Сапаров Дадажон Валихановичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремний – галлий антимониди, кремний – галлий фосфиди қаттиқ қоришмаларининг варизон қатламларини ўстириш ва улар асосидаги структураларнинг фотоэлектрик хусусиятлари», 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси  (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: B2019.4.PhD/FM122.
Илмий раҳбар: Саидов Амин Сафарбаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: ЎзФА Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019. FM/T.01.12. 
Расмий оппонентлар: Мамадалимов Абдугафур Тешабаевич, физика-математика фанлари доктори, академик; Расулов Рустам Явкачович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Тошкент давлат техника университети. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: (Si2)1-x(GaSb)x ва (Si2)1-x(GaP)x  қаттиқ қоришмаларнинг эпитаксиал қатламларини кремний тагликларга ўстиришнинг ўзига хос физик хусусиятларини аниқлаш ва улар асосида тайёрланган структураларнинг фотоэлектрик хусусиятларини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
молекулали ўрин алмашувчи (Si2)1-x(GaP)x ва (Si2)1-x(GaP)x қаттиқ қоришмаларининг эпитаксиал юпқа катламларини олишнинг зарурий шарти ҳисобланган галлий фосфиди ва галлий антимониди бинар бирикмалари мос ҳолда 900 С ва 600 С температураларда галлийда эритилганда GaP ва GaSb молекулалари кўринишида бўлиши аниқланган.
илк бор GaSb эпитаксиал юпқа қатламлари Si тагликларида (Si2)1-x-у(GaAs)x(GaSb) (0 ≤ x ≤ 0,074, 0 ≤ y ≤ 0,005) қаттиқ қоришмали буфер қатлами орқали ўстирилган;
илк бор Si2 молекулаларининг атомлари (Si2)1-x(GaP)x қаттиқ қоришмасининг тақиқланган зонасида ўтказувчанлик зона тубидан 1,47 эВ пастда жойлашган энергетик сатҳни ҳосил қилиши аниқланган;
(Si2)1-x(GaP)x қаттиқ қоришмасида Si2 молекулалари атомларининг энергетик сатҳлари тасмасининг ярим кенглиги 0,14 эВ ни ташкил этиши аниқланган. 
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.  
Кремний – галлий антимониди, кремний – галлий фосфиди қаттиқ қоришмаларининг варизон қатламларини ўстириш ва улар асосидаги структураларнинг фотоэлектрик хусусиятларини тадқиқ қилиш асосида:
галлий антимониди эпитаксиал қатламларини кремний тагликларга олиш усули учун Интеллектуал мулк агентлигининг ихтиро учун патенти олинган (“Галлий антимониди эпитаксиал қатламларини кремний тагликларга олиш усули”, №IAP 04327-2008й). Натижада эпитаксиал қатламларини кремний тагликларга олиш имконини берган;
р-Si – n-(Si2)1-x-у(GaAs)x(GaSb)y – nGaSb структураларни ўстиришнинг физик хусусиятларини ўрганиш натижалари ва GaSb эпитаксиал қатламларнинг Si тагликларга (Si2)1-x-у(GaAs)x(GaSb)у буфер қатлами орқали ўстирилган – nSi-(Si2)1-x-у(GaAs)x(GaSb)у-nGaSb намуналари Россия Фанлар академияси А.Ф. Иоффе номидаги Физика-техника институтининг “Фотоэлектрик ўзгартиргичлар” лабораториясида жорий этилган (Россия Фанлар академияси А.Ф. Иоффе номидаги Физика-техника институтининг 2011 йил 16 сентябрдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш термофотовольтаик тизимлар учун GaSb бинар бирикмалари асосидаги сезгирлик чегараси 0,65  0,05 эВ бўлган фотоэлементларни яратиш имконини берган.