Донаев Сардор Бурхановичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Электронная структура и физические свойства наноструктур, созданных на основе двухкомпонентных материалов (PdBa, TiN, GaAs, GaP и CaF2)”, 01.04.04 – Физикэлектроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: .
Илмий маслаҳатчи: Умирзаков Болтахўжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01.
Расмий оппонентлар: Кремков Михаил Ветальевич, физика-математика фанлари доктори;Ташатов Алланазар Каршиевич, физика-математика фанлари доктори;Ниматов Самад Жайсанович, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника институти.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади икки компонентли материалларнинг юзасида ва юза остида наноўлчамли системалар ва қатламларни ҳосил қилиш, уларнинг таркибини, фазавий тузилишини, энергия ҳолатини ҳар томонлама ўрганиш, кузатилган ҳодисаларнинг механизмларини, аниқланган таъсирларни янги қаттиқ жисмли электрон қурилмаларда қўллаш бўйича амалий тавсиялар ишлаб чиқишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
турли усуллар билан фаоллашганда Pd-Bа қотишмасининг эмиссия самарадорлигини ўзгартиришнинг асосий механизмлари – юқори вакуум шароитида ва ҳар хил газлар муҳитида иситиш, лазер билан ишлов бериш, юқори вакуум ва кислород атмосферасига ионларни киритиш аниқланган;
илк борTi0.4О0.6N наноплёнкалари О2+ ионларини TiNга имплантация қилиш орқали олинган. TiОN плёнкаси тор зонали айниган n -типидаги яримўтказгич бўлиб, ўлчамлари 50-100 нм бўлган монокристаллдан иборат эканлиги аниқланган;
илк борGаAlAs ва GаAs(111) плёнкаларининг кристалографик чегара қатламлари аниқланган;
илк борGаAs ва GаAlAs плёнкаларидан ҳақиқий иккиламчи электронлар ва фотоэлектронлар учун чиқиш зонасининг чуқурлиги аниқланган;
Ar+ ионлари ва электронлар билан бомбардимон қилинаётганда CаF2 плёнкалари сиртининг таркиби, тузилиши ва хусусиятларининг ўзгаришининг асосий қонуниятлари ўрганиш асосидаиккала ҳолатда ҳам сирт Cа атомлари билан бойитилганлиги кўрсатилган;
CаF2 юзасида юпқа Cа плёнкаси ҳосил бўлганда, CаF2 таркибидаги киритилувчи металнинг диффузия чуқурлиги 2 баравар камайиши аниқланган;
илк борCаF2 плёнкалари юзасида Ar+ ионлари билан бомбардимон қилиш натижасида мунтазам равишда фазовий марказлашган структура яратилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Ионли бомбардимон ва кейинги қиздириш жараёнида иккикомпонентли материаллар сиртида наноўлчамли структуралар ҳосил бўлиши ва физик хусусиятларининг ўзгариши қонуниятларини аниқлаш асосида:
GаAs ва GаAlAs плёнкаларидан ҳақиқий иккиламчи электронлар ва фотоэлектронлар учун чиқиш зонасининг чуқурлиги аниқлаш, унинг юзасида GаAlAs наноплёнкасини шакллантириш жараёнида GаAs плёнкасининг эмиссия ва оптик хусусиятларининг ўзгариши “Ўзэлтехсаноат” АК таркибидаги “Фотон”АЖда қўлланилган (“Ўзэлтехсаноат” АКнинг2020 йил 25 сентябрдаги 04-1/1748-сон маълумотномаси). Натижада,Si ва CaF2 асосида ёруғликка сезгирлиги юқори бўлган наноўлчамли структуралар олиш ҳамда GaAs, GaP ва TiN асосида диодлар ва оптик қурилмалар ва улар учун ультраюпқа контактлар ҳосил қилиш имконини берган;
№ОТ-Ф3-13: «Кремний-силицид-металл эркин кўп қатламли наноплёнкалари структураларининг шаклланиш механизмлари ва уларнинг электрон ва кристалл структураларини ўрганиш» номли фундаментал лойиҳада яримўтказгичли ва диэлектрик плёнкалар сиртида наноўлчамли фазалар ва плёнкалар шаклланишининг асосий қонуниятларини аниқлашда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясининг 2020 йил 5 октябрдаги 2/1255-2128-сон маълумотномаси).Натижада, наноўлчамли гетероструктураларнинг шаклланишида имплантацияланаётган ионлар энергиясининг, дозаларининг ва кейинги қиздиришнинг ҳароратли диапазонларини аниқлаш ҳамда Si/Cu юзасида ион имплантация усули билан ҳосил қилинган наноўлчамли SiO2/Si/Cu гетеротизимининг электрон тузилишини ўрганиш имконини берган;
ишлаб чиқилган яримўтказгичли намуналар сиртида юпқа контакт қатламлар ҳосил қилиш  усули “Ўздонмаҳсулот” АКда жорий этилган (“Ўздонмаҳсулот” АКнинг 2020 йил 9 октярдаги 10-1-12/130-1653-сон маълумотномаси). Натижада,металл контактларнинг ишончлилигини ошириш, узоқ муддат ишлашини таъминлаш ва электрон қурилмаларнинг коммутацион қисмларини такомиллаштириш имконини берган.