Йўлчиев Шаҳриёр Хусановичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Легирланган кремний асосидаги кўп қатламли яримўтказгичли тузилмалардаги физикавий жараёнлар”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2020.2.DSc/FM158.
Илмий маслаҳатчи: Далиев Хожакбар Султанович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12. 
Расмий оппонентлар: Рахматов Ахмад Зайниддинович, техника фанлари доктори, профессор; Зикриллаев Нурулло Фатҳуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Отажонов Салимжон Мадрахимович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади кремний асосида металл-диэлектрик-яримўтказгич тузилмалар, кўптаркибли ва металлооксидли юпқа яримўтказгичли пардаларни олиш шароитларини такомиллаштириш, уларни тузилмавий, электрофизик ва фотоэлектрик ҳусусиятларини ўрганиш ва амалиётда қўлланиш имкониятларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кремнийни Rh ва Ir киришма атомлари билан легирлаш Si-SiO2 бўлиниш чегарасида сиртий ҳолатлар зичлиги ва уларнинг энергия бўйича тақсимоти қонуниятларининг атомлар ионланиш энергияларига мос ҳолда ўзгаришга олиб келиши аниқланган;
нам ва қуруқ хлорли муҳитда термик оксидлаш усулида ўстирилган SiO2 – диэлектрик қатлами 106 дозада γ – нурлар билан нурлантирилиб, 80-270 К ҳарорат ва 30-150 кГц частоталарда ўрганилганда, улар спектрида 0,11 ва 0,26 эВ ҳолатларда янги релаксацион чўққилар пайдо бўлиши аниқланган;
МДЯ-тузилмаларга термик, электрон ва γ-нурланишлар билан ишлов бериб, Si-SiO2 бўлиниш чегарасининг сиртий ҳолатлар зичликларини, диэлектрик қатламдаги ҳаракатчан зарядларни бошқариш орқали электрон қурилмалар характеристикаларини яхшилаш имкониятлари кўрсатилган;
илк бор (SiGe)1-х(GaAs)х қаттиқ қоришмаси субкристаллитлари бўлиниш чегараларида ҳамда сиртида ZnSe нанооролчалари (квант нуқталар) суюқ фазали эпитаксия усулида олинган;
(SiGe)1-х-y(GaAs)х(ZnSe)y қаттиқ қоришма сиртида ва ҳажмида характерли GaAs нанокристаллитлари ҳамда ZnSe квант нуқталарининг ҳосил бўлиш механизмлари, зичлиги, шакли ва геометрик ўлчами технологик меъёрлари(ўсиш температураси оралиғи, совутиш тезлиги)га боғлиқлиги аниқланган;
GaAs, Ge, ZnSe компоненталари ионланиш энергияларининг тафовути туфайли n-Si-р-(SiGe)1-х-y(GaAs)х(ZnSe)y гетеротузилма танловчи фотосезгирликка эга бўлган қуёш элементлари олиш мумкинлиги аниқланган; 
Кремний асосида олинган ZnO металлооксид юпқа пардалари кристалл панжараси қийматлари a=0,3265 нм ва c=0,5212 нм гексоганал сингония ва вюрцит тузилишли, блоклари  ўлчами 67 нм бўлган, сирти (001) кристалографик ориентацияга эга бўлган монокристалл эканлиги, шунингдек, сиртида ёнбош геометрик  ўлчами LZnO=84 нм бўлган  ZnO нанокристалитлари борлиги аниқланган;
ZnO ва SnO2 металлооксидли юпқа қатламлар қуёш энергетикаси ва оптоэлектроникада инфрақизил, кўринувчи ва ультрабинафша нурларга сезгир элементлар сифатида қуёш энергиясини электр энергиясига айлантирувчи қурилмаларда қўлланилиши мумкинлиги аниқланган;
SnO2 юпқа қатламларини Аg билан легирлаш газларнинг қайд қилувчи сезгирлигини ошириб, металлооксид хусусиятларини яхшилаб ва уларни зарарли ва портловчи газларни аниқловчи индикаторларда ишлатиш имкони борлиги кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
Кремний асосида металл-диэлектрик-яримўтказгич тузилмалар, кўптаркибли ва металлооксидли юпқа яримўтказгичли пардаларни олиш шароитларини такомиллаштириш, уларни тузилмавий, электрофизик ва фотоэлектрик ҳусусиятлари бўйича олинган натижалар асосида:
Rh ва Ir атомлари билан легирланган монокристалл кремний асосида олинган МДЯ-тузилмаларнинг Si-SiО2 бўлиниш чегарасида сиртий ҳолатлар зичлиги ва уларнинг энергия бўйича тақсимоти қонуниятларининг атомлар ионланиш энергияларига мос ҳолда ўзгариши ҳамда кремний асосидаги металлооксид юпқа пардаларни газлар, ҳарорат ва нурланишга сезгир, шаффоф ва эгилувчан электроника қурилмаларини тайёрлаш бўйича олинган натижалар Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Ядро физикаси институтида бажарилган АЗ-ФА-Ф003 рақамли “Компенсирланган кремний датчиги асосида озиқ-овқатлар сақланадиган омбор температурасини ва намлигини узоқ масофадан назорат қилиб турадиган қурилмани яратиш” мавзусидаги лойиҳада қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясининг 2020 йил 27 августдаги 2/1255-1768-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши газлар ва ҳароратга сезгир электрон қурилмаларнинг ишчи хусусиятларини яхшилаш имконини берган;
кремний асосида SiGe/GaAs/ZnSe гетротузилмаларни олиш, уларда характерли GaAs нанокристалитлари ҳамда ZnSe квант нуқталарининг табиати ва тақсимотини бошқариш,  SiGe/GaAs/ZnSe турдаги гетеротузилмаларни фотосезгирлик спектрларини ўрганиш, улар асосида инфрақизил ва кўзга кўринувчи спектрал нурлар соҳасида ишловчи фотоқабулқилгичлар яратиш бўйича олинган натижаларидан «FOTON» АЖда ишлаб чиқариладиган яримўтказгич электрон қурилмалар тайёрлашда қўлланилган (“Узэлтехсаноат” акциядорлик компаниясининг 2020 йил 26 августдаги 04-4/1561-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши инфрақизил ва кўзга кўринувчи спектрал нурлар соҳасида ишловчи фотоэлементларнинг ва оптоэлектрон қурилмаларнинг янги синфини яратиш имконини берган;
кремнийни киришма атомлар билан легирлашда аниқланган оптимал технологик ва термик шароитлар, киришма атомларнинг кремний кристалл панжарасида якка ёки бирикма таркибида жойлашиш қонуниятлари, уларнинг ўзаро ва кристалл нуқсонлари билан таъсирлашиш механизмлари ҳамда уларнинг кремний электрофизик хусусиятларига таъсирлари, легирланган кремнийга иссиқлик ва радиация таъсирлари туфайли унинг электрофизик хусусиятларини ўзгариш қонуниятлари, хусусан, киришма атомларнинг ҳарорат ва радиацияга чидамлилиги ва фотосезгирлигини орттириш механизмлари ҳақидаги илмий-амалий тавсиялардан Тошкент давлат техника университетида бажарилган Ф-2-55 рақамли “Янги функционал имкониятларга эга наноматериалларнинг янги синфи сифатидаги киришма атомлар нанокластерларини шаклланиши негизида ҳажмий структуралашган кремнийни олишнинг илмий асосларини ишлаб чиқиш” мавзусидаги лойиҳада қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2020 йил 27 августдаги 89-03-2968-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши кремний асосида ҳарорат ва радиацияга чидамлили, шунингдек,  юқори фотосезгирликка эга бўлган намуналар олиш имконини берган; 
МДЯ-қурилмаларини олиниш технологияларини оптималлаштиришни, уларни хусусиятларини тадқиқ этишни усулларини такомиллаштириш ва улардаги заряд ташувчилар хатти-ҳаракатларини назарий таҳлил этиш натижалари Наманган муҳандислик технологиялари институтида “Электроника ва микропроцессорли асбоблар” ва “Рақамли электроника” махсус ўқув курсларида фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигидан 2020 йил 7 августда олинган 89-03-2744-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши ўқув жараёнида талабаларнинг ноёб физик хусусиятларга эга яримўтказгичли электрон қурилмаларни яратиш ва уларнинг қўлланилиш соҳалари бўйича илмий тасаввурларини ортириш имконини берган.