Yo‘lchiev Shahriyor Xusanovichning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Legirlangan kremniy asosidagi ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgichli tuzilmalardagi fizikaviy jarayonlar”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.2.DSc/FM158.
Ilmiy maslahatchi: Daliev Xojakbar Sultanovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12.
Rasmiy opponentlar: Raxmatov Axmad Zayniddinovich, texnika fanlari doktori, professor; Zikrillaev Nurullo Fathullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Otajonov Salimjon Madraximovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Qoraqalpoq davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi kremniy asosida metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich tuzilmalar, ko‘ptarkibli va metallooksidli yupqa yarimo‘tkazgichli pardalarni olish sharoitlarini takomillashtirish, ularni tuzilmaviy, elektrofizik va fotoelektrik hususiyatlarini o‘rganish va amaliyotda qo‘llanish imkoniyatlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
kremniyni Rh va Ir kirishma atomlari bilan legirlash Si-SiO2 bo‘linish chegarasida sirtiy holatlar zichligi va ularning energiya bo‘yicha taqsimoti qonuniyatlarining atomlar ionlanish energiyalariga mos holda o‘zgarishga olib kelishi aniqlangan;
nam va quruq xlorli muhitda termik oksidlash usulida o‘stirilgan SiO2 – dielektrik qatlami 106 dozada γ – nurlar bilan nurlantirilib, 80-270 K harorat va 30-150 kGs chastotalarda o‘rganilganda, ular spektrida 0,11 va 0,26 eV holatlarda yangi relaksatsion cho‘qqilar paydo bo‘lishi aniqlangan;
MDYa-tuzilmalarga termik, elektron va γ-nurlanishlar bilan ishlov berib, Si-SiO2 bo‘linish chegarasining sirtiy holatlar zichliklarini, dielektrik qatlamdagi harakatchan zaryadlarni boshqarish orqali elektron qurilmalar xarakteristikalarini yaxshilash imkoniyatlari ko‘rsatilgan;
ilk bor (SiGe)1-x(GaAs)x qattiq qorishmasi subkristallitlari bo‘linish chegaralarida hamda sirtida ZnSe nanoorolchalari (kvant nuqtalar) suyuq fazali epitaksiya usulida olingan;
(SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y qattiq qorishma sirtida va hajmida xarakterli GaAs nanokristallitlari hamda ZnSe kvant nuqtalarining hosil bo‘lish mexanizmlari, zichligi, shakli va geometrik o‘lchami texnologik me’yorlari(o‘sish temperaturasi oralig‘i, sovutish tezligi)ga bog‘liqligi aniqlangan;
GaAs, Ge, ZnSe komponentalari ionlanish energiyalarining tafovuti tufayli n-Si-r-(SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y geterotuzilma tanlovchi fotosezgirlikka ega bo‘lgan quyosh elementlari olish mumkinligi aniqlangan;
Kremniy asosida olingan ZnO metallooksid yupqa pardalari kristall panjarasi qiymatlari a=0,3265 nm va c=0,5212 nm geksoganal singoniya va vyursit tuzilishli, bloklari o‘lchami 67 nm bo‘lgan, sirti (001) kristalografik orientatsiyaga ega bo‘lgan monokristall ekanligi, shuningdek, sirtida yonbosh geometrik o‘lchami LZnO=84 nm bo‘lgan ZnO nanokristalitlari borligi aniqlangan;
ZnO va SnO2 metallooksidli yupqa qatlamlar quyosh energetikasi va optoelektronikada infraqizil, ko‘rinuvchi va ul`trabinafsha nurlarga sezgir elementlar sifatida quyosh energiyasini elektr energiyasiga aylantiruvchi qurilmalarda qo‘llanilishi mumkinligi aniqlangan;
SnO2 yupqa qatlamlarini Ag bilan legirlash gazlarning qayd qiluvchi sezgirligini oshirib, metallooksid xususiyatlarini yaxshilab va ularni zararli va portlovchi gazlarni aniqlovchi indikatorlarda ishlatish imkoni borligi ko‘rsatilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Kremniy asosida metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich tuzilmalar, ko‘ptarkibli va metallooksidli yupqa yarimo‘tkazgichli pardalarni olish sharoitlarini takomillashtirish, ularni tuzilmaviy, elektrofizik va fotoelektrik hususiyatlari bo‘yicha olingan natijalar asosida:
Rh va Ir atomlari bilan legirlangan monokristall kremniy asosida olingan MDYa-tuzilmalarning Si-SiO2 bo‘linish chegarasida sirtiy holatlar zichligi va ularning energiya bo‘yicha taqsimoti qonuniyatlarining atomlar ionlanish energiyalariga mos holda o‘zgarishi hamda kremniy asosidagi metallooksid yupqa pardalarni gazlar, harorat va nurlanishga sezgir, shaffof va egiluvchan elektronika qurilmalarini tayyorlash bo‘yicha olingan natijalar O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Yadro fizikasi institutida bajarilgan AZ-FA-F003 raqamli “Kompensirlangan kremniy datchigi asosida oziq-ovqatlar saqlanadigan ombor temperaturasini va namligini uzoq masofadan nazorat qilib turadigan qurilmani yaratish” mavzusidagi loyihada qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasining 2020 yil 27 avgustdagi 2/1255-1768-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi gazlar va haroratga sezgir elektron qurilmalarning ishchi xususiyatlarini yaxshilash imkonini bergan;
kremniy asosida SiGe/GaAs/ZnSe getrotuzilmalarni olish, ularda xarakterli GaAs nanokristalitlari hamda ZnSe kvant nuqtalarining tabiati va taqsimotini boshqarish, SiGe/GaAs/ZnSe turdagi geterotuzilmalarni fotosezgirlik spektrlarini o‘rganish, ular asosida infraqizil va ko‘zga ko‘rinuvchi spektral nurlar sohasida ishlovchi fotoqabulqilgichlar yaratish bo‘yicha olingan natijalaridan «FOTON» AJda ishlab chiqariladigan yarimo‘tkazgich elektron qurilmalar tayyorlashda qo‘llanilgan (“Uzeltexsanoat” aksiyadorlik kompaniyasining 2020 yil 26 avgustdagi 04-4/1561-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi infraqizil va ko‘zga ko‘rinuvchi spektral nurlar sohasida ishlovchi fotoelementlarning va optoelektron qurilmalarning yangi sinfini yaratish imkonini bergan;
kremniyni kirishma atomlar bilan legirlashda aniqlangan optimal texnologik va termik sharoitlar, kirishma atomlarning kremniy kristall panjarasida yakka yoki birikma tarkibida joylashish qonuniyatlari, ularning o‘zaro va kristall nuqsonlari bilan ta’sirlashish mexanizmlari hamda ularning kremniy elektrofizik xususiyatlariga ta’sirlari, legirlangan kremniyga issiqlik va radiatsiya ta’sirlari tufayli uning elektrofizik xususiyatlarini o‘zgarish qonuniyatlari, xususan, kirishma atomlarning harorat va radiatsiyaga chidamliligi va fotosezgirligini orttirish mexanizmlari haqidagi ilmiy-amaliy tavsiyalardan Toshkent davlat texnika universitetida bajarilgan F-2-55 raqamli “Yangi funksional imkoniyatlarga ega nanomateriallarning yangi sinfi sifatidagi kirishma atomlar nanoklasterlarini shakllanishi negizida hajmiy strukturalashgan kremniyni olishning ilmiy asoslarini ishlab chiqish” mavzusidagi loyihada qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2020 yil 27 avgustdagi 89-03-2968-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi kremniy asosida harorat va radiatsiyaga chidamlili, shuningdek, yuqori fotosezgirlikka ega bo‘lgan namunalar olish imkonini bergan;
MDYa-qurilmalarini olinish texnologiyalarini optimallashtirishni, ularni xususiyatlarini tadqiq etishni usullarini takomillashtirish va ulardagi zaryad tashuvchilar xatti-harakatlarini nazariy tahlil etish natijalari Namangan muhandislik texnologiyalari institutida “Elektronika va mikroprotsessorli asboblar” va “Raqamli elektronika” maxsus o‘quv kurslarida foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligidan 2020 yil 7 avgustda olingan 89-03-2744-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi o‘quv jarayonida talabalarning noyob fizik xususiyatlarga ega yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalarni yaratish va ularning qo‘llanilish sohalari bo‘yicha ilmiy tasavvurlarini ortirish imkonini bergan.
