Ниматов Самад Жайсановичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация  мавзуси,  ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли пленкаларининг панжара параметрлари ва кристалл тузилиши”, 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2020.2.DSc/FM95.
Илмий маслаҳатчи: Умирзаков Болтахўжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01.
Расмий оппонентлар: Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Исаханов Занобиддин Абилпайзиевич, физика-математика фанлари доктори; Усманов Дилшадбек Турсунбаевич, физика-математика фанлари доктори. 
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника институти.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: сoф вa иoн имплaнтaциялaнгaн крeмний вa германий нанопленкали крeмний монокристaллиини қиздиришда моноқатламли металл силицидлари пленкаларининг шаклланиш қонуниятларини аниқлаш, ион ва электронлар билан бомбардимон қилганда нуқсонларнинг ҳосил бўлиши, уларнинг кремнийнинг электрон ва оптик ва бошқа хоссаларига таъсирини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
вакуумда чанглатиш, қаттиқ фазали эпитаксия, ион бомбардировка жараёнларида монокристалл намуналар сиртида нуқсонларнинг ҳосил бўлиши, таркиби ва структурасини бир хил шароитларда татқиқ қилишга мўлжалланган ўтаюқоривакуумли (р = 510-12 мм сим. уст.) экспериментал қурилма лохиялаштирилган ва яратилган, ПЭЭД манзарасини электр сигналга айлантириб, дифракцион рефлексни эластик фондан ажратиш имкононини берадиган усул ишлаб чиқилган, дифракцион рефлексни ва эластик фонни аниқ ўлчайдиган ПЭЭД усули яратилган;
ўртa энергияли электронлaр диффрaкциoн манзараси 00 рефлексининг интенсивлигини ўлчаш орқали монокристалл сиртолди қатламларининг кристаллигини таҳлил қилиш имконини берадиган усул такомиллаштирилган;
монокристалл кремний намуналарини термик ишлов бериш жараёнида ПЭЭД дифракцион манзараларида ўтапанжараларининг пайдо бўлиш характери сиртда киришмаларнинг мавжудлиги билан боғликлиги аниқланган. Жумладан, намуна сиртида киришманинг таркиби ёки сортига боғлик ҳолда 1х1, √3х√3, 5х5, 7х7, √19х√19 кўринишдаги ўтапанжаралар пайдо бўлиши аниқланган;
илк бор, қаттиқ фазали эпитаксия усулида Si(111) сиртига наноулчамли қалинликда (10-30Å) ўстирилган Ge пленкаси ва Si сирти структураларининг мукаммаллик даражасига тагликни эпитаксиядан олдин тайёрлаш жараёни ва термик куйдириш режимларининг таъсири ўрганилган. Ge пленкаси буғлатилгандан кейин, сиртнинг Si(111)-1×1 структурага эга бўлган стабиллашган ҳолатига ўтиши аниқланган. 
монокристалл намуналарнинг сиртни паст энергияли электронлар дифракцияси усулида ўрганилганда, пастки қатламларни ўзгартирмасдан электронлар дастасининг сиртга таъсирини электрон стимуллашган жараёнлар орқали аниқланган; 
илк бор, энергияси Ei<100 эВ бўлган Na+ ионлари билан узоқ муддат бомбардимон қилганда ҳам Si(111) сиртининг тўлиқ аморфизацияланмаслиги кузатилган ва Ei100 эВ яқин қийматларда dам.=f(Ei) боғлиқлик графигининг асимптотик ўсиши аниқланган;
иссиқликэлектр айлантиргичларда қўлланиладиган цилиндрсимон монокристалл вольфрам намунаси турли қирраларининг сиртларини Cs+ва Cl ионлари билан чанглатилганда масса ва элемент таркиби, ҳамда чиқиш иши, структура ва иккиламчи ионларнинг масса бўйича анизотропияси татқиқ қилинган; 
яхши тозаланган Si(111) монокристаллини паст энергияли Li+, Na+, Rb+ ва Cl- ионлар билан бомбардимон қилганда энергия, доза ва куйдириш ҳароратининг маълум бир оралиқларида ПЭЭД манзараси юқори контрастга эга бўлган Si(111)-(44)Li, Si(111)-(11)Na, Si(111)-(22)Rb ва Si(111)-(55)Cl сирт структурали силицидларнинг моноқатламли пленкалари ҳосил бўлиши тажрибада аниқланган;
илк бор кремний намуналарига актив металар ионларини имплантация қилганда ундаги хусусий киришмали атомларнинг чуқурлик бўйича қайта тақсимланишига олиб келиши кўрсатилган. Киришма турига боғлиқ ҳолда уларнинг концентрацияси ёки ион-легирланган қатламда, ёки Si нинг легирланмаган худудида ортиши аниқланган;
қуёш элементларида қўлланиладиган кремний намуналарини ионлар билан имплантация қилганда сирт қатламларининг солиштирма қаршилиги, ИЭЭ коэффициенти ва ёруғликни қaйтариш кoэффициeнтининг ўзгариши илк бор тадқиқ қилинган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Монокристалл кремний сиртида германийнинг юпқа қатламлари ва металларнинг моноқатламли пленкаларини тадқиқ қилиш бўйича олинган натижалар асосида:
ион-стимуллашган механизмларнинг паст энергияли заррачаларнинг монокристаллар сирти билан ўзаро таъсирида намоён бўлиши Cu ва Si монокристалл намуналар юзасида ион имплантацияси усули билан наноўлчамли гетероструктураларни олиш ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институтида 2012–2016 йилларда олиб борилган Ф2-ФА-Ф161 «Эркин юпқа (Al, Cu, Ag) плёнкалар ва массив (W, WOn, TiN, CdTe, SiO2) кристаллар юзасида ион имплантацияси усули билан ҳосил қилинган наноўлчамли гетероструктураларнинг шаклланиш механизмлари ва уларнинг физик-кимёвий хоссаларини ўрганиш» номли фундаментал лойиҳа илмий-техникавий вазифаларини бажаришда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикасининг Фанлар Академиясининг 2020 йил 17 мартдаги 2/1255-772-сон  маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш Si ва Cu монокристаллари юзасида ион имплантация усули билан ҳосил қилинган наноўлчамли гетероструктураларнининг кристаллик структураларини ва панжара доимийларини паст энергияли электронлар дифракциси қурилмаси ёрдамида аниқлаш имконини берган;
қуёш элементларида қўлланиладиган кремний намуналарини ионлар билан имплантация қилганда сирт қатламлари хоссаларини ўрганиш натижалари, «FOTON» акциядорлик жамиятида барий киришма атомлари билан легирланган ёруғликка сезгир материал олишда қўлланилган («Узэлтехсаноат» АКнинг 2020 йил 26 мартдаги 04/752-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш,  сезгирлиги юқори бўлган ёруғлик датчикларни ишлаб чиқишга асос бўлган.