимини ҳосил қилишнинг эффектив усули яратилган;
кремний плёнкасида металл дисилицидининг нанокристалл тузилмасини олиш усулига Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтиро учун патенти олинган (№ IAP 06215 - 2020 й). Натижада, кремнийнинг юзасида дисилицид нанофазаларини ва нанопленкаларини ҳосил қилишнинг ионлар имплантациясига асосланган усули яратилган;
Со+ ионлари билан имплантацияланган Si монокристалининг Оже электрон спектроскопия усулида олинган натижалари Ф-2-31 рақамли “Наноўлчамли металлар силицид плёнкаларни структураси ва физик хоссаларини ўрганиш ва термосезгир структуралар ҳосил қилиш” ҳамда 2017-2018 йилларда бажарилган ОТ-А3-56 рақамли “Олий маргенец силицидли пардаси асосида инфра қизил нурли термоэлектрик ўзгартириш ва иссиқлик нурини ўта эффектив ҳолда совитилмай қайд этувчи приёмниклар яратиш” мавзусидаги лойиҳаларда металл-силицидларнинг таркибини ва улардаги атомларнинг концентрацияларини ҳисоблашда силицидларнинг оптик хусусиятларини ўрганишда фойдаланилган (Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2020 йил 2 ноябрдаги 87-03-4334-сон маълумотномаси).Илмий натижалардан фойдаланиш Mn4Si7 кремний пленкасининг тақиқланган зонаси кенглигини ва фотосезгирлигини аниқлаш имконини берган.