Исмайлов Байрамбай Канатбаевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремний панжарасида никел атомлари кластерларининг миграцияси ва геттерловчи хоссалари», 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси  (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2020.4.PhD/FM261.
Илмий раҳбар: Бахадирханов Мухаммад Кабир Саидханович, физика-математика фанлари доктори, профессор, академик.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Қорақалпоқ давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019. FM/T.01.12.
Расмий оппонентлар: Зайнобиддинов Сирожиддин Зайнобиддинович,  физика-математика фанлари доктори, профессор, академик; Онаркулов Каримберди Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Наманган муҳандислик-технология институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади электр ҳамда рекомбинацион параметрлари барқарор бўлган кремнийни олиш учун кремний панжарасини никел киришма атомлари кластерлари билан геттерлашнинг физик асосларини яратишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
никел киришма атомларининг кластерлари шаклланишининг термодинамик шароитлари ва концентрацияси, таркиби, структураси ва кристалл бўйлаб тақсимланиши замонавий микроскопик тадқиқотлар асосида аниқланган;
никел киришма атомларининг кластерларини шаклланиши кристаллдаги бошланғич киришма атомлар тури ва концентрациясига боғлиқ эмаслиги аниқланган;
илк бор никел киришма атомларининг кластерларини тартибланиши ҳамда уларнинг ўлчамини кристаллдаги бузилишлар зичлигига боғлиқ эмаслик ҳодисаси аниқланган;
илк бор кластерларни чизиқли шаклланиш ҳодисаси аниқланган бўлиб, кластерлар тартибланиши маълум бир термодинамик шароитларда кристалл панжарадаги майда кластерларнинг силжиши билан тушунтирилган ва унинг структура модели таклиф этилган;
биринчи маротаба кристалл панжарадаги тугунлар ўртасида жойлашган кластерлардаги барча никел атомларнинг ёппасига ва бир вақтнинг ўзида миграцияланиши ҳисобига никел киришма атомлари кластерларининг тартибланиш механизми таклиф қилинган;
илк бор никел киришма атомлари кластерларининг кристалл панжарадаги жамоавий кўчиш механизми таклиф этилган, мазкур кластерларнинг миграция коэффициенти никел атомларининг диффузия коэффициентига нисбатан 1,5÷2 тартибга кичик эканлиги аниқланган;
турли хил махсус киритилган “зарарли” ва бошқариб бўлмайдиган (O2, Fe, Mn ва б.) нуқсонларни никел киришма атомларининг кластерлари билан геттерлаш эффекти аниқланган;
кислород атомларининг никел киришма атомларининг кластерлари билан самарали ўзаро таъсирлашуви натижасида кремнийга термик ишлов беришнинг турли шароитларида пайдо бўладиган термодонорлар генерациясини камайтириши ёки йўқотиши аниқланган;
илк бора кремний кристалл панжарасида никел киришма атомларининг кластерларини шаклланиши ҳажмий нано ва микротузилмали электроника, оптоэлектроника ва фотоэнергетика учун ноёб функционал имкониятларга эга бўлган янги синф яримўтказгич материални олиш имкони мавжудлиги амалда кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.  
Электр ҳамда рекомбинацион параметрлари барқарор бўлган кремнийни олиш учун кремний панжарасини никел киришма атомлари кластерлари билан геттерлашнинг физик асосларини яратиш бўйича олинган натижалар асосида:
турли хил “зарарли” нуқсонлар ва бошқариб бўлмайдиган киришма атомлар (Fe, Mn, O2 ва б.) ни никел атомларининг кластерлари билан геттерланиши эффекти асосида бошланғич электр ва рекомбинацион параметрларини ўзгартирмайдиган ва мазкур параметрларни ҳароратнинг кенг оралиғидаги (Т=100÷1100 ºС) термик ишловларда ҳам сақлаб колиш имконини берадиган кремний кристалларини никел билан диффузли легирлашда ишлаб чиқилган янги ва ўзига хос технология «FOTON» АЖда жорий қилинган (“Ўзэлтехсаноат” АКнинг 2020 йил 4 августдаги 04-1/1425-сон малумотномаси). Илмий натижаларнинг кўлланилиши термобарқарорликни оширишга ва «FOTON» АЖда ишлаб чиқариладиган кремний асосидаги диод структураларни тайёрлашда бир хил параметрли қўлланишга яроқли маҳсулотлар сонини кўпайтиришга имкон берган;
кластерлар ҳосил бўлиши муҳитида 30÷60 дақиқа давом этувчи Т=1100÷1200 °С ҳароратда кремнийни никел киришма атомлари билан олдиндан легирлаш асосида, ҳароратнинг кенг соҳа оралиғида (1200 °С гача) - ўтказувчанлик тури ва киришма атомларининг концентрацияси қандайлигидан қатъи назар, кремнийда асосий бўлмаган заряд зашувчиларнинг яшаш вақтини барқарорлаштириш имконини берадиган усул «Новосибирск яримўтказгич асбоблар заводини алоҳида конструкторлик бюроси» АЖда жорий қилинган (“Новосибирск яримўтказгич асбоблар” заводи конструкторлик бюросининг 2020 йил 23 июлдаги 04/401-225-сон маълумотномаси). Натижада, кремнийли паствольтли стабилитронлар ва кучланиш чеклагичларни ишлаб чиқаришда паст ҳароратли текисловчи термик ишлов беришда технологик жараёнини қулайлаштириш имконини берган;
ОТ-Ф-2-41 “Турли табиатли материаллар (металлар, яримўтказгичлар ва диэлектриклар)га ионларни имплантация қилишда наноўлчамли тузилмалар ва қатламлар ҳосил қилиш, атомларни киритиш, пуркаш жараёнларининг назарий ва амалий тадқиқи” мавзусидаги фундаментал лойиҳада (2012-2016 йиллар) электрофизик параметрлари барқарор бўлган бошқариладиган наноўлчамли структураларга эга кремний материалини олишда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2020 йил 27 июлдаги 89-03-2651-сон маълумотномаси). Натижада, кремнийга ионларни имплантация қилишда наноўлчамли тузилмалар ва тўйинган қатламлар ҳосил қилишда, никел киришма атомларни киритишда ва вакуумда пуркашда ўтказилган фундаментал тажриба тадқиқотларнинг самарадорлигини таъминлаган.