Saparov Dadajon Valixanovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kremniy – galliy antimonidi, kremniy – galliy fosfidi qattiq qorishmalarining varizon qatlamlarini o‘stirish va ular asosidagi strukturalarning fotoelektrik xususiyatlari», 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi  (fizika-matematika fanlari). 
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2019.4.PhD/FM122.
Ilmiy rahbar: Saidov Amin Safarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zFA Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019. FM/T.01.12. 
Rasmiy opponentlar: Mamadalimov Abdugafur Teshabaevich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik; Rasulov Rustam Yavkachovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Toshkent davlat texnika universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: (Si2)1-x(GaSb)x va (Si2)1-x(GaP)x  qattiq qorishmalarning epitaksial qatlamlarini kremniy tagliklarga o‘stirishning o‘ziga xos fizik xususiyatlarini aniqlash va ular asosida tayyorlangan strukturalarning fotoelektrik xususiyatlarini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
molekulali o‘rin almashuvchi (Si2)1-x(GaP)x va (Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmalarining epitaksial yupqa katlamlarini olishning zaruriy sharti hisoblangan galliy fosfidi va galliy antimonidi binar birikmalari mos holda 900 S va 600 S temperaturalarda galliyda eritilganda GaP va GaSb molekulalari ko‘rinishida bo‘lishi aniqlangan.
ilk bor GaSb epitaksial yupqa qatlamlari Si tagliklarida (Si2)1-x-u(GaAs)x(GaSb) (0 ≤ x ≤ 0,074, 0 ≤ y ≤ 0,005) qattiq qorishmali bufer qatlami orqali o‘stirilgan;
ilk bor Si2 molekulalarining atomlari (Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmasining taqiqlangan zonasida o‘tkazuvchanlik zona tubidan 1,47 eV pastda joylashgan energetik sathni hosil qilishi aniqlangan;
(Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmasida Si2 molekulalari atomlarining energetik sathlari tasmasining yarim kengligi 0,14 eV ni tashkil etishi aniqlangan. 
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.  
Kremniy – galliy antimonidi, kremniy – galliy fosfidi qattiq qorishmalarining varizon qatlamlarini o‘stirish va ular asosidagi strukturalarning fotoelektrik xususiyatlarini tadqiq qilish asosida:
galliy antimonidi epitaksial qatlamlarini kremniy tagliklarga olish usuli uchun Intellektual mulk agentligining ixtiro uchun patenti olingan (“Galliy antimonidi epitaksial qatlamlarini kremniy tagliklarga olish usuli”, №IAP 04327-2008y). Natijada epitaksial qatlamlarini kremniy tagliklarga olish imkonini bergan;
r-Si – n-(Si2)1-x-u(GaAs)x(GaSb)y – nGaSb strukturalarni o‘stirishning fizik xususiyatlarini o‘rganish natijalari va GaSb epitaksial qatlamlarning Si tagliklarga (Si2)1-x-u(GaAs)x(GaSb)u bufer qatlami orqali o‘stirilgan – nSi-(Si2)1-x-u(GaAs)x(GaSb)u-nGaSb namunalari Rossiya Fanlar akademiyasi A.F. Ioffe nomidagi Fizika-texnika institutining “Fotoelektrik o‘zgartirgichlar” laboratoriyasida joriy etilgan (Rossiya Fanlar akademiyasi A.F. Ioffe nomidagi Fizika-texnika institutining 2011 yil 16 sentyabrdagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish termofotovol`taik tizimlar uchun GaSb binar birikmalari asosidagi sezgirlik chegarasi 0,65  0,05 eV bo‘lgan fotoelementlarni yaratish imkonini bergan.